內(nèi)存明年市況恐將不同調(diào)，DRAM市場(chǎng)仍將持續(xù)吃緊，NAND Flash市場(chǎng)則將于明年上半年轉(zhuǎn)為供過于求。

　　DRAM 與 NAND Flash 市場(chǎng)今年都處于供不應(yīng)求狀態(tài)，產(chǎn)品價(jià)格同步高漲，只是業(yè)界普遍預(yù)期，明年 DRAM 與 NAND Flash 市況恐將不同調(diào)。

　　內(nèi)存模塊廠創(chuàng)見指出，DRAM 市場(chǎng)供貨持續(xù)吃緊，價(jià)格未見松動(dòng)跡象。 NAND Flash 方面，隨著 3D NAND Flash 技術(shù)日益成熟，生產(chǎn)良率改善，可望填補(bǔ)供貨缺口。

　　另一內(nèi)存模塊廠威剛表示，短期內(nèi)全球 DRAM 大廠仍理性看待產(chǎn)能議題，并未有大幅破壞產(chǎn)業(yè)生態(tài)的計(jì)劃，持續(xù)正面看待 DRAM 市況。

　　NAND Flash 方面，威剛指出，隨著供貨商 3D NAND Flash 良率逐步改善，預(yù)期明年第 1 季整體供需將出現(xiàn)轉(zhuǎn)變。

　　美光預(yù)期，明年 DRAM 位供給將增加約 20%，市場(chǎng)環(huán)境仍將持續(xù)健康;NAND Flash 位供給則將增加近 50%，供給增加幅度將遠(yuǎn)高于 DRAM。