俄羅斯7納米驚人突破 泄國產(chǎn)EUV曝光時間
俄羅斯企圖打破艾司摩爾(ASML)先進半導(dǎo)體設(shè)備獨占地位!俄媒消息指出,俄羅斯號稱開發(fā)出可取代曝光機的芯片制造工具,甚至發(fā)下豪語,將于2028年研發(fā)出可生產(chǎn)7納米芯片的曝光機,還可擊敗ASML同類產(chǎn)品。俄國目前普遍使用20年前的65納米制程,正在興建28納米晶圓廠。
本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/202310/451435.htm俄羅斯國際新聞通訊社(俄新社)報導(dǎo),圣彼得堡理工大學研發(fā)出一種「國產(chǎn)曝光復(fù)合體」,可用于蝕刻生產(chǎn)無掩模芯片,將有助于解決俄羅斯在微電子領(lǐng)域的技術(shù)主權(quán)問題。
科學家表示,這款芯片制造設(shè)備成本為500萬盧布(約臺幣161萬元),而另一種工具的成本未知。
研究人員指出,相較于傳統(tǒng)曝光技術(shù)需要專門掩膜板來獲取影像,這款裝置更為經(jīng)濟、便利,透過專業(yè)軟件控制,實現(xiàn)完全自動化。該發(fā)明是「各種微電子裝置運行」所需的「納米結(jié)構(gòu)」工藝分兩階段進行,首先使用基礎(chǔ)掩模曝光機,然后利用硅等離子化學蝕刻機。
而另一款設(shè)備可直接形成納米結(jié)構(gòu)或制作硅膜,如用于艦載超壓傳感器。
俄羅斯目前使用最普遍的技術(shù)是20年前的65納米制程,但現(xiàn)在正積極興建28制程晶圓廠。
Tom's Hardware此前報導(dǎo),俄羅斯大諾夫哥羅德策略發(fā)展機構(gòu)(Novgorod Strategy Development)宣稱2028年將開發(fā)出可生產(chǎn)7納米芯片的曝光機,并擊敗ASML同類產(chǎn)品,即ASML Twinscan NXT:2000i DUV。
俄羅斯科學院納米結(jié)構(gòu)研究所副所長Nikolai Chkhalo表示,近20年來ASML致力于發(fā)展EUV(極紫外光)曝光機,目標是讓頂尖半導(dǎo)體廠商保持極高的生產(chǎn)效率,但俄羅斯并不需要,只要根據(jù)國內(nèi)的需求向前推進即可。
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