2024年11月21日，SK海力士宣布，開始量產(chǎn)全球最高的321層 1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）^* 4D NAND閃存。

SK海力士表示：“公司從2023年6月量產(chǎn)當(dāng)前最高的上一代238層NAND閃存產(chǎn)品，并供應(yīng)于市場，此次又率先推出了超過300層的NAND閃存，突破了技術(shù)界限。計(jì)劃從明年上半年起向客戶提供321層產(chǎn)品，由此應(yīng)對市場需求?！?/p>

公司在此次產(chǎn)品開發(fā)過程中采用了高生產(chǎn)效率的“3-Plug^*”工藝技術(shù)，克服了堆疊局限。該技術(shù)分三次進(jìn)行通孔工藝流程，隨后經(jīng)過優(yōu)化的后續(xù)工藝將3個通孔進(jìn)行電氣連接。在其過程中開發(fā)出了低變形^*材料，引進(jìn)了通孔間自動排列（alignment）矯正技術(shù)。公司技術(shù)團(tuán)隊(duì)也將上一代238層NAND閃存的開發(fā)平臺應(yīng)用于321層，由此最大限度地減少了工藝變化，與上一代相比，其生產(chǎn)效率提升了59%。

此次321層產(chǎn)品與上一代相比，數(shù)據(jù)傳輸速度和讀取性能分別提高了12%、13%，并且數(shù)據(jù)讀取能效也提高10%以上。SK海力士將以321層NAND閃存積極應(yīng)對面向AI的低功耗、高性能新市場，并逐漸擴(kuò)大其應(yīng)用范圍。

SK海力士NAND閃存開發(fā)擔(dān)當(dāng)副社長崔正達(dá)表示：“公司率先投入300層以上的NAND閃存量產(chǎn)，在攻占用于AI數(shù)據(jù)中心的固態(tài)硬盤、端側(cè)AI等面向AI的存儲(Storage，存儲裝置)市場方面占據(jù)了有利地位。由此公司不僅在HBM為代表的DRAM，在NAND閃存領(lǐng)域也具備超高性能存儲器產(chǎn)品組合，將躍升為‘全方位面向AI的存儲器供應(yīng)商’?！?/p>

^* NAND閃存芯片根據(jù)每個單元(Cell)可以存儲的信息量（比特,bit），分為SLC(Single level Cell,1位)、MLC（Muti Level Cell,2位）、TLC（Triple Level Cell,3位）、QLC（Quadruple Level Cell,4位）、PLC（Penta Level Cell,5位）等不同規(guī)格。單元信息存儲容量越大，意味著單位面積可以儲存的數(shù)據(jù)越多。

^* 通孔（Plug）：堆疊多層基板之后，為一次性形成單元的垂直孔。

^* 低變形（Low Stress）：通過改變plug內(nèi)填充的物質(zhì)，減少變形。