色婷婷AⅤ一区二区三区|亚洲精品第一国产综合亚AV|久久精品官方网视频|日本28视频香蕉

          新聞中心

          EEPW首頁 > 光電顯示 > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 氮化硼對量子點(diǎn)光轉(zhuǎn)化LED流明效率的影響*

          氮化硼對量子點(diǎn)光轉(zhuǎn)化LED流明效率的影響*

          作者:易琰(廣州華商職業(yè)學(xué)院,廣東廣州511300) 時間:2022-06-17 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

          摘要:量子點(diǎn)光轉(zhuǎn)化 LED()是LED發(fā)展中的一種新型器件,然而,無法滿足實(shí)際應(yīng)用的要求。本文針對器件低的技術(shù)難題,在量子點(diǎn)光轉(zhuǎn)化涂層中摻入六方,利用其強(qiáng)散射效應(yīng),提高QCLED的。通過實(shí)驗(yàn)研究,得出氮化硼粒子的最優(yōu)摻入濃度,當(dāng)?shù)鹆W訐饺霛舛葹?.25wt%時,QCLED的流明效率與傳統(tǒng)QCLED相比增加了17.7%,達(dá)到了提升QCLED流明效率的目的。

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/202206/435297.htm

          關(guān)鍵詞:QCLED;流明效率;

          *基金項(xiàng)目:2019年廣東省普通高校青年創(chuàng)新人才類項(xiàng)目,項(xiàng)目編號:2019GKQNCX089

          發(fā)光二極管(light-emitting diodes,LED)是利用半導(dǎo)體價電子和空穴的帶間躍遷復(fù)合、將電能轉(zhuǎn)化為光能的新型發(fā)光器件。相比于鹵素?zé)襞c白熾燈光源,LED 具有節(jié)能、環(huán)保、安全、長壽命、高亮度等優(yōu)點(diǎn),在固態(tài)照明、背光顯示、交通、電子設(shè)備等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用,是二十一世紀(jì)最重要的發(fā)明技術(shù)之一。

          量子點(diǎn)(quantum dot,QD)是 1981 年由俄羅斯物理學(xué)家 Alexey I.Ekimov 發(fā)現(xiàn)的,它是一種由幾個原子組成的新型納米材料(三個維度尺寸均在 1-10 納米數(shù)量級),近年來在科研和工業(yè)生產(chǎn)領(lǐng)域引起了極大的關(guān)注 [1-2]。量子點(diǎn)材料顯現(xiàn)出的量子限域效應(yīng)、宏觀量子隧道效應(yīng)、表面效應(yīng),使其擁有獨(dú)特的光電特性。量子點(diǎn)對一定范圍內(nèi)短波光子具有強(qiáng)烈吸收能力,促使電子在分子軌道上發(fā)生躍遷并釋放長波光子,從而實(shí)現(xiàn)下轉(zhuǎn)化發(fā)光。量子點(diǎn) LED 是利用量子點(diǎn)發(fā)光特性與半導(dǎo)體發(fā)光原理相結(jié)合的一種新型量子點(diǎn)有機(jī)發(fā)光器件。相比于傳統(tǒng)熒光粉材料,具有更高熒光量子產(chǎn)率、窄半峰寬度、熒光壽命長以及波長可調(diào)等優(yōu)點(diǎn)的量子點(diǎn)下轉(zhuǎn)化發(fā)光材料受到了業(yè)界的重視,并顯現(xiàn)出取代傳統(tǒng)熒光粉下轉(zhuǎn)化材料的潛力。量子點(diǎn)光轉(zhuǎn)化 LED 器件(quantumdot converted LED,QCLED)是一種需要額外光源的下轉(zhuǎn)化發(fā)光技術(shù) [3],其發(fā)光模式是:量子點(diǎn)從 GaN 基藍(lán)光芯片等外界光源中獲得光能,量子點(diǎn)分子軌道上的電子吸收光能后從價帶躍遷至導(dǎo)帶,導(dǎo)帶底的電子和價帶頂?shù)目昭S即產(chǎn)生帶邊復(fù)合發(fā)光。

