湛?偉（成都華微電子科技有限公司，成都?610041）

摘?要：本文回顧了Serdes的發(fā)展歷程，提出了Serdes技術(shù)分代及其特點(diǎn)，講述當(dāng)前國內(nèi)外Serdes的技術(shù)現(xiàn)狀，以及Serdes技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)，對(duì)Serdes架構(gòu)和各模塊技術(shù)演變、關(guān)鍵技術(shù)挑戰(zhàn)進(jìn)行了分析，并從協(xié)議、電路設(shè)計(jì)、信號(hào)完整性、發(fā)展趨勢(shì)幾個(gè)維度加以詳細(xì)討論。

關(guān)鍵詞：Serdes；PAM4；數(shù)據(jù)時(shí)鐘；恢復(fù)

0 引言

Serdes；PAM4；數(shù)據(jù)時(shí)鐘；恢復(fù)Serdes是英文單詞串行器（Serializer）和解串行器（De-Serializer）的合成詞，可以稱之為串行解串器。根據(jù)其功能來講，Serdes就是在發(fā)送端將并行數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為串行數(shù)據(jù)，在接收端將串行數(shù)據(jù)恢復(fù)為并行數(shù)據(jù)的電路。

目前，Serdes技術(shù)在有線通信方面已經(jīng)得到了廣泛應(yīng)用。按照應(yīng)用連接的類型，主要分為芯片與光模塊的互聯(lián)；芯片與芯片的互聯(lián)；以及以太網(wǎng)互連。

以太網(wǎng)接口主要有10BASE-T、10BASE-F、100BASE-T、10BASE-FX、1000BASE-X、1000BASE-T接口，在跨城市互聯(lián)中將主要用到GE及以上的接口。GE物理接口有1000BASE-X（802.3z標(biāo)準(zhǔn)）和1000BASE-T（802.3ab標(biāo)準(zhǔn)）兩種。未來的高速率接口（100G或以上）均為GE類型，為了與100GE兼容，OTU4標(biāo)準(zhǔn)的制定為100GE，高端路由器廠家目前均可提供100GE，并大部分計(jì)劃開發(fā)100GE OTN接口 ^[1-2] ?？梢灶A(yù)見的是未來的高速端口將是以太網(wǎng)和OTN這兩種類型。

在以并行通信主導(dǎo)的內(nèi)存顆粒的訪問接口領(lǐng)域，也有分別是海力士和AMD主導(dǎo)的HBM（High BandwidthMemory，高帶寬存儲(chǔ)器） ^[3-4] 以及Intel支持、美光主導(dǎo)的HMC（Hybrid Memory Cube） ^[5] 等串行接口，作為與DDR5不同的一種演進(jìn)方向。

由此我們可以看到，Serdes已經(jīng)跟隨通信協(xié)議，廣泛應(yīng)用在電信、IT和個(gè)人消費(fèi)電子領(lǐng)域。并且隨著通信容量的快速提升，各種通信協(xié)議的單通道數(shù)據(jù)率也快速提升，例如圖1所示的幾種協(xié)議演進(jìn)。

1 技術(shù)現(xiàn)狀

目前，國際上最先進(jìn)的Serdes單通道為64~128 Gbit/s之間。在功耗方面，除了單通道最大功耗（mW）外，由于電路功耗跟工作的數(shù)據(jù)率強(qiáng)相關(guān)，所以通常也使用每bit消耗的功耗（pJ/b）來衡量。在ISSCC 2019會(huì)議上，IBM發(fā)表的單通道128 Gbit/s 1.3 pJ/b的發(fā)送器和100 Gbit/s 1.1 pJ/b的接收器，基本代表了當(dāng)前國際Serdes技術(shù)的最高水平 ^[6-7] 。

令人注意的是，華為旗下的海思半導(dǎo)體在Serdes領(lǐng)域也有相當(dāng)先進(jìn)的技術(shù)，已經(jīng)形成了從45 nm～7 nm工藝，10 Gbit/s～64 Gbit/s的多款I(lǐng)P核，并在近百款芯片中商用。在2018年和2019年的ISSCC會(huì)議上，華為加拿大研究所先后發(fā)表了基于臺(tái)積電16 nm 64 Gbit/s和7 nm 60 Gbit/s的Serdes，并且接近商用，代表著國產(chǎn)Serdes技術(shù)的最高水平 [8-9] 。

