一種高精度離散時間Σ?Δ調(diào)制器的設計*
*基金項目:遼寧省教育廳青年科技人才“育苗”項目,項目編號:LQ2019019
本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/202305/447193.htm0 引言
隨著人們生活水平的不斷提高,人們越來越重視自身的健康狀況。但人體健康狀況的檢測無法通過直接觀察得到,需要通過精密的醫(yī)療儀器對各種信號進行提取如心率、腦電等。人體生物電信號大多為幾百赫茲的模擬信號,無法直接對其處理,需要先將其轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號,所以設計一款應用于低信號帶寬的高精度Σ ? Δ 調(diào)制器是十分必要的[1]。文獻[2]采用五階一位量化結(jié)構(gòu),調(diào)制器的信噪比為116.5 dB。文獻[3]采用MASH2-2結(jié)構(gòu),調(diào)制器的有效位數(shù)為17.18 bit。文獻[4]采用三階四位量化器結(jié)構(gòu),調(diào)制器的精度為17.68 bit。目前在低信號帶寬下的Σ ? Δ 調(diào)制器的有效位數(shù)大多低于20bit,且高精度調(diào)制器結(jié)構(gòu)大多采用三階以上和多比特量化器的結(jié)構(gòu)。由于單環(huán)高階調(diào)制器所以的積分器在同一環(huán)路,階數(shù)越高,級聯(lián)積分器的高頻段增益越大,導致系統(tǒng)不穩(wěn)定。而多比特量化器位數(shù)越高,需要的電路越復雜,功耗越大,同時多位的反饋DAC 會降低系統(tǒng)的線性度。本文綜合精度、功耗、電路線性度等因素,利用SDToolBox 工具包在Simulink 環(huán)境下,設計一款分辨率為24 bit 的三階一位量化前饋結(jié)構(gòu)的Σ ? Δ 調(diào)制器,并基于0.18 μm MOS 工藝設計晶體管電路。
1 調(diào)制器的行為級建模與仿真
1.1 調(diào)制器原理
高階調(diào)制器簡易電路框圖如圖1所示,該調(diào)制器由環(huán)路濾波器、量化器以及數(shù)模轉(zhuǎn)換器構(gòu)成。其中X (n)為輸入信號,Q(n)為量化噪聲,Y(n)為調(diào)制器的輸出。
對整個調(diào)制器結(jié)構(gòu)進行分析可得:
式(1)可知,當 H(z) 足夠大時, 而趨于0,輸出信號近似等于輸入信號,從而最小化量化噪聲,提高系統(tǒng)的信噪比。在實際應用中,輸入信號頻率較低,過采樣后大部分的量化噪聲位于信號帶寬之外,故H(z)為低通特性的濾波器即滿足噪聲整形要求。
1.2 架構(gòu)的選擇
理論上調(diào)制器的最大信噪比為:
式中,N 為量化位數(shù)、OSR 為過采樣率、L 為調(diào)制器階數(shù)。由式(2)可知使用多位量化器、提高過采樣率及采用更高階調(diào)制器可提高調(diào)制器的精度。多位量化器可以在低過采樣率下獲得較高的信噪比,但需要設計額外的數(shù)字矯正電路用于消除量化器的非線性,不僅使電路設計更加復雜,還引入了額外功耗。所以本設計采用單bit量化器。根據(jù)文獻[5] 可知:N 階單bit 無零極點優(yōu)化的Σ ? Δ 調(diào)制器可以實現(xiàn)的最大信號與量化噪聲之比(SQNR)值與階數(shù)N 及過采樣率OSR 有關,如圖2 所示。
圖2 N階1位調(diào)制器的SQNR限制
若調(diào)制器的有效位數(shù)達到24 bit,則SNR 需達到147 dB??紤]系統(tǒng)的穩(wěn)定性,采用三階、過采樣率為512 的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)。與反饋結(jié)構(gòu)相比,前饋結(jié)構(gòu)的輸入信號直接加到量化器的輸入端,積分器不含輸入信號,因此對積分器的動態(tài)范圍和線性度要求也相對寬松,非常適合低電源電壓使用。設計采用的三階前饋結(jié)構(gòu)如圖3所示。
