未來存儲(chǔ)產(chǎn)品將導(dǎo)入Chiplet技術(shù)
隨著人工智能、云計(jì)算等技術(shù)的快速發(fā)展,全球存儲(chǔ)市場競爭日益激烈,存儲(chǔ)芯片市場正迎來前所未有的變革。據(jù)悉,三星電子、SK海力士等存儲(chǔ)巨頭紛紛加大在新技術(shù)領(lǐng)域的投入,以應(yīng)對市場的快速變化和競爭壓力,搶占市場份額和商業(yè)機(jī)會(huì)。
本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/202408/462469.htm在這些新技術(shù)中,CXL和定制芯片、chiplet技術(shù)尤為引人關(guān)注,成為了各大存儲(chǔ)大廠競相角逐的新戰(zhàn)場。
綜合韓媒報(bào)道,SK海力士副總裁文起一在學(xué)術(shù)會(huì)議上稱,Chiplet芯粒/小芯片技術(shù)將在2~3年后應(yīng)用于DRAM和NAND產(chǎn)品。值得注意的是,SK海力士正在內(nèi)部開發(fā)Chiplet技術(shù),不僅加入了UCIe產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟,也已于2023年在全球范圍內(nèi)申請注冊了用于 Chiplet技術(shù)的MOSAIC商標(biāo)。
▲ SK 海力士 HBM3E 內(nèi)存
文起一在會(huì)議上還表示,用于連接HBM內(nèi)存各層裸片的新興工藝混合鍵合目前面臨諸多挑戰(zhàn),但該工藝仍將是未來方向。混合鍵合對CMP(注:化學(xué)機(jī)械拋光)加工步驟提出了更高精細(xì)度要求;此外封裝加工引起的碎屑污染問題也對HBM內(nèi)存的良率造成明顯影響。
但并非所有存儲(chǔ)產(chǎn)品控制器功能都需要使用先進(jìn)工藝,采用Chiplet設(shè)計(jì)可將對工藝要求較低的功能模塊剝離到成本更低的成熟制程芯粒上,在不影響功能實(shí)現(xiàn)的同時(shí)大幅降低成本。
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