另外，清華大學(xué)、北京大學(xué)、東南大學(xué)等院校在Serdes領(lǐng)域研究也取得了很大的進(jìn)步，有多篇32Gbit/s、40Gbit/s、50Gbit/s的學(xué)術(shù)成果 ^[10-13] 。

2 發(fā)展歷程

Serdes技術(shù)的發(fā)展，依本文作者觀點(diǎn)，可以分為以下幾個(gè)階段。

第1階段：?jiǎn)瓮ǖ罃?shù)據(jù)率低于6 Gbit/s，工藝一般采用45 nm及以上。此時(shí)Serdes數(shù)據(jù)率相對(duì)較低，對(duì)Serdes電路設(shè)計(jì)、鎖相環(huán)（PLL）的指標(biāo)、鏈路信號(hào)完整性要求較低，接收端（Receiver，RX）采用固定CTLE參數(shù)等可以滿足需求。

第2階段：?jiǎn)瓮ǖ罃?shù)據(jù)率從6 Gbit/s～15 Gbit/s，工藝水平一般在28 nm～45 nm。此時(shí)，對(duì)PLL設(shè)計(jì)指標(biāo)要求提升，而且RX的連續(xù)時(shí)間線性均衡器（Continuous time linear equalizer，CTLE）、判決反饋均衡器（Decision Feedback Equalizer，DFE）要求采用自適應(yīng)等算法，使得在不同鏈路應(yīng)用場(chǎng)景下獲得CTLE最優(yōu)配置，還能根據(jù)高低溫變化帶來的鏈路信號(hào)完整性變化，動(dòng)態(tài)調(diào)整接收DFE參數(shù)，使得誤碼率在協(xié)議規(guī)定范圍以內(nèi)。

第3階段：?jiǎn)瓮ǖ罃?shù)據(jù)率從15 Gbit/s到30 Gbit/s，工藝水平一般在16 nm到28 nm。工藝參數(shù)對(duì)電路的影響、功耗等問題變得更為突出，需要更加精細(xì)的設(shè)計(jì)電路以及封裝、單板、連接器等。

第4階段：?jiǎn)瓮ǖ雷罡邤?shù)據(jù)率大于30 Gbit/s以上，采用16 nm甚至更先進(jìn)的工藝水平。通常在30 Gbit/s以下的應(yīng)用可以采用傳統(tǒng)的NRZ編碼，30 Gbit/s以上的應(yīng)用需要考慮采用PAM-4編碼，通過犧牲信號(hào)的幅度來換取時(shí)序上的寬裕。因此，Serdes架構(gòu)有了很大變化，通常會(huì)采用DSP和高速ADC等技術(shù)來處理PAM-4編碼 ^[14-19] 。

一個(gè)完整的Serdes系統(tǒng)，包括參考時(shí)鐘，PLL，上層協(xié)議，編解碼，發(fā)送端（Transmitter，TX），信道，接收端（RX）等部分組成。其中有源器件主要是芯片本身如Serdes的收發(fā)端，外部的ESD防護(hù)器件，光模塊等；無源器件包括單板、背板及走線，AC耦合電容連接器，背板，SMA頭，線纜等。

下面，我們進(jìn)一步從這些方面討論Serdes的發(fā)展趨勢(shì)和挑戰(zhàn)。

3 協(xié)議

Serdes通常作為通信協(xié)議的物理層的物理介質(zhì)（PMA）子層部分，由此要嚴(yán)格準(zhǔn)從協(xié)議規(guī)定。Serdes作為一個(gè)芯片的底層模塊，除了滿足單一的通信協(xié)議數(shù)據(jù)率越來越高的挑戰(zhàn)，基于成本等考慮，通常還要求同一個(gè)Serdes IP核能夠兼容多種協(xié)議。

從Serdes設(shè)計(jì)的角度，常見的通信協(xié)議可以分為幾大類別。

第1類：普通的協(xié)議。此類協(xié)議除了數(shù)據(jù)率，位寬及其電氣參數(shù)差異外，沒有對(duì)Serdes提出其他特殊要求。

第2類：PCIE、SAS、SATA等協(xié)議。這幾種協(xié)議，要求根據(jù)鏈路的惡劣情況進(jìn)行調(diào)整速率，即速率可自協(xié)商，這時(shí)Serdes可以被上層控制。并且由于多應(yīng)用在個(gè)人電腦、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域，對(duì)EMI輻射有要求，所以要求Serdes有對(duì)擴(kuò)頻時(shí)鐘（SSC）的產(chǎn)生和接收能力。并且PCIE支持熱插拔，由此要能夠檢測(cè)對(duì)端器件是否在位，滿足熱插拔需求。另外還要支持功耗管理等功能 ^[20-21] 。

