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          南亞科宣布10nm級內(nèi)存完全自主開發(fā) DDR4/LPDDR4/DDR5齊發(fā)

          作者:憲瑞 時間:2020-01-14 來源:快科技 收藏

          全球DRAM芯片主要掌握在、SK海力士、三家公司中,他們的份額高達95%以上,關鍵原因就在于這三家的技術專利形成了極高的門檻,其他公司突圍起來很難。

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/202001/409190.htm

          南亞科之前的也是來自授權,今年他們將轉(zhuǎn)向自研的10nm級,未來將自產(chǎn)DDR4/LPDDR4/DDR5等內(nèi)存顆粒。

          前兩年全資收購華亞科之后,南亞科技變成了全球第四大內(nèi)存廠,不過份額只有2%左右,而且技術來源也主要是美光授權,而且技術落后較多,在、美光、SK海力士轉(zhuǎn)向1X、1Y、1Znm工藝之后,南亞的主力還是30nm等,來自美光授權,這兩年才搞定20nm內(nèi)存,也是授權+合作研發(fā)的模式,南亞上次自己搞內(nèi)存研發(fā)還是99nm時代。

          在10nm級內(nèi)存芯片中,南亞決定自研了,目前10nm級前導產(chǎn)品預計會在今年下半年試產(chǎn),主要包括8Gb核心的DDR4、LPDDR4及未來的DDR5,都可以由自研的技術平臺生產(chǎn)。

          在解決10nm級內(nèi)存工藝技術之后,南亞還會繼續(xù)研發(fā)第二代10nm級工藝,預計2022年量產(chǎn),還會開發(fā)第三代10nm級工藝。

          南亞科宣布10nm級內(nèi)存完全自主開發(fā) DDR4/LPDDR4/DDR5齊發(fā)




            關鍵詞: 三星 美光 內(nèi)存

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