羅姆SiC評估板測評:射頻熱凝控制儀測試
測試設(shè)備
本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/202203/432172.htm①直流電源
由于手上沒有高電壓的直流電源,只能使用一般的電源,且手上只有一個低壓直流穩(wěn)壓源,所以這穩(wěn)壓電源既用于給開發(fā)板電源供電,又用于半橋母線電源。
②電子負(fù)載
半橋電源電源的輸出負(fù)載,可恒流或者恒壓或者恒負(fù)載,測試電源的帶載能力非常好用。
③信號發(fā)生器
產(chǎn)生不同頻率的可調(diào)制的方波信號,用于MOS管的驅(qū)動
④示波器
觀察驅(qū)動信號、輸出信號、MOS管的波形
⑤萬用表
測量各測試點(diǎn)的電壓
⑥溫度巡檢儀
測量帶載后MOS管的溫度
測試拓?fù)?/strong>
將說明書中電路按照上述描述修改:兩個直流電源換成CBB電容,在Hvdc母線上加上12V電壓源。
成果展示
由于時間匆忙,只使用DC12V母線電壓,100KHz的開關(guān)頻率進(jìn)行測試。測試過程中沒有拍攝波形圖片,只是隨手記錄了一些測試結(jié)果,測試結(jié)果顯示:
1)SiC MOS管的溫升很低,150W輸出功率下,管子不需要散熱片
2)硬件死區(qū)時間設(shè)置非常好,比軟件可靠
3)各處波形更接近理想模型。
評估板試用感受
板子做的很精致,電路設(shè)計(jì)的也很用心,由于時間緊張沒有來得及與一般MOS管做對比,但是從我測試數(shù)據(jù)以及經(jīng)驗(yàn)來說,SiC MOS管確實(shí)比一般MOS管性能好很多,后對高要求設(shè)計(jì)中會優(yōu)先采用SiC MOS管。
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