第3類：PON協(xié)議。此類協(xié)議要求支持連續(xù)（Continue）收發(fā)和突發(fā)（Burst）收發(fā)模式，而一般CDR會(huì)對(duì)連續(xù)長(zhǎng)時(shí)間的1信號(hào)或者0信號(hào)產(chǎn)生鎖定異常，因此CDR需要特殊的架構(gòu)才能滿足此類協(xié)議的要求 ^[22] 。

4 鎖相環(huán)

常見的鎖相環(huán)通常基于LC振蕩器（LC VCO）或者環(huán)形振蕩器（Ring VCO）結(jié)構(gòu)。

環(huán)形振蕩器易集成、面積小、且容易產(chǎn)生多相位的時(shí)鐘。LC振蕩器的電感占用芯片面積較大，設(shè)計(jì)難度較高，優(yōu)點(diǎn)是相噪性能更好。但是隨著Serdes數(shù)據(jù)率的提高，電感越小諧振頻率越高，所以電感占用面積大的缺點(diǎn)有所緩解。反而是環(huán)形振蕩器PLL的功耗、相噪等問題，無法滿足更高的要求。但是隨著Serdes對(duì)PLL頻率、相噪、功耗等提出了越來越高的要求。在10 Gbps以上的Serdes設(shè)計(jì)中，通常會(huì)使用基于LC VCO的PLL，以獲得更好的相噪水平。

從LC VCO-PLL和ring VCO-PLL的性能比較我們可以看出：LC VCO-PLL在抖動(dòng)方面具有較大優(yōu)勢(shì)，在約（4~5）GHz以下的低頻應(yīng)用時(shí)，ring VCO-PLL在功耗和面積上有一定優(yōu)勢(shì)。但隨著頻率的更加，ringVCO需要更大的電流來提高振蕩頻率，LC VCO占最大面積的電感和電容器件將更小，所以功耗和面積缺點(diǎn)不再那么突出了。

一般來說，在5~8 GHz以下的應(yīng)用中，基于ringVCO的PLL是可行的。如果在更高的頻率，基于LCVCO的PLL更為合適。

5 發(fā)送端

發(fā)送端主要功能包括如下。

串行器：將并行信號(hào)轉(zhuǎn)換為串行信號(hào)。

前饋均衡器（FFE）：實(shí)現(xiàn)預(yù)加重或者去減重，以補(bǔ)償信道對(duì)信號(hào)的衰減作用。

驅(qū)動(dòng)器：提過對(duì)輸出信號(hào)擺幅、上升下降沿等可調(diào)的驅(qū)動(dòng)能力。

串行器的核心是多路復(fù)用器電路，常見的有3類：一步式的多路復(fù)用器，二進(jìn)制的多路復(fù)用器，多種復(fù)用器組合不均勻串行器，如圖3所示。

一種8:1的多路復(fù)用器如圖4所示。Phs0~Phs7是同頻率但等相位差的時(shí)鐘，只有在Phs7和Phs4同時(shí)為高時(shí)，數(shù)據(jù)D7B和D7才能被送出；只有在Phs0和Phs5同時(shí)為高時(shí)，數(shù)據(jù)D0B和D0才能被送出，依次類推。

循環(huán)的等相位差時(shí)鐘，將數(shù)據(jù)D0~D7和D0B ~D7B依次串行高速輸出，即可達(dá)到并行轉(zhuǎn)串行的目的。此類結(jié)構(gòu)優(yōu)點(diǎn)在于電路簡(jiǎn)單，缺點(diǎn)是難以應(yīng)用在數(shù)據(jù)位寬較寬的場(chǎng)景。而且在高速并串轉(zhuǎn)換時(shí)，對(duì)時(shí)鐘相位的抖動(dòng)等要求很高，而變得難以實(shí)現(xiàn)。也就是說，一步式復(fù)用器的最高工作速率低于二進(jìn)制復(fù)用器，所以一步式復(fù)用器一般應(yīng)用在低速Serdes并串轉(zhuǎn)換電路中，或者作為不均勻串行器的第1級(jí)。

不均勻復(fù)用器，既可以靈活配置位寬，也避免了一步式復(fù)用器對(duì)多相時(shí)鐘的高指標(biāo)要求，并且比二級(jí)制復(fù)用器更高效，因此是一種很適合高速串行器的結(jié)構(gòu)。

