領先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美（onsemi），推出一系列全新超高能效1200V絕緣柵雙極型晶體管（IGBT），具備業(yè)界領先的性能水平，最大程度降低導通損耗和開關(guān)損耗。這些新器件旨在提高快速開關(guān)應用能效，將主要用于能源基礎設施應用，如太陽能逆變器、不間斷電源（UPS）、儲能和電動汽車充電電源轉(zhuǎn)換。

新的1200V溝槽型場截止（FS7）IGBT在高開關(guān)頻率能源基礎設施應用中用于升壓電路提高母線電壓，及逆變回路以提供交流輸出。FS7器件的低開關(guān)損耗可實現(xiàn)更高的開關(guān)頻率，從而減少磁性元件的尺寸，提高功率密度并降低系統(tǒng)成本。對于高功率能源基礎設施應用，F(xiàn)S7器件的正溫度系數(shù)使其能夠輕松實現(xiàn)并聯(lián)運行。

安森美高級副總裁兼電源方案部先進電源分部總經(jīng)理Asif Jakwani說：“由于能效在所有高開關(guān)頻率的能源基礎設施應用中極為關(guān)鍵，所以我們專注于降低關(guān)斷損耗，這新系列的IGBT提供極佳的開關(guān)性能，其業(yè)界領先的性能使設計人員能夠在要求非常高的高功率能源基礎設施應用中滿足最具挑戰(zhàn)的能效要求。

FS7器件包括高速（S系列）和中速（R系列）版本。所有器件都含一個優(yōu)化的二極管，實現(xiàn)低VF，減少開關(guān)損耗，可在高達175℃的結(jié)溫（TJ）下工作。S系列器件如FGY75T120SWD的開關(guān)性能領先市場現(xiàn)有1200V IGBT。經(jīng)7倍額定電流的測試，這種高可靠性的IGBT產(chǎn)品展現(xiàn)出出類拔萃的抗閂鎖能力。R系列針對以導通損耗為主的中速開關(guān)應用如電機控制和固態(tài)繼電器進行了優(yōu)化。 FGY100T120RWD在100 A時VCESAT低至1.45V，比前一代器件降低了0.4V。

FS7器件可采用TO247-3L, TO247-4L, Power TO247-3L等封裝，也可提供裸片，為設計人員提供靈活性和設計備選配置。