近日，臺積電（TSMC）在其歐洲開放創(chuàng)新平臺（OIP）論壇上宣布，準備在2025年末開始大規(guī)模量產N2工藝，同時A16（1.6nm級）工藝技術的首批芯片計劃在2026年末開始投產。

臺積電表示，目前先進工藝的開發(fā)正在按路線圖推進，預計未來幾年基本保持不變。

據悉，A16將結合臺積電的超級電軌（Super Power Rail）架構，也就是背部供電技術?？梢栽谡驷尫懦龈嗟牟季挚臻g，提升邏輯密度和效能，適用于具有復雜訊號及密集供電網絡的高性能計算（HPC）產品。相比于N2P工藝，A16在相同工作電壓下速度快了8-10%，或者在相同速度下，功耗降低了15-20%，同時密度提升至原來的1.1倍。

臺積電設計基礎設施管理主管表示，A16基本可以理解為N2P加入背部供電技術的產物，可實現更高的性能和更好的電源效率。但是這種做法也增加了熱問題，必須要解決，所以并非所有類型或者用途的芯片都適合這種設計，現階段最合適的還是HPC芯片。