在消費級存儲市場低迷的背景下，高帶寬存儲器（HBM）技術(shù)已成為新的驅(qū)動力，最新報告指出三星和美光兩家公司正積極籌備擴張HBM DRAM 。

三星耗資105億韓元，收購了三星顯示位于韓國天安市的某些工廠和設(shè)備，以擴大HBM產(chǎn)能。三星還計劃再投資7000億至1萬億韓元，用于新建新的封裝線。

此前報道，三星副總裁兼DRAM產(chǎn)品和技術(shù)團隊負(fù)責(zé)人Hwang Sang-jun先生透露，三星已開發(fā)出速度為9.8Gbps的HBM3E，并計劃開始向客戶提供樣品。同時，三星還正在開發(fā)HBM4的各種技術(shù)，包括針對高溫?zé)崽匦院突旌湘I合（HCB）優(yōu)化的非導(dǎo)電膠膜（NCF）組裝技術(shù)等，目標(biāo)是到2025年推出。

美光也在積極籌備HBM生產(chǎn)，于11月6日在臺中開設(shè)了新工廠。美光表示，這個新設(shè)施將集成先進的測試和封裝功能，并將致力大規(guī)模生產(chǎn)HBM3E以及其他產(chǎn)品，旨在滿足人工智能、數(shù)據(jù)中心、邊緣計算和云服務(wù)等各種應(yīng)用日益增長的需求。

美光首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra透露，計劃在2024年初開始大量出貨HBM3E，目前正在接受NVIDIA的認(rèn)證。最初的HBM3E產(chǎn)品將采用8-Hi堆棧設(shè)計，容量為24GB，帶寬超過1.2TB/s。

此外，美光還計劃在2024年推出更大容量的36GB的12-Hi堆棧HBM3E。在早些時候的一份聲明中，美光預(yù)計到2024年，新的HBM技術(shù)將貢獻“數(shù)億美元”的收入。