2模擬電路的趨勢

　　2.1模擬電路的論文接受情況

　　澳門大學的羅文基教授介紹道，模擬電路方面文章主要有兩組，第一組是傳感器接口，遠東區(qū)有1篇入選，歐洲3篇。第二組是模擬技術(shù)，主要關(guān)注傳統(tǒng)模擬電路技術(shù)，其中有2篇文章來自遠東，3篇北美，2篇歐洲。模擬方面還有1個教程(tutorial)，是關(guān)于電流感測(currentsensing)技術(shù)的。

　　會上總共介紹了十余篇論文，其中有4篇來自遠東，8篇北美，4篇歐洲。遠東區(qū)中，有2篇來自中國臺灣，1篇是韓國，一篇是日本的。

　　2.2傳感器接口

　　2.2.1CMOS溫度傳感器。

   基于電阻式CMOS溫度傳感器方面，如圖2所示，從2014年到2019年，電阻式CMOS傳感器在resolutionFOM(分辨率函數(shù))方面逐年變好。在最近幾年，BJT(雙極結(jié)型晶體管)已經(jīng)被電阻式CMOS超越。還有最重要的一點，是本次有第一篇基于電阻式CMOS的技術(shù)，能做到小于0.4℃的溫差，且只用一個校準點，這方面過去是BJT擅長做的，而且比傳統(tǒng)的基于BJT的效果還好。

　　2.2.2晶振功耗。IoT設(shè)備需要快速啟動，通常要放大信號，才能令啟動加快。但這限制了放大器的帶寬，致使功耗效率降低。本次會議中有一篇用了I/Q調(diào)制原理，只需要DC放大(amplification)。相對地，放大器帶寬就可做得很小，使功耗可以降得很低。

　　圖3是最近幾年晶振的降低情況，可見在各種學術(shù)會議中，ISSCC2019所發(fā)表的功耗指標是最低的。

　　有兩部分的文章。第一部分是傳感器接口，如圖4，有2篇論文。第一篇來自ADI公司，主要做EMF(Energy measurement frontend，能量量測前端)，通過使用準確的片內(nèi)電流和電壓基準子系統(tǒng)，使用insitu Back ground calibration技術(shù)實時對系統(tǒng)進行校正，從而使系統(tǒng)能連續(xù)工作，同時又能保證良好的精準度。另外一篇文章是關(guān)于MEMS加速度計的，東芝發(fā)表的。亮點是性能指標很高：能做到11倍FoM(品質(zhì)因子)的提升，還有9倍的噪聲降低。