色婷婷AⅤ一区二区三区|亚洲精品第一国产综合亚AV|久久精品官方网视频|日本28视频香蕉

          新聞中心

          EEPW首頁 > 網絡與存儲 > 業(yè)界動態(tài) > 繼三星和SK海力士之后,美光攻克GDDR6顯存

          繼三星和SK海力士之后,美光攻克GDDR6顯存

          作者: 時間:2018-01-26 來源:快科技 收藏

            三星電子、SK海力士之后,今天也宣布了自己的顯存方案,但和其他兩家有明顯不同。

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/201801/374945.htm

            首先,并不是自己單干,而是集結了幾位合作伙伴,自己出存儲顆粒,Rambus提供物理層,Northwest Logic負責控制器,Avery Design搞定驗證IP。

            Rambus曾經是內存行業(yè)臭名昭著的“專利流氓”,四處控告其他科技公司侵犯其專利,搞得雞犬不寧,不過單就技術而言,Rambus也確實很有兩把刷子。

            這次他們提供的物理層兼容行業(yè)標準,可滿足ASIC、SoC布局需求,速度支持12Gbps、14Gbps、16Gbps,兩個16位通道高最大帶寬512Gbps。

            

          三星電子、SK海力士之后,美光攻克GDDR6顯存

           

            從官網刊出的規(guī)格表中可以看到,美光GDDR6只有8Gb(1GB)容量一種版本,電壓也分為1.35V、1.25V,前者對應速率14/13/12Gbps,后者對應12/10Gbps,和SK海力士的有些類似,都不如三星電子。

            不過美光表示,他們的GDDR6顯存不僅僅適用于傳統顯卡,還可滿足高性能網絡、自動駕駛、AI人工智能、5G通信基礎架構等更多領域的需求。

            這也是他們聯合多家企業(yè)共同設計的主要原因,擴大GDDR6的覆蓋范圍。

            美光GDDR6目前已經試產,今年第一季度量產。



          關鍵詞: 美光 GDDR6

          評論


          相關推薦

          技術專區(qū)

          關閉