長江存儲近日宣布,已經攻克128層堆疊3D QLC閃存技術,單顆容量做到1.33Tb,創(chuàng)造單位面積存儲密度、I/O傳輸速度、單顆芯片容量三個世界第一,首次躋身全球第一隊列水平。

當前,整個閃存行業(yè)都在全面轉向100+層堆疊,其中東芝、西部數據是112層,美光、SK海力士是128層,三星是136層,Intel則做到了144層。

中國的突破顯然讓國際巨頭們有些不安,紛紛開始提速。三星日前就宣布,正在研發(fā)160層及以上的3D閃存,將成為第七代V-NAND閃存的基礎。

在今天的第一季度財務會議期間,同樣來自韓國的SK海力士也確認,將會加速推進128層3D閃存在今年第二季度投入大規(guī)模量產。

SK海力士目前的閃存主力是96層堆疊,128層技術遭在去年年中就已經宣布,支持TLC、QLC兩種閃存類型,當時號稱堆疊密度、容量密度都是最高,單顆芯片容量1Tb(128GB),集成超過3600億個閃存單元。

SK海力士在去年底開始小批量出貨128層閃存,今年初的CES上還展示了兩款使用這種閃存的高端SSD,型號分別為Gold P31、Platinum P31,都是M.2 22110形態(tài),采用自家主控,持續(xù)讀寫最高3.5GB/s、3.2GB/s,最大寫入壽命2TB/1500TBW。

接下來,SK海力士還會沖擊176層閃存。

長江存儲的128層閃存未透露具體量產時間,只說在今年晚些時候。對此大家也不必過于苛求,認為長江存儲只會講PPT、量產太慢之類的。

一方面,從攻克技術到投入量產,任何廠商都需要一定的時間,SK海力士的128層閃存可是去年年中就宣布了,現在仍未大規(guī)模量產,前后耗時將近一年,長江存儲即便到今年第四季度量產也不比這慢。

另一方面,我們在半導體行業(yè)的底子薄是有目共睹的,長江存儲能從64層跨越發(fā)展到128層,從落后一代到比肩一流,這本身就堪稱奇跡。

要不然,三星、SK海力士為何會紛紛表態(tài)要加速呢?