圖3 中,ai,bi,ci,xi(i=1,2,3)為積分器輸出的反饋系數(shù),輸入前饋系數(shù),積分器增益系數(shù)和積分器的輸出。
1.3 系數(shù)的確定
使用SDToolBox 包中的synthesizeNTF 函數(shù)得到初始的噪聲傳遞函數(shù),具體使用方式如下:
NTF = synthesizeNTF(order = 3,osr = 512,0,H_ inf=1.5,0)
order:調(diào)制器的階數(shù),osr :過采樣率,H_ inf :NTF的最大帶外增益。根據(jù)Lee 準則[6],NTF在所有頻率上的最大增益小于1.5,則一位量化調(diào)制器多半是穩(wěn)定的,故H_inf=1.5。使用realizeNTF輔助函數(shù)求出相關系數(shù),省去繁瑣的計算過程。由于比例系數(shù)決定電容值的比,因此在設計時需要考慮電路級設計中較為容易實現(xiàn)的電容值比并確保積分器的輸出擺幅在預期范圍內(nèi)。若第1級積分器的輸出擺幅過大,則需要將第1 級積分器的增益系數(shù)減小為原來的以此來降低第1 級積分器的輸出擺幅。同時為了確保傳遞函數(shù)及x2保持不變,需將后模塊的系數(shù)需要放大至原來的x倍。通過scaleABCD函數(shù)對綜合后的參數(shù)進行動態(tài)范圍縮放,再經(jīng)反復仿真驗證,調(diào)制器系數(shù)如表1 所示。
進一步考慮動態(tài)縮放后系數(shù)值的可行性,將系數(shù)值代入到系統(tǒng)中,利用SDToolBox 工具包對系統(tǒng)的穩(wěn)定性進行分析,得到的結(jié)果如圖4 所示。由圖4 可知,z = 1 時,有1 個零點且3 個極點的位置均在單位圓內(nèi),該系統(tǒng)是穩(wěn)定的。
圖4 零極點分布
理想情況下調(diào)制器輸出的頻譜圖如圖5所示。當輸入信號幅度為0.45 V 時,調(diào)制器的有效位數(shù)為24.17 bit,滿足設計要求。
1.4 非理想化建模
對非理想化因素如時鐘抖動、開關熱噪聲、運放的非線性和噪聲等進行建模驗證電路性能。
1.4.1 時鐘抖動
Σ ? Δ調(diào)制器主要是由開關電容電路構(gòu)成,而開關電容電路是通過控制時鐘的高低電平的轉(zhuǎn)換完成采樣和積分操作。時鐘的電平變化不是立即完成的,存在時鐘抖動現(xiàn)象。時鐘抖動現(xiàn)象會直接導致均勻的周期性采樣變得非均勻。設輸入信號是幅度為A,頻率為fin的正弦波,時間偏差范圍為[?δ,δ ],其時鐘抖動[6]:
加入時鐘抖動模型,得到在不同時鐘抖動下,調(diào)制器的SNR 如圖6 所示。
時鐘抖動對SNR 的影響有限,即使時鐘抖動高達1 000 ps,調(diào)制器的SNR 僅下降了7 dB。
1.4.2 KT/C熱噪聲
開關熱噪聲是影響調(diào)制器性能的重要因素,而開關電容電路的熱噪聲主要是由采樣電容決定的。第一級積分器的采樣電容決定了調(diào)制器的噪聲底板,其等效熱噪聲[8]為
式中, k為玻爾茲曼常數(shù);T為絕對溫度; cs為采樣電容。加入KT/C熱噪聲模型,得到采樣電容對調(diào)制器性能的影響如圖7 所示。
由圖7 可知,采樣電容為4 pf 時,調(diào)制器的SNDR下降至136 dB。增加采樣電容至16 pf,調(diào)制器的SNR為139 dB 并沒有太大的提高,反而會增加芯片面積、增加運算放大器的設計難度。
1.4.3 運算放大器的非理想因素
運算放大器是積分器的核心模塊,其性能決定了整個調(diào)制器所能達到的最高指標。運算放大器的非理想因素包含有限增益、有限帶寬與輸出擺幅、壓擺率和噪聲等。由于有限直流增益的影響,采樣電容中的電荷無法完全轉(zhuǎn)移到積分電容中,積分器發(fā)生電荷泄漏,從而改變信號傳遞函數(shù)的極點位置,造成系統(tǒng)的不穩(wěn)定。而有限的單位增益帶寬會影響小信號的建立時間,在第n 個積分周期,開關電容型積分器的輸出電壓為:
