據(jù)報道，三星已開始生產(chǎn)磁阻隨機(jī)存取存儲器(MRAM)。預(yù)計MRAM將改變半導(dǎo)體市場的格局，因為它兼具DRAM與NAND閃存的優(yōu)點(diǎn)。

　　三星3月6日宣布，已在一條基于28納米FD-SOI工藝的生產(chǎn)線上，開始大規(guī)模生產(chǎn)和商業(yè)運(yùn)輸嵌入式MRAM(eMRAM)解決方案。該公司在首爾近郊京畿道器興廠房舉行了儀式，標(biāo)志著新內(nèi)存產(chǎn)品的首次發(fā)貨。

　　這種解決方案無需在數(shù)據(jù)記錄期間擦除數(shù)據(jù)，并實現(xiàn)了比傳統(tǒng)閃存快1000倍左右的寫入速度。三星表示，由于它在斷電時保存了存儲的數(shù)據(jù)，并且不使用額外的備用電源，所以它的功耗也很優(yōu)秀。

　　三星將FD-SOI工藝與嵌入式設(shè)計技術(shù)相結(jié)合。在FD-SOI工藝中，硅片上覆蓋一層絕緣膜，在頂部形成晶體管。它的特點(diǎn)是大大降低了晶體管運(yùn)行過程中產(chǎn)生的漏電流。該公司在FD-SOI進(jìn)程中添加了嵌入式內(nèi)存技術(shù)。嵌入式存儲技術(shù)是一種存儲模塊，用于小型電子設(shè)備的微控制器單元(MCU)和片上系統(tǒng)(SoC)等系統(tǒng)半導(dǎo)體中存儲信息。

　　三星電子表示，該解決方案結(jié)構(gòu)簡單，可以通過在當(dāng)前基于邏輯流程的設(shè)計中添加最少的層數(shù)來實現(xiàn)，從而減輕了公司進(jìn)行新設(shè)計的負(fù)擔(dān)，并降低了生產(chǎn)成本。三星計劃擴(kuò)大其嵌入式內(nèi)存解決方案，從今年生產(chǎn)1塊Gbe MRAM測試芯片開始。

　　行業(yè)分析師表示，隨著eMRAM的推出，三星將增加其代工銷售，同時增強(qiáng)其在代工方面的競爭力，以確保在未來半導(dǎo)體市場占據(jù)領(lǐng)先地位。

　　三星計劃明年推出18納米FD-SOI eMRAM工藝。