6月29日消息，據(jù)外媒報道，三星宣布，3nm制程技術(shù)已經(jīng)正式流片。據(jù)介紹，三星的3nm制程采用的是GAA架構(gòu)，性能優(yōu)于臺積電的3nm FinFET架構(gòu)。

　　報道稱，三星在3nm制程的流片進度是與新思科技合作完成的，目的在于加速為GAA架構(gòu)的生產(chǎn)流程提供高度優(yōu)化的參考方法。因為三星的3nm制程采用不同于臺積電或英特爾所采用的FinFET的架構(gòu)，而是采用GAA的結(jié)構(gòu)。因此，三星采用了新思科技的Fusion Design Platform。