發(fā)送端的驅(qū)動(dòng)端電路，常見的是CML和SST結(jié)構(gòu)。

CML結(jié)構(gòu)本身方便電流疊加，所以很容易實(shí)現(xiàn)預(yù)加重功能。但是輸出擺幅與輸出阻抗和驅(qū)動(dòng)電流的乘積相關(guān)，輸出阻抗通常又被限制在50~100 Ω，因此要獲得大擺幅就必須使用較大的驅(qū)動(dòng)電流，使得功耗居高不下。這在功耗問題日益突出的今天，已經(jīng)變得無法接受。

文獻(xiàn)^[24]中的兩種不同阻抗調(diào)整方式的SST結(jié)構(gòu)如圖所示，SST結(jié)構(gòu)的輸出擺幅與其電源電壓直接相關(guān)，一般來說產(chǎn)生同樣擺幅，SST結(jié)構(gòu)的功耗只有CML結(jié)構(gòu)的1/4左右，因此在10 Gbps以上的Serdes中越來越受到青睞。

但是SST結(jié)構(gòu)的預(yù)加重信號(hào)疊加相比CML結(jié)構(gòu)更為復(fù)雜。使問題更加困難的是，采用并聯(lián)SST等結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)預(yù)加重功能時(shí)，由于開關(guān)的MOS管數(shù)量不同，阻抗匹配難以保證。因此，通常需要阻抗校準(zhǔn)電路和狀態(tài)機(jī)來保證初始化時(shí)，Serdes 發(fā)送端的阻抗能夠匹配在差分100 Ω左右。

6 接收端

信道的插損與信號(hào)頻率成正比，頻率越高衰減越大。所以隨著Serdes數(shù)據(jù)率提升，信道的衰減也越來越嚴(yán)重。為了補(bǔ)償信道的衰減，通常需要在發(fā)送端預(yù)加重功能和接收端均衡功能。接收端的均衡器一般由CTLE和DFE構(gòu)成。CTLE和DFE已經(jīng)廣泛應(yīng)用于當(dāng)前的Serdes架構(gòu)中。

RX設(shè)計(jì)面臨的幾個(gè)挑戰(zhàn)是：更優(yōu)的DFE拓?fù)浜虲DR拓?fù)?，以及更?yōu)的自適應(yīng)算法。

DFE架構(gòu)經(jīng)歷了全速直接DFE（Full rate directDFE）、半速直接DFE（Half rate direct DFE）、展開全速DFE（Full rate unrolled DFE）、展開半速DFE（Unrolled half rate DFE）和多路復(fù)用半速DFE（Multiplexed half rateDFE）等結(jié)構(gòu)。由于展開式和多路復(fù)用等結(jié)構(gòu)，不用通過電流加法電路對(duì)DFE tap進(jìn)行求和，而使得時(shí)序比直接式DFE更寬松，更適合用于解決速率提升帶來的時(shí)序緊張問題。

根據(jù)RX輸入數(shù)據(jù)和本地時(shí)鐘之間的相位關(guān)系，可以把CDR體系結(jié)構(gòu)分為3類 ^[25] 。

1）使用反饋相位跟蹤的拓?fù)?，包括基于鎖相環(huán)結(jié)構(gòu)的CDR（PLL based CDR）、延遲鎖定回路（DLLbased CDR）、相位插值器（Phase interpolatorbased CDR）和注入鎖定（Injection-locked basedCDR）結(jié)構(gòu)。

2）無反饋相位跟蹤的過采樣（Over-sampling）拓?fù)洹?/span>

3）使用相位對(duì)準(zhǔn)但無反饋相位跟蹤的拓?fù)?，包括門控振蕩器（Gated oscillator）和高Q值帶通濾波器結(jié)構(gòu)。

也可根據(jù)應(yīng)用場(chǎng)景將CDR分為突發(fā)模式和連續(xù)模式的CDR。突發(fā)模式系統(tǒng)通常用于點(diǎn)對(duì)多點(diǎn)應(yīng)用中，不同的發(fā)送方在突發(fā)之間傳輸具有靜默時(shí)間間隔的包數(shù)據(jù)。

每當(dāng)請(qǐng)求傳輸數(shù)據(jù)包時(shí)，數(shù)據(jù)傳輸鏈路被重新激活，并且在其他時(shí)間保持不活動(dòng)狀態(tài)，如以太網(wǎng)無源光網(wǎng)絡(luò)（EPON）、千兆無源光網(wǎng)絡(luò)（GPON）等。突發(fā)模式CDR結(jié)構(gòu)一般采用無反饋相位跟蹤的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，如門控振蕩器和過采樣技術(shù)?；谙辔徊逯灯鞯腃DR不存在抖動(dòng)峰值或穩(wěn)定性問題，具有無限的相位捕獲范圍，但存在量化誤差。

