國內(nèi)首臺集成電路ALD設備進駐上海集成電路研發(fā)中心
近日,由北方華創(chuàng)下屬子公司北方華創(chuàng)微電子自主研發(fā)的國內(nèi)首臺12英寸原子層沉積(AtomicLayerDeposition,ALD)設備進駐上海集成電路研發(fā)中心。北方華創(chuàng)微電子為國產(chǎn)高端裝備在先進集成電路芯片生產(chǎn)線的應用再添新秀。
本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/201712/372781.htmALD設備是先進集成電路制造工藝中必不可少的薄膜沉積設備,ALD工藝具有工藝溫度低、薄膜厚度控制精確及臺階覆蓋率高等優(yōu)點。在集成電路特征線寬發(fā)展到28納米節(jié)點后,ALD工藝應用日益廣泛。北方華創(chuàng)微電子自2014年開始布局ALD設備的開發(fā)計劃,歷時四年,成功推出中國首臺應用于集成電路領(lǐng)域的量產(chǎn)型單片ALD設備——PolarisA630,應用于沉積集成電路器件中的高介電常數(shù)和金屬柵極薄膜材料,設備的核心技術(shù)指標達到國際先進水平。
此次,北方華創(chuàng)微電子PolarisA630ALD設備以參與公開競標方式,成功進駐上海集成電路研發(fā)中心有限公司,同時中標的產(chǎn)品還有北方華創(chuàng)微電子集成電路AlPad工藝的eVictorA1030物理氣相沉積系統(tǒng)。至此,北方華創(chuàng)微電子已有硅刻蝕機、單片退火設備、HardmaskPVD、AlPadPVD、單片清洗機、立式爐、ALD等集成電路設備應用于28-14納米工藝制程,擴展了國產(chǎn)高端裝備在集成電路先進制程的配套應用范圍。
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