臺(tái)積電CoW-SoW 預(yù)計(jì)2027年量產(chǎn)
隨著IC設(shè)計(jì)業(yè)者透過增加芯片尺寸提高處理能力,考驗(yàn)芯片制造實(shí)力。英偉達(dá)達(dá)AI芯片Blackwell,被CEO黃仁勛譽(yù)為「非常非常大的GPU」,而確實(shí)也是目前業(yè)界面積最大的GPU,由兩顆Blackwell芯片拼接而成,并采用臺(tái)積電4納米制程,擁有2,080億個(gè)晶體管,然而難免遇到封裝方式過于復(fù)雜之問題。
本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/202409/462585.htmCoWoS-L封裝技術(shù),使用LSI(本地硅互連)橋接RDL(硅中介層)連接晶粒,傳輸速度可達(dá)10/TBs左右;不過封裝步驟由于橋接放置精度要求極高,稍有缺陷都可能導(dǎo)致價(jià)值4萬美元的芯片報(bào)廢,從而影響良率及獲利。
相關(guān)人士透露,由于GPU晶粒、LSI橋接、RDL中介層和主基板之間的熱膨脹系數(shù)(CTE)相異,導(dǎo)致芯片翹曲、系統(tǒng)故障。為提升良率,輝達(dá)重新設(shè)計(jì)GPU芯片頂部金屬層和凸點(diǎn)。不只是AI芯片RTO(重新流片)修改設(shè)計(jì),據(jù)供應(yīng)鏈透露,準(zhǔn)備發(fā)布之50系列的顯卡也需要RTO,上市時(shí)間較原本遞延。
芯片設(shè)計(jì)問題將不會(huì)只是英偉達(dá)所獨(dú)有。供應(yīng)鏈透露,這類問題只會(huì)越來越多,不過為了消除缺陷或?yàn)樘岣吡悸识兏酒O(shè)計(jì)于業(yè)內(nèi)相當(dāng)常見。AMD執(zhí)行長(zhǎng)蘇姿豐曾透露,隨著芯片尺寸不斷擴(kuò)大,制造復(fù)雜度將不可避免地增加。次世代芯片需要在效能和功耗方面取得突破,才能滿足AI數(shù)據(jù)中心對(duì)算力的巨大需求。
以開發(fā)全球最大AI芯片的Cerebras指出,多芯片組合技術(shù)難度將呈現(xiàn)指數(shù)級(jí)成長(zhǎng),強(qiáng)調(diào)「一整片晶圓就是一個(gè)處理器」,Cerebras的Wafer-Scale Engine(WSE)系列即采用AI領(lǐng)域知名的「晶圓級(jí)處理器」。依照臺(tái)積電一直在發(fā)展晶圓級(jí)系統(tǒng)整合技術(shù) InFO-SoW(System-on-Wafer),Dojo超級(jí)計(jì)算機(jī)訓(xùn)練區(qū)塊(Training Tile)就是基于臺(tái)積電InFO-SoW并已量產(chǎn)的首款解決方案。
因應(yīng)大芯片趨勢(shì)、及AI負(fù)載需要更多HBM,臺(tái)積電計(jì)劃結(jié)合InFO-SoW和SoIC為CoW-SoW,將內(nèi)存或邏輯芯片堆棧于晶圓上,并預(yù)計(jì)在2027年量產(chǎn)??深A(yù)見的未來,將看到更多在整片晶圓上迭迭樂的巨無霸AI芯片出現(xiàn)。
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