Diodes 公司為金屬氧化物半導體場效晶體管 (MOSFET) 近日推出節(jié)省空間、高熱效率的 TOLL (PowerDI^?1012-8) 封裝，能在 175°C、100 瓦等級的 DMTH10H1M7STLWQ及 DMTH10H2M5STLWQ 下運作，另外，80 瓦等級的 DMTH8001STLWQ 金屬氧化物半導體場效晶體管 (MOSFET) 比 TO263 占據(jù)的 PCB 面積少了百分之二十。產(chǎn)品的特色是剖面外的模板只有 2.4 毫米厚。這特色讓產(chǎn)品成為高可靠性電力產(chǎn)品應用的最佳選擇，像是能量熱回收、積體啟動交流發(fā)電機以及電動汽車的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。

TOLL封裝采條帶鍵合封裝以達低封裝電阻及較低的寄生電感，使得 DMTH8001STLWQ、DMTH10H1M7STLWQ 和 DMTH10H2M5STLWQ 能夠在 10 W閘極驅(qū)動器下產(chǎn)生 1.3mΩ、1.4mΩ 和 1.68mΩ 的典型寄通電阻。此外，低寄生電感能改善 EMI 電路的表現(xiàn)。

由于焊接面積比 TO263 高出百分之五十，TOLL封裝能使接面的熱阻抗達 0.65°C/W， MOSFET可處理高達 270A 的電流。鍍錫的梯形凹槽鉛錠有助于自動光學檢測 (AOI) 流程。金屬氧化物半導體場效晶體管 (MOSFET) 皆符合 AEC-Q101 等級規(guī)范，由 IATF 16949  認證的設施制造，并支持 PPAP 文件。