式(5)中,α 與積分泄露有關;τ 為積分器的時間常數(shù),與運算放大器的單位增益帶寬有關。圖8 是不同增益下,調(diào)制器信噪比的情況。
根據(jù)圖8 可知,在運算放大器的直流增益大于60 db,調(diào)制器的SNR 穩(wěn)定在140 dB 以上。
1.5 Simulink仿真
對上述的非理想因素進行仿真。通過反復仿真驗證,確定的參數(shù)如表2 所示。
考慮非理想因素時,三階調(diào)制器的輸出頻譜如圖9所示。SNDR為135.6 dB, 調(diào)制器的有效位數(shù)為22.23 bit。
2 cadence下晶體管級電路的設計與仿真
2.1 電路設計
采用開關電容電路實現(xiàn)的單環(huán)三階一位量化Σ ? Δ調(diào)制器整體框圖如圖10 所示。整個電路系統(tǒng)工作在兩項非交疊時鐘下,為了降低溝道電荷注入效應,對CK1、CK2 進行延時CK1D、CK2D。當CK1 為高電平、CK2 為低電平時,系統(tǒng)工作在采樣狀態(tài);CK2 為高電平、CK1 為低電平時,系統(tǒng)工作在積分狀態(tài)。
2.1.1 全差分放大器
基于0.18 μm CMOS 工藝設計電路。根據(jù)表2 中非理想取值可知,積分器中的運算放大器需要60 dB 以上的直流增益來滿足精度要求。單極共源共柵結(jié)構(gòu)運算放大器相比兩級運算放大器沒有那么高的直流增益,但也能輕松到達60 dB 的增益,前者有著更大的增益帶寬積,后者會引入額外的零極點,導致電路系統(tǒng)的不穩(wěn)定。而折疊式共源共柵放大器相較于套筒式結(jié)構(gòu),有著較大輸入共模范圍和輸出擺幅,且輸入電壓范圍和輸出電壓范圍沒有關聯(lián),故采用折疊式共源共柵放大器結(jié)構(gòu),具體結(jié)構(gòu)如圖11 所示。
圖11 中左邊部分為折疊共源共柵的電路結(jié)構(gòu),右邊為開關電容共模反饋。開關電容共模反饋電路控制運放的輸出共模電壓,以獲得較大的動態(tài)范圍。同時開關電容共模反饋和開關電容積分器使用同一個時鐘,不需要額外設計時鐘,簡化了電路結(jié)構(gòu)。圖12 為全差分運算放大器在不同溫度與工藝角下的幅頻特性曲線圖。
圖12 運算放大器幅頻特性仿真結(jié)果
運算放大器的直流增益為72 dB 以上,增益帶寬積為15 MHz 以上,相位裕度為88° 。
2.1.2 量化器
Σ ? Δ調(diào)制器的噪聲整形技術會對量化器的非理想因素進行處理,因此對量化器的性能要求并不高。一位量化器采用速度快、功耗低的Class-AB 鎖存比較器和SR鎖存器,其結(jié)構(gòu)如圖13 所示。當CLK 為低電平時,比較器處于復位狀態(tài)。當CLK 為高電平時,比較器處于比較狀態(tài)。
2.2 仿真結(jié)果
使用spectre 仿真工具進行瞬態(tài)仿真,將仿真結(jié)果導入Matlab 的PSD 模塊計算結(jié)果。輸入信號幅度為0.5 V、頻率為375 Hz、過采樣率為512 GSa/s,在不同溫度與工藝角下,調(diào)制器的信噪比結(jié)果如下表3。
在常溫和TT 工藝角下,電路仿真結(jié)果如圖14 所示。調(diào)制器的信噪比為133.5 dB,有效位數(shù)為21.89 bit。
2.3 結(jié)果對比
表4 為近幾年國外內(nèi)設計的低信號帶寬下Σ ? Δ 調(diào)制器的對比情況。由表可知:本文在未采用三階以上結(jié)構(gòu)及多位量化器的情況下,僅采用最簡單的三階一位量化器結(jié)構(gòu),就實現(xiàn)了21.89 bit 的有效位數(shù),大大地降低了電路設計的復雜性。
3 結(jié)束語
