直追7nm水平 格芯推出12LP+工藝:性能提升20%
在今天開始的全球技術(shù)大會(huì)GTC上,Globalfoundries(格芯,簡(jiǎn)稱GF)宣布推出12LP+工藝,這是12nm LP工藝的改進(jìn)版,性能提升20%,功耗降低40%。
本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/201909/405251.htm從AMD拆分出來(lái)的GF公司去年8月份突然宣布放棄7nm及以下工藝,專注14/12nm及特種工藝,為此AMD也不得不將7nm訂單完全轉(zhuǎn)交給臺(tái)積電。GF這邊,14/12nm工藝依然會(huì)給AMD代工,現(xiàn)在的7nm銳龍及霄龍?zhí)幚砥鞯腎O核心還是GF代工的。
雖然不追求更尖端的的工藝了,但是GF并不會(huì)停止技術(shù)升級(jí),這次推出的12LP+工藝是在12nm LP(它又是在14nm工藝上改良的)基礎(chǔ)上改良優(yōu)化的,與后者相比性能提升了20%,功耗降低了40%,面積縮小了15%。
該工藝的一大特點(diǎn)是高速,SARM單元電壓低至0.5V,支持處理器、內(nèi)存之間的高速低功耗數(shù)據(jù)傳輸,這是計(jì)算及AI應(yīng)用中的重要要求。
與此同時(shí),GF還同步推出了適用于AI應(yīng)用及程序/技術(shù)聯(lián)合開發(fā)(DTCO)服務(wù)的設(shè)計(jì)參考套件,這兩者都能從整體上提高AI電路的設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)低功耗、低成本的開發(fā)。
另外一個(gè)關(guān)鍵功能就是2.5D封裝,該技術(shù)有助于將高帶寬內(nèi)存HBM與處理器集成在一起,以便進(jìn)行高速、低功耗的數(shù)據(jù)傳輸。
GF表示12LP+工藝可以在AI應(yīng)用中充分利用ARM的物理IP及POP IP核心,同時(shí)這兩種IP方案也適用于原始的12nm工藝。
對(duì)于12LP+工藝,GF官方表示他們的12LP+解決方案可以給客戶提供他們希望從7nm工藝中獲得的性能、功耗優(yōu)勢(shì),但NRE成本只有7nm工藝的一半,可以節(jié)約很多。此外,12nm工藝已經(jīng)足夠成熟,客戶流片速度也會(huì)很快,有助于快速滿足不斷增長(zhǎng)的AI市場(chǎng)需求。
根據(jù)GF的消息,12LP+工藝的PDK現(xiàn)在已經(jīng)可用,正在跟多個(gè)客戶合作,預(yù)計(jì)在2020下半年流片,2021年開始在紐約的Fab 8工廠量產(chǎn)。
評(píng)論