三星電子今日否認(rèn)了韓國(guó)當(dāng)?shù)孛襟w《東亞日?qǐng)?bào)》有關(guān)延后3nm量產(chǎn)的報(bào)道?！稏|亞日?qǐng)?bào)》此前報(bào)道稱，由于良率遠(yuǎn)低于目標(biāo)，三星3nm量產(chǎn)將再延后。

　　三星一位發(fā)言人通過電話表示，三星目前仍按進(jìn)度于第二季度開始量產(chǎn)3nm芯片。

　　據(jù)了解到，昨天韓媒BusinessKorea消息稱，三星為趕超臺(tái)積電，加碼押注3nm GAA技術(shù)，并計(jì)劃在2025年量產(chǎn)以GAA工藝為基礎(chǔ)的2nm芯片。

　　消息稱，三星在6月初將3nm GAA工藝的晶圓用于試生產(chǎn)，成為全球第一家使用GAA技術(shù)的公司。三星希望通過技術(shù)上的飛躍，快速縮小與臺(tái)積電的差距。3nm工藝將半導(dǎo)體的性能和電池效率分別提高了15%和30%，同時(shí)與5nm工藝相比，芯片面積減少了35%。

　　專家稱，如果三星在基于GAA的3nm工藝中保證了穩(wěn)定的產(chǎn)量，它就能成為代工市場(chǎng)的游戲規(guī)則改變者。臺(tái)積電預(yù)計(jì)將從2nm芯片開始引入GAA工藝，并在2026年左右發(fā)布第一個(gè)產(chǎn)品。對(duì)于三星電子來說，未來三年將是一個(gè)關(guān)鍵時(shí)期。