本文設計了一款信號帶寬為1 kHz 的單環(huán)三階一位量化前饋結(jié)構(gòu)的Σ ? Δ 調(diào)制器。進行了非理想因素的行為級仿真,確定電路子模塊的性能參數(shù)。在1.8 V 電源電壓下,采用0.18 μm CMOS 工藝實現(xiàn)晶體管級電路設計。仿真結(jié)果表明:電路的有效位數(shù)為21.89 bit,實現(xiàn)了低信號帶寬場合下的高精度轉(zhuǎn)換。可廣泛應用于心電圖測量、腦電圖測量等醫(yī)療領域。
參考文獻:
[1] 張笑天. 基于傳感應用的高精度sigma-delta模數(shù)轉(zhuǎn)換器的關鍵技術研究與設計[D].西安:西安電子科技大學,2021.
[2] 李明昊,楊擁軍,任臣,等.應用于MEMS慣性器件的高精度Σ-Δ調(diào)制器[J].半導體技術,2021,46(12):926-931.
[3] 沈曉峰,李梁,付東兵,等.基于MASH結(jié)構(gòu)的24 bit Σ-Δ A/D轉(zhuǎn)換器[J].微電子學,2022,52(2):223-228.
[4] 李春斌. 24 bit-2 kHz高精度Sigma-Delta調(diào)制器系統(tǒng)設計與研究[D].西安:西安電子科技大學,2021.
[5] R. SCHREIER. An empirical study of high-order singlebit delta-sigma modulators[J]. IEEE Transactions on Circuits and Systems I Regular Papers,1993,40(8).
[6] G YIN, W SANSEN. A high-frequency and highresolution fourth-order Sigma-Delta A/D converter in BiCMOS technology[J].IEEE Journal of Solid-State Circuits,29:857-865,August 1994.
[7] NDJOUNCHET. Delta-sigma data converters [M]. BocaRaton:CRCPress, 2011.
[8] SCHREIER R. An empirical study of high-order single-bit delta- sigma modulators [J]. IEEE transactions on circuits and systems II:analog and digital signal processing,1993,40(8):461-466.
[9] 尹勇生,鄧春菲,陳紅梅.高精度Sigma-Delta調(diào)制器的建模設計[J].微電子學與計算機,2016,33(5):28-32.
[10] BAI W, WANG Y, ZHU Z. A 0.8-V 1.7-μW25.9-fJ continuous-time Sigma-delta modulator for biomedical a p p l i c a t i o n s [ C ] / / B i o m e d i c a l C i r c u i t s a n d S y s t e m s Conference. IEEE, 2017:248-251.
[11] 王冠然. 低速高精度Sigma-Delta調(diào)制器的研究與設計[D].大連:大連理工大學,2021.
[12] SUNG G M, LEE C T, XIAO X, et al. 4 th-Order Switched-Current Multistage-Noise-Shaping Delta-Sigma Modulator With a Simplified Digital Noise-Cancellation Circuit[J]. IEEE Access,2020,8:168589-168600.
(本文來源于《電子產(chǎn)品世界》雜志2023年5月期)
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