一如之前預(yù)告的那樣，三星在今天正式宣布了3nm工藝量產(chǎn)，這意味著三星在新一代工藝上搶先了臺積電量產(chǎn)，并且首次量產(chǎn)GAA晶體管工藝，技術(shù)上也是全面壓制了臺積電，后者要到2nm節(jié)點才會用上GAA工藝。

根據(jù)三星所說，在3nm芯片上，其放棄了之前的FinFET架構(gòu)，采用了新的GAA晶體管架構(gòu)，大幅改善了芯片的功耗表現(xiàn)。

與5nm相比，第一代3nm工藝能夠降低45%的功耗，減少16%的面積，并同時提升23%的性能，第二代的3nm工藝可以降低50%的功耗，提升30%的性能，同時面積減少35%，效果更好。

對于三星搶先量產(chǎn)3nm GAA工藝，韓國媒體及專家自己表態(tài)積極，但臺灣的分析師態(tài)度就不一樣了，工研院產(chǎn)科國際所研究總監(jiān)楊瑞臨認為三星就是趕鴨子上架。

之所以這么評價，楊瑞臨認為GAA晶體管生態(tài)目前完全沒有成熟，相關(guān)的蝕刻及測量問題還沒有解決，材料、化學(xué)品也要提升。

此外，他不看好三星3nm GAA工藝的原因還跟成本有關(guān)，認為三星現(xiàn)在這樣做會增加成本，交付期延長，良率提升慢，品控也不見得好，進而導(dǎo)致三星難以對客戶報價，目前3nm GAA工藝只有三星自己在用，不會有外部的客戶使用。