因此，需要根據(jù)芯片不同的應(yīng)用場(chǎng)景來選擇最佳的Serdes CDR結(jié)構(gòu)。

自適應(yīng)算法可以由數(shù)字邏輯狀態(tài)機(jī)來執(zhí)行，也可以固件的形式燒錄在片上MCU中執(zhí)行。例如PCIE等協(xié)議在速率切換時(shí)，要求24 ms以內(nèi)達(dá)到規(guī)定的誤碼率以下，否則協(xié)商失敗，留給自適應(yīng)執(zhí)行的時(shí)間非常有限。

因此，就需要設(shè)計(jì)合理的自適應(yīng)算法，或者提高狀態(tài)機(jī)或者M(jìn)CU的運(yùn)行頻率，才能符合協(xié)議要求。

7 信號(hào)完整性

由于頻率越高插損越大的鏈路參數(shù)特性，隨著Serdes通道的數(shù)據(jù)率越高，對(duì)芯片封裝、在測(cè)試時(shí)常用的Socket夾具、PCB走線處理、連接器等構(gòu)成的信號(hào)完整性也越敏感。高速Serdes對(duì)PCB走線的信號(hào)完整性提出了越來越嚴(yán)苛的要求，例如PCB板材的選取，過孔的處理，是否需要背鉆等等，都是信號(hào)完整性所要考慮的問題。

在5~8 Gbit/s以下的Serdes單板PCB設(shè)計(jì)時(shí)，一般選擇常用的FR4級(jí)別板材就能滿足信號(hào)完整性的要求；在更高速的PCB應(yīng)用時(shí)，則要考慮M4、M6或者同級(jí)別的PCB板材。同時(shí)，需要對(duì)過孔進(jìn)行埋孔、背鉆等做特殊處理，這樣也大幅增加了投板成本。

8 結(jié)論

通信業(yè)務(wù)對(duì)于Serdes數(shù)據(jù)率的需求日益增長(zhǎng)，當(dāng)前基于CMOS工藝實(shí)現(xiàn)的Serdes最高單通道數(shù)據(jù)率已經(jīng)達(dá)到128 bit/s，無論對(duì)于CMOS電路設(shè)計(jì)還是鏈路信號(hào)完整性，單通道數(shù)據(jù)率的進(jìn)一步提高已經(jīng)變得越來越困難。與此同時(shí)，很多系統(tǒng)應(yīng)用對(duì)Serdes的功耗的還有苛刻的要求，也是設(shè)計(jì)人員面臨的巨大挑戰(zhàn)之一。

硅光子技術(shù)可以基于硅和硅襯底材料，利用CMOS制程將電信號(hào)轉(zhuǎn)換為光信號(hào)傳輸。光替代鏈路的銅線，可以得到很好的傳輸數(shù)據(jù)率和極低的損耗。如果硅光子技術(shù)獲得突破和成熟，加上單板的光走線，可以實(shí)現(xiàn)芯片與芯片之間的光互聯(lián)，那么，Serdes技術(shù)的側(cè)重點(diǎn)會(huì)變得很大的不同，將對(duì)驅(qū)動(dòng)能力要求大大的降低。因此，硅光子技術(shù)是一種極具可能性的演進(jìn)方向 ^[26-28] 。參考文獻(xiàn)

[1] 1000BASE-RH PHY system simulations[S].IEEE802.3bv Task Force,2015.

[2] Cisco SFP Optics For Gigabit Ethernet Applications[J/OL].Cisco Systems,2010.

[3] O’ConnorC M.Highlights of the High BandwidthMemory (HBM) Standard[C].Nvidia Memory論壇,2014.

[4] Morgan T P.Future Nvidia ‘Pascal’ GPUs Pack 3DMemory, Homegrown Interconnect[C].terpriseTech,2014.

[5] HMC聯(lián)盟.Hybrid Memory Cube Specification2.1[S],2015.

[6] Toprak-Deniz Z.A 128Gb/s 1.3pJ/b PAM-4Transmitter with Reconfigurable 3-Tap FFE in 14nmCMOS[C],ISSCC2019:122-124.