          QCLED 的生產(chǎn)需要大量的量子點(diǎn),但量子點(diǎn)的制備方法不成熟,尚未實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),生產(chǎn)成本較高。更為重要的問題是,QCLED 封裝中量子點(diǎn)的流明效率和穩(wěn)定性不理想 [4],量子點(diǎn)的粒徑小于 10 nm,難以有效分散封裝膠體內(nèi)部的光,藍(lán)光難以被量子點(diǎn)均勻吸收,轉(zhuǎn)化造成 QCLED 流明效率較低,如圖 1 所示。因此,提高量子點(diǎn)在封裝中的使用效率,即提高 QCLED 的流明效率,是一個值得研究的課題。

          1655455286549020.png

          有研究者將摻入到 UVLED(紫外 LED)的硅樹脂封裝中以提高光輸出功率。這種封裝與純硅封裝相比流明效率增加了 8.1%[5],因此我們推測摻入氮化硼也可以提高 QCLED 的流明效率,原理如圖 2 所示,氮化硼粒度遠(yuǎn)大于量子點(diǎn),其較強(qiáng)的散射能力有利于量子點(diǎn)對藍(lán)光的吸收和轉(zhuǎn)換,也利于光線的出射。

          1655455309989127.png

          1 實(shí)驗(yàn)部分

          本實(shí)驗(yàn)使用的 CdSe/ZnS 核殼量子點(diǎn)購買于北京北達(dá)聚邦科技有限公司,平均直徑為 10 nm,量子點(diǎn)產(chǎn)率(PLQY)大于 80%。高純度氮化硼納米粒子購買自上海巷田納米材料有限公司,為六方氮化硼,直徑約 120 nm,氮化硼粉末在陽光下呈白色,間接證實(shí)了氮化硼粒子對可見光的優(yōu)異反射性能。

          ①制備摻入氮化硼納米粒子 QCLED 步驟如下:

          制備濃度為 1.2 wt% 的 量子點(diǎn)膠體。首先,將 237.6 mg 量子點(diǎn)分散在少量正己烷中,充分溶解。然后,稱取 18 g 聚二甲基硅氧烷(PDMS)有機(jī)硅,加入量子點(diǎn)溶液中,將混合物放入攪拌機(jī),在室溫下攪拌 80 分鐘以上使正己烷完全揮發(fā)。最后加入 1.8 g 固化劑,獲 得濃度為 1.2 wt% 的量子點(diǎn)膠體。

          ②稱取氮化硼粒子,摻入到 1.2 wt% 的量子點(diǎn)膠體中,獲得 6 種濃度的氮化硼 - 量子點(diǎn)膠體:0 wt%、 0.05 wt%、0.1 wt %、0.25 wt %、0.5 wt %、1 wt %,將以上膠體放入真空脫泡機(jī),在室溫下真空脫泡。

          ③將真空脫泡后的氮化硼 - 量子點(diǎn)膠體注入模具型腔中,每種氮化硼粒子濃度制作一片薄膜,通過模具中間的墊圈控制薄膜厚度,墊圈厚度設(shè)計(jì)為 1 mm。膠體注入完后,將六組模具放入 100 ℃ 烤箱中固化 30 分鐘,待模具冷卻后,用工具把薄膜從模具中取出,得到六片厚度為 1 mm 的氮化硼 - 量子點(diǎn)光轉(zhuǎn)化涂層。

          ④對六片氮化硼 - 量子點(diǎn)光轉(zhuǎn)化涂層進(jìn)行裁剪,貼裝至藍(lán)光 LED 光源上,LED 光源的發(fā)射峰波長為 450 nm,器件頂面用透明硅膠進(jìn)行封裝,該硅膠與用于制作氮化硼 - 量子點(diǎn)光轉(zhuǎn)化涂層的 PDMS 一致,以消除折射率的差異。最后把 LED 芯片固定到作為電路板和散熱器的鋁基板上,用兩根銅導(dǎo)線引出正負(fù)極,完成遠(yuǎn)程型氮化硼 QCLED 的制作。

          ⑤使用積分球測試系統(tǒng)測試遠(yuǎn)程型氮化硼 QCLED 的光通量及流明效率,測試電流為 200 mA,分析實(shí)驗(yàn)結(jié)果,得出結(jié)論。

