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          onsemi NCD57000 IGBT MOSFET 驅(qū)動IC 應(yīng)用于工業(yè)馬達(dá)控制器

          作者: 時間:2023-09-19 來源:大大通 收藏

          1.方案介紹:

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/202309/450712.htm

          是一種具有內(nèi)部電流隔離的高電流單通道,專為高功率應(yīng)用的高系統(tǒng)效率和高可靠性而設(shè)計(jì)。
          其特性包括互補(bǔ)的輸入端(IN+ 和 IN-)、漏極開路或故障偵測功能、有源米勒箝位功能、也配備了精確的 UVLO和DESAT保護(hù)能力(Programmable Delay) ,其中DESAT 時的軟關(guān)斷以及獨(dú)立的高低輸出(OUTH 和 OUTL)皆可用以方便系統(tǒng)設(shè)計(jì)及開發(fā)。
                 可在輸入側(cè)提供 5 V 和 3.3 V 信號,并在驅(qū)動側(cè)提供較寬的偏置電壓范圍,方便線路應(yīng)用與設(shè)計(jì)。并且在驅(qū)動側(cè)也考慮了因開關(guān)作動下可能產(chǎn)生的負(fù)電壓問題,考慮到了在承受負(fù)電壓之能力。NCD57000 擁有內(nèi)部的電流隔離,其隔離能力為> 5 kVrms,(UL1577 等級)和> 1200 VIORM(工作電壓)能力。NCD57000考慮應(yīng)用在開關(guān)切換應(yīng)用,擁有很低的傳播延遲能力,最大延遲90 ns和最小的小脈沖失真 25 ns,并擁有很高的共模瞬變抗擾度 (CMTI) ,提高了對雜訊的抗干擾能力,在 VCM = 1500 V 條件下至少可以承受 100kV/us(最小值)
                目前NCD57000 采用寬體 SOIC-16 封裝,可保證輸入和輸出之間的爬電距離為 8 mm,以滿足增強(qiáng)的安全絕緣要求。

          2.方塊圖:

          3.電路圖:


          4.測試數(shù)據(jù):

          延遲時間量測:

          NCD57000應(yīng)用在開關(guān)切換有很低的傳播延遲能力。波型量測下可以看到延遲僅約0.05uS。


          (IN+:輸入訊號;VG: NCD57000驅(qū)動訊號;Ig:驅(qū)動電流)

          驅(qū)動電壓基準(zhǔn)電位:

          NCD57000驅(qū)動電壓的基準(zhǔn)電位穩(wěn)定且不太受環(huán)境溫度影響,不論驅(qū)動(source)或關(guān)斷(Sink)基準(zhǔn)電位應(yīng)用在大范圍的溫度變化,仍可保持在一個穩(wěn)定區(qū)間,可使線路設(shè)計(jì)穩(wěn)定,時實(shí)際應(yīng)用也會較方便.


          5.方案規(guī)格:

          圖片.png

          ?場景應(yīng)用圖

          ?展示板照片

          ?方案方塊圖

          ?核心技術(shù)優(yōu)勢

          ? 高電流驅(qū)動能力 (+4/?6 A) . 

          ? DESAT 的高負(fù)電壓能力(?9 V). 

          ? 短路期間的軟關(guān)斷功能. 

          ? 短路期間的柵極箝位功能. 

          ? 5 kV電流隔離能力(UL1577). 

          ? 1200V高工作電壓(VDE0884?11) 

          ? 通過AEC-Q100認(rèn)證. 

          ? 可更換負(fù)載電容器和柵極電阻器 

          ? 使用外部電源的自定義電壓電平

          ?方案規(guī)格

          ? 輸入電壓 (VDD1):6V 

          ? 輸入電壓(VDD2):25V 

          ? 負(fù)壓承受能力:-0.3V 

          ? 驅(qū)動電流:4A 

          ? 關(guān)斷電流:6A 

          ? 電流隔離能力:5KV 

          ? 抗靜電能力:2KV 

          ? 功耗:1400mW



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