[7] Cevrero A.A 100Gb/s 1.1pJ/b PAM-4 RX with Dual-Mode 1-Tap PAM- 4 / 3-Tap NRZ Speculative DFE in14nm CMOS FinFET[C].ISSCC2019:112-113.

[8] LaCroix M A.A 60Gb/s PAM-4 ADC-DSP Transceiverin 7nm CMOS with SNR-Based Adaptive Power ScalingAchieving 6.9pJ/b at 32dB Loss[C].ISSCC2019:114-116.

[9] Wang L.A 64Gb/s PAM-4 Transceiver Utilizingan Adaptive Threshold ADC in 16nm FinFET[C].ISSCC2018:110-111.

[10] Tang L.A 32Gb/s 133mW PAM-4 Transceiver withDFE Based on Adaptive Clock Phase and ThresholdVoltage in 65nm CMOS[C],ISSCC2018:114-115.

[11] Lv F.A 50Gb/s Low Power PAM4 SerDesTransmitter with 4-tap FFE and High Linearity OutputVoltage in 65nm CMOS Technology[C].IEEE CustomIntegrated,2015:1441-1450.

[12] Huang K.A 80 mW 40 Gb/s Transmitter WithAutomatic Serializing Time Window Search and 2-tapPre-Emphasis in 65 nm CMOS Technology[J].IEEETRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS,2015.

[13] Zheng X.An Improved 40 Gb/s CDR with Jitter-Suppression Filters and Phase-CompensatingInterpolators[J].IEEE Asian Solid-State CircuitsConference,2016:85-88.

[14] Pisati M.A Sub-250mW 1-to-56Gb/s Continuous-Range PAM-4 42.5dB IL ADC/DAC-Based Transceiverin 7nm FinFET[C].ISSCC2019:116-117.

[15] Ali T.A 180mW 56Gb/s DSP-Based Transceiver forHigh-Density IOs in Data Center Switches in 7nm FinFETTechnology[C].ISSCC2019:118-119.

[16] Peng P J.A 112Gb/s PAM-4 Voltage-ModeTransmitter with 4-Tap Two-Step FFE and AutomaticPhase Alignment Techniques in 40nm CMOS[C].ISSCC2019:124-125.

[17] Kim J.A 112Gb/s PAM-4 Transmitter with 3-TapFFE in 10nm CMOS[C].ISSCC2018:102-103.

[18] Upadhyaya P.A Fully Adaptive 19-to-56Gb/s PAM-4 Wireline Transceiver with a Configurable ADC in 16nmFinFET[C].ISSCC2018:108-109.

[19] Depaoli E.A 4.9pJ/b 16-to-64Gb/s PAM-4 VSR Transceiver in 28nm FDSOI CMOS[C].ISSCC2018:112-113.

[20] PCI Express? Base Specification Revision 4.0Version 1.0[S].PCI-SIG,2017.

[21] Serial Attached SCSI - 4 (SAS-4) draft[S].2016.

[22] Gigabit-capable Passive Optical Networks (GPON):General characteristics[S].ITU-T,2003-2012.

[23] Fischette D.A 45-nm SOI-CMOS Dual-PLLProcessor Clock System for Multi-Protocol I/O[J].AMD,2011.

[24] Kossel M.A T-Coil-Enhanced 8.5 Gb/s High-SwingSST Transmitter in 65 nm Bulk CMOS With <-16 dBReturn Loss Over 10 GHz Bandwidth[J].IEEE JOURNALOF SOLID-STATE CIRCUITS,2008,43(12).

[25] Hsieh M T.Single chip high-speed serial linkcommunicaitons for multi-channel and multi-standardapplications[J],2008(11).

[26] 中國硅光子行業(yè)和硅光子技術(shù)發(fā)展分析報(bào)告2017[N].重磅數(shù)據(jù),2018.

[27] 王穎軒.硅光子行業(yè)分析[J/OL].2017.

[28] Ahmed A H.A 6V Swing 3.6% THD > 40GHz Driverwith 4.5× Bandwidth Extension for a 272Gb/s Dual-Polarization 16-QAM Silicon Photonic Transmitter[C].

ISSCC2019:484-485.

作者簡(jiǎn)介：

湛偉（1981—），男，碩士，副主任工程師，主要研究方向：Serdes電路設(shè)計(jì)與應(yīng)用，E-mail：zhanweisu33@126.com。

本文來源于科技期刊《電子產(chǎn)品世界》2019年第9期第48頁，歡迎您寫論文時(shí)引用，并注明出處。