淘汰FinFET 升級革命性GAA晶體管:臺積電重申2025量產(chǎn)2nm
在今天的說法會上,臺積電透露了新一代工藝的進(jìn)展,3nm工藝已經(jīng)開始量產(chǎn),2023年放量,有多家客戶下單,再下一代的是2nm工藝,臺積電CEO重申會在2025年量產(chǎn)。
本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/202301/442627.htm與3nm工藝相比,臺積電2nm工藝會有重大技術(shù)改進(jìn), 放棄FinFET晶體管,改用GAA晶體管, 后者是面向2nm甚至1nm節(jié)點(diǎn)的關(guān)鍵,可以進(jìn)一步縮小尺寸。
相比3nm工藝,在相同功耗下, 2nm速度快10~15%;相同速度下,功耗降低25~30%。
不過2nm工藝的晶體管密度可能會擠牙膏了,相比3nm只提升了10%,遠(yuǎn)低于以往至少70%的晶體管密度提升。
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