AI大勢(shì)下，高帶寬內(nèi)存 (HBM) 從幕后走向臺(tái)前，備受存儲(chǔ)市場(chǎng)關(guān)注。近期，媒體報(bào)道下一代HBM將迎來重大變化，HBM4內(nèi)存堆棧將采用2048位內(nèi)存接口 。

自2015年以來，所有HBM堆棧都采用1024位接口。接口寬度從每堆棧1024位增加到每堆棧2048位，足以可見HBM4具備的變革意義。

另據(jù)韓媒報(bào)道，三星為了掌握快速成長(zhǎng)的HBM市場(chǎng)，將大幅革新新一代產(chǎn)品制程技術(shù)，預(yù)計(jì)2026年量產(chǎn)HBM4。

盡管HBM4將有大突破，但它不會(huì)很快到來。當(dāng)前HBM市場(chǎng)以HBM2e為主，未來HBM3將挑起大梁。

全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢調(diào)查顯示，當(dāng)前HBM市場(chǎng)主流為HBM2e，包含NVIDIA A100/A800、AMD MI200以及多數(shù)CSPs自研加速芯片皆以此規(guī)格設(shè)計(jì)。同時(shí)，為順應(yīng)AI加速器芯片需求演進(jìn)，各原廠計(jì)劃于2024年推出新產(chǎn)品HBM3e，預(yù)期HBM3與HBM3e將成為明年市場(chǎng)主流。

以HBM不同世代需求比重而言，據(jù)TrendForce集邦咨詢表示，2023年主流需求自HBM2e轉(zhuǎn)往HBM3，需求比重分別預(yù)估約是50%及39%。隨著使用HBM3的加速芯片陸續(xù)放量，2024年市場(chǎng)需求將大幅轉(zhuǎn)往HBM3，而2024年將直接超越HBM2e，比重預(yù)估達(dá)60%，且受惠于其更高的平均銷售單價(jià)（ASP），將帶動(dòng)明年HBM營(yíng)收顯著成長(zhǎng)。