          2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果討論

          在可見光譜中,眼睛對波長為 555 nm 的黃光最敏感,而對光譜兩側(cè)的光則不那么敏感,在同等輻射通量下,人眼對高敏感度光的能量感受更強(qiáng)烈。由于人眼為器件發(fā)光效果的直接受體,因此用光通量來表示以人眼敏感度為基準(zhǔn)的輻射能量,它等于單位時間內(nèi)某一波段的輻射能量和該波段的相對視見率的乘積 [6]。摻入不同 濃度納米氮化硼的 QCLED 器件的光通量(流明)以及 流明效率如圖 3 所示,上述測量使用積分球進(jìn)行測試。 當(dāng)納米氮化硼的摻入濃度為 0.25 wt% 時, 氮 化 硼 QCLED 器件的光通量和流明效率達(dá)到了峰值(光通量 41.08 lm,流明效率 62.61 lm/W),比無納米氮化硼摻 雜的傳統(tǒng) QCLED 器件的數(shù)值(光通量 34.89 lm,流明 效率 53.32 lm/W)高了 17.7%。該結(jié)果表明,納米氮化 硼的摻雜帶來了藍(lán)光散射能力的提升,使更多的藍(lán)光能 夠被量子點(diǎn)吸收。同時,因?yàn)閮?nèi)全反射現(xiàn)象的減弱,量 子點(diǎn)轉(zhuǎn)化的黃光能夠更有效地進(jìn)行出射,避免了量子點(diǎn) 對黃光的重吸收。二者的共同作用使得器件的黃藍(lán)比得 到了有效提升,光線的主要能量更多的分布在了人眼所敏感的黃光區(qū),因此器 件的光通量和流明效率都得到了提升。當(dāng)納米氮化硼的 摻雜濃度高于 0.25 wt% 時,氮化硼 QCLED 器件的光 通量、流明效率逐漸下降,這是因?yàn)樵谶^高的納米氮化 硼濃度下,封裝膠體內(nèi)部的后向散射嚴(yán)重,器件整體輻 射通量下降過多,在這種情況下,高黃藍(lán)比也不能使器 件的光通量提升,與此同時,氮化硼 QCLED 的流明效 率也表現(xiàn)出了相似的規(guī)律。

          image.png

          3 結(jié)語

          實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)表明,在不過度影響器件輻射通量的情況下,在量子點(diǎn)光轉(zhuǎn)化涂層中摻入低濃度的氮化硼納米粒子,能有效提升遠(yuǎn)程型 QCLED 的光通量和流明效率。由于量子點(diǎn)的價格十分昂貴,通過摻入氮化硼納米粒子減少 QCLED 中量子點(diǎn)的用量,提高器件的光通量和流明效率,這種方法具有較好的應(yīng)用前景。

          參考文獻(xiàn):

          [1] JIN Y,GAO X.Plasmonic fluorescent quantum dots [J].Nature Nanotechnol,2009,4(9):571-576.

          [2] TALAPIN D V,STECKEL J.Quantum dot light-emitting devices[J].MRS Bull,2013, 38(9):685-695.

          [3] 朱永明.量子點(diǎn)轉(zhuǎn)化 LED 的光譜與封裝結(jié)構(gòu)優(yōu)化[D].武漢:華中科技大學(xué), 2016.

          [4] XIE B,HU R,YU X,et al.Effect of packaging method on performance of light-emitting diodes with quantum dot phosphor[J].IEEE Photon Technol Lett. 2016,28(10):1115- 1118.

          [5] YAN C M,ZHAO Q L,Li J S,et al.Improving optical performance of ultraviolet light-emitting diodes by Incorporating boron nitride nano particles[J].Electronics,2019:1107-1114.

          [6] ZAK P P,TROFI N N.Spectral dependence of visual functions when comparing characteristics of white light emitting diodes [J].Light & Eng.2014, 22(1): 57-60.

          (注:本文轉(zhuǎn)自《電子產(chǎn)品世界》雜志2022年6月期)



          評論


          相關(guān)推薦

          技術(shù)專區(qū)

          關(guān)閉