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          宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)最新推出 100 V eGaNFET產(chǎn)品,為業(yè)界樹立全新性能基準

          —— 新一代100 V 氮化鎵場效應晶體管(eGaN FET)是48 VOUT同步整流、D類音頻放大器、汽車信息娛樂及激光雷達系統(tǒng)的理想功率器件。
          作者: 時間:2020-09-24 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

          增強型硅基氮化鎵(eGaN)功率場效應晶體管和集成電路的全球領導廠商宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)最新推出的兩款100 V eGaN FET(EPC2218及EPC2204),性能更高并且成本更低,可立即發(fā)貨。采用這些先進氮化鎵器件的應用非常廣,包括同步整流器、D類音頻放大器、汽車信息娛樂系統(tǒng)、DC/DC轉(zhuǎn)換器(硬開關和諧振式)和面向全自動駕駛汽車、機械人及無人機的激光雷達系統(tǒng)。

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/202009/418713.htm

          EPC2218(3.2 mΩ、231 Apulsed)和EPC2204(6 mΩ、125 Apulsed)比前代eGaN FET的導通電阻降低了接近20%及提高了額定直流功率。與基準硅器件相比,這兩款氮化鎵器件的性能更高。

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          EPC2204的導通電阻降低了25%,但尺寸卻縮小了3倍。 與基準硅器件相比,其柵極電荷(QG)小超過50%,并且與所有eGaN FET一樣,沒有反向恢復電荷(QRR),從而使得D類音頻放大器可以實現(xiàn)更低的失真和更高效的同步整流器和電機驅(qū)動器。

          EPC首席執(zhí)行官兼共同創(chuàng)辦人Alex Lidow表示:“大家預計最新一代且性能優(yōu)越的100 V eGaN FET的價格會更高。但這些最先進的100 V晶體管的價格與等效老化器件相近。我們?yōu)樵O計工程師提供的氮化鎵器件的優(yōu)勢是性能更高、尺寸更小、散熱效率更高且成本相近。氮化鎵器件正在加速替代功率器件。”

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          100 V基準硅場效應晶體管與100 V 氮化鎵場效應晶體管的性能比較

          產(chǎn)品價格和供貨

          下表列出了產(chǎn)品及相關開發(fā)板和參考設計板的價格。

          產(chǎn)品型號
           EPC2218 
           EPC2204 

          整卷

          2500個的元件

          單價(美元)

          $2.09
          $0.99

          半橋開發(fā)板

           EPC90123 
           EPC9097 

          開發(fā)板的

          單價(美元)

          $118.75



          關鍵詞: MOSFET QRR QG

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