FRAM（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）是被稱為FeRAM。這種存儲(chǔ)器采用鐵電質(zhì)膜用作電容器來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。FRAM具有ROM（只讀存儲(chǔ)器）和RAM（隨機(jī)存取器）的特點(diǎn)，在高速讀寫(xiě)入、高讀寫(xiě)耐久性、低功耗和防竄改方面具有優(yōu)勢(shì)。

關(guān)于鐵電質(zhì)

下面的圖表解釋了PZT晶體結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)通常用作典型的鐵電質(zhì)材料。在點(diǎn)陣中具有鋯和鈦，作為兩個(gè)穩(wěn)定點(diǎn)。它們可以根據(jù)外部電場(chǎng)在兩個(gè)點(diǎn)之間移動(dòng)。一旦位置設(shè)定，即使在出現(xiàn)電場(chǎng)，它也將不會(huì)再有任何移動(dòng)。頂部和底部的電極安排了一個(gè)電容器。那么，電容器劃分了底部電極電壓和極化，超越了磁滯回線。數(shù)據(jù)以“1”或“0”的形式存儲(chǔ)。

PZT晶體結(jié)構(gòu)和FRAM工作原理

1、 當(dāng)加置電場(chǎng)時(shí)就會(huì)產(chǎn)生極化。（鋯/鈦離子在晶體中向上或向下移動(dòng)）

2、 即使在不加置電場(chǎng)的情況下，也能保持電極。

3、 兩個(gè)穩(wěn)定的狀態(tài)以“0”或“1”的形式存儲(chǔ)。

存儲(chǔ)器分類中的FRAM

* 非易失性：即使沒(méi)有上電，也可以保存所存儲(chǔ)的信息。

優(yōu)勢(shì)

與傳統(tǒng)存儲(chǔ)器相比，F(xiàn)RAM具有下列優(yōu)勢(shì)：

非易失性

●   即使沒(méi)有上電，也可以保存所存儲(chǔ)的信息。

●   與SRAM相比，無(wú)需后備電池（環(huán)保產(chǎn)品）

更高速度寫(xiě)入

●   像SRAM一樣，可覆蓋寫(xiě)入

●   不要求改寫(xiě)命令

●   對(duì)于擦/寫(xiě)操作，無(wú)等待時(shí)間

●   寫(xiě)入循環(huán)時(shí)間 =讀取循環(huán)時(shí)間

●   寫(xiě)入時(shí)間：E2PROM的1/30,000

具有更高的讀寫(xiě)耐久性

●   確保最大1012次循環(huán)（100萬(wàn)億循環(huán)）/位的耐久力

●   耐久性：超過(guò)100萬(wàn)次的 E2PROM

具有更低的功耗

●   不要求采用充電泵電路 

●   功耗：低于1/400的E2PROM

表1. FRAM和其它器件間規(guī)格差異的比較表

表1. 與其它存儲(chǔ)器產(chǎn)品相比，F(xiàn)RAM的特性

*1) T=晶體管. C=電容器 

*2) 256Kb獨(dú)立的FRAM存儲(chǔ)器的技術(shù)規(guī)格 

*3) 讀寫(xiě)操作的總循環(huán)

富士通FRAM集成型產(chǎn)品

●   獨(dú)立存儲(chǔ)器（I²C/SPI/并行接口產(chǎn)品）

富士通半導(dǎo)體提供了獨(dú)立的存儲(chǔ)器，它具有FRAM的優(yōu)勢(shì)，包括非易失性、高速讀寫(xiě)、低功耗和更高的讀寫(xiě)耐久性。你可以將其用于各種應(yīng)用，如移動(dòng)裝置，OA設(shè)備，數(shù)字電器和銀行終端等。

●   獨(dú)立存儲(chǔ)器（I²C/SPI/并行接口產(chǎn)品）

●   適用于RFID的LSI

●   驗(yàn)證 IC

●   應(yīng)用

●   定制 LSI

●   技術(shù)支持