3D NAND 堆疊可超 300 層，鎧俠解讀新技術(shù)
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5 月 5 日消息， 鎧俠和西數(shù)展示最新的技術(shù)儲備，雙方正在努力實(shí)現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設(shè)備以及具有超過 300 條字線的 3D NAND IC。
本文引用地址：http://cafeforensic.com/article/202305/446244.htm根據(jù)其公布的技術(shù)論文，鎧俠展示了一種八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件，有超過 210 個有源層和 3.2 GT/s 接口，可提供 205 MB/s 的程序吞吐量，讀取延遲縮小到 40 微秒。
此外，鎧俠和西部數(shù)據(jù)還合作開發(fā)具有超過 300 個有源字層的 3D NAND 器件，這是一個具有實(shí)驗(yàn)性的 3D NAND IC，通過金屬誘導(dǎo)側(cè)向結(jié)晶（MILC）技術(shù)提高通道的結(jié)晶質(zhì)量，再利用尖端的鎳鑄方法來消除硅材料中的雜質(zhì)和缺陷。
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