據(jù)外媒報道，三星電子正在積極探索“鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）”作為下一代NAND閃存材料，希望這種新材料可以堆疊1000層以上的3D NAND，并實現(xiàn)pb級ssd。

如果上述材料研發(fā)順利，將能夠在特定條件下表現(xiàn)出鐵電性，有望取代目前在3D NAND堆疊技術(shù)中使用的氧化物薄膜，提升芯片耐用與穩(wěn)定度。據(jù)三星電子高管預測，到2030年左右，其3D NAND的堆疊層數(shù)將超過1000層。

三星高管Giwook Kim將于今年6月發(fā)表技術(shù)演講，分析鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）在1000層以上V-NAND技術(shù)發(fā)展中的關(guān)鍵作用。這項成就被認為將推動低電壓和QLC 3D VNAND技術(shù)的進一步發(fā)展。

此前有消息稱，三星計劃明年推出第10代NAND芯片，采用三重堆疊技術(shù)，達到430層，進一步提高NAND的密度，并鞏固和擴大其領先優(yōu)勢。