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          先進(jìn)封裝推動 NAND 和 DRAM 技術(shù)進(jìn)步

          作者:Yole 時間:2023-04-21 來源:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫 收藏

          據(jù)知名半導(dǎo)體分析機(jī)構(gòu) Yole 分析,先進(jìn)極大地推動了內(nèi)存行業(yè),推動了增長和創(chuàng)新。

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/202304/445860.htm

          總體來看,到 2028 年,整體內(nèi)存收入預(yù)計將達(dá)到 318 億美元。

          將以 2022-2028 年的 CAGR 在 13% 左右增長,2028 年達(dá)到 207 億美元左右,而 的增長速度更快,2022-2028 年的 CAGR 在 17% 左右,預(yù)計其封裝收入將達(dá)到到 2028 年約為 89 億美元。

          這其中,引線鍵合主導(dǎo)著存儲器封裝市場,其次是倒裝芯片。全球半導(dǎo)體封裝測試服務(wù)(OSAT)占內(nèi)存封裝收入的三分之一以上。

          此外,yole 還預(yù)測了內(nèi)存封裝的總收入。到 2022 年,整體獨立內(nèi)存收約為 1440 億美元,包含測試的整體存儲器封裝收入預(yù)計為 151 億美元,相當(dāng)于整體獨立存儲器收入的 10% 左右。Yole Group 旗下的 Yole Intelligence 預(yù)測,這一部分 2028 年收入將達(dá)到 318 億美元,年復(fù)合年均增長率(2022 -2028)為 13%。

          Yole 分析到,先進(jìn)封裝已成為 技術(shù)進(jìn)步的關(guān)鍵推動力。在不同的先進(jìn)封裝方法中,混合鍵合已成為制造更高位密度和更高性能存儲設(shè)備的最有前途的解決方案。

          無論其使用目的是為了實現(xiàn)更高的性能還是更小的外形尺寸,先進(jìn)封裝都是內(nèi)存價值方程式中越來越重要的因素。從 2022 年約占內(nèi)存封裝收入的 47% 到 2028 年,先進(jìn)封裝將占到 77%。

          引線鍵合是主要的封裝方法。它廣泛用于移動內(nèi)存和存儲應(yīng)用,其次是倒裝芯片封裝,在 市場中不斷擴(kuò)大。

          采用具有短互連的倒裝芯片封裝對于實現(xiàn)每個引腳的高帶寬至關(guān)重要。雖然引線鍵合封裝可能仍能滿足 DDR 5 的性能要求,但分析師預(yù)計倒裝芯片封裝將成為 DDR6 的必備品。

          引線框架仍然廣泛用于 NOR 閃存和其他存儲器技術(shù),并且是單位出貨量最高的封裝。

          WLCSP 越來越多地被用于需要小尺寸的消費/可穿戴應(yīng)用,例如真正的無線立體聲耳塞。它存在于 NOR 閃存、EEPROM 和 SLC 等低密度存儲設(shè)備中。

          Yole Intelligence 存儲器高級技術(shù)和市場分析師表示:「先進(jìn)封裝在內(nèi)存業(yè)務(wù)中變得越來越重要,倒裝芯片封裝成為數(shù)據(jù)中心和個人計算機(jī)中 DRAM 模塊的標(biāo)準(zhǔn)。在人工智能和高性能計算應(yīng)用的推動下,對 HBM 的需求正在快速增長?;旌湘I合是 3D NAND 縮放路徑的一部分?!?/span>

          先進(jìn)封裝大勢所趨

          先進(jìn)封裝市場增長顯著,為全球封測市場貢獻(xiàn)主要增量。隨著電子產(chǎn)品進(jìn)一步朝向小型化與多功能發(fā)展,芯片尺寸越來越小,芯片種類越來越多,其中輸出入腳數(shù)大幅增加,使得 3D 封裝、扇形封裝 (FOWLP/PLP)、微間距焊線技術(shù)以及系統(tǒng)封裝 (SiP) 等技術(shù)的發(fā)展成為延續(xù)摩爾定律的最佳選擇之一,先進(jìn)封裝技術(shù)在整個封裝市場的占比正在逐步提升。據(jù) Yole 數(shù)據(jù)預(yù)計 2026 年市場規(guī)模增至 475 億美元,占比達(dá) 50%,2020-2026E CAGR 約為 7.7%,優(yōu)于整體封裝市場和傳統(tǒng)封裝市場成長性。

          半導(dǎo)體廠商擴(kuò)大資本支出,強(qiáng)力布局先進(jìn)封裝。據(jù) Yole 數(shù)據(jù),2021 年半導(dǎo)體廠商在先進(jìn)封裝領(lǐng)域的資本支出約為 119 億美元,英特爾、臺積電、日月光、三星等分別投入 35、30、20、15 億美元。未來,隨著 HPC、汽車電子、5G 等領(lǐng)域的先進(jìn)封裝需求增加,將帶動先進(jìn)封測需求,提前布局廠商有望率先受益。

          對國內(nèi)先進(jìn)封裝行業(yè)的各個專利申請人的專利數(shù)量進(jìn)行統(tǒng)計,排名前列的公司依次為:長電科技、生益科技、通富微電、國星光電、寒武紀(jì)、深科技、正業(yè)科技等。

          國內(nèi)企業(yè)方面,長電科技表示,目前先進(jìn)封裝已成為公司的主要收入來源,先進(jìn)封裝生產(chǎn)量 34,812.86 百萬顆,占到所有封裝類型的 45.5%,其中主要來自于系統(tǒng)級封裝,倒裝與晶圓級封裝等類型。

          通富微電表示,公司緊緊抓住市場發(fā)展機(jī)遇,面向未來高附加值產(chǎn)品以及市場熱點方向,在高性能計算、存儲器、汽車電子、顯示驅(qū)動、5G 等應(yīng)用領(lǐng)域,大力開發(fā)扇出型、圓片級、倒裝焊等封裝技術(shù)并擴(kuò)充其產(chǎn)能,在 2.5D、3D 封裝領(lǐng)域在國內(nèi)處于領(lǐng)先地位。

          天水華天表示,公司將繼續(xù)堅持以市場為導(dǎo)向的技術(shù)創(chuàng)新,開展 2.5D Interpose FCBGA、FO FCBGA、3D FO SiP 等先進(jìn)封裝技術(shù)。同時,未來將聚焦于大力發(fā)展 MCM (MCP)、SiP、FC、TSV、MEMS、Bumping、Fan-Out、WLP 等先進(jìn)封裝技術(shù)和產(chǎn)品。



          關(guān)鍵詞: 封裝 NAND DRAM

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