通用對(duì)稱(chēng)Doherty放大器現(xiàn)已在蜂窩基站中廣泛使用。

　　飛思卡爾半導(dǎo)體針對(duì)2.11GHz~2.17GHz頻段的3G市場(chǎng)推出的方案是，提供包含兩個(gè)專(zhuān)用LDMOS器件的芯片集，用于非對(duì)稱(chēng)Doherty拓?fù)?。該放大器的目?biāo)是要實(shí)現(xiàn)56dBm的峰值功率，以便在放大器輸出實(shí)現(xiàn)50W~60W的平均功率，并提供適當(dāng)余量以使用當(dāng)前的3G信號(hào)：峰均功率比(PAR)在6dB~7dB之間的兩個(gè)WCDMA載頻。

　　現(xiàn)有設(shè)計(jì)要與更高性能的放大器之間實(shí)現(xiàn)平滑過(guò)渡，必須采用下列設(shè)計(jì)選項(xiàng)：在載頻和峰值器件之間應(yīng)用1dB非對(duì)稱(chēng)電平，優(yōu)化內(nèi)部匹配網(wǎng)絡(luò)來(lái)允許寬帶放大器設(shè)計(jì)(是規(guī)定帶寬的3倍)。此外，為提高視頻帶寬(VBW)，減少對(duì)存儲(chǔ)器的影響，抑制調(diào)整和簡(jiǎn)化放大器設(shè)計(jì)人員的現(xiàn)場(chǎng)工作，專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)了特定偏置電路，集成在晶體管中。

　　綜合偏置法

　　AB類(lèi)偏置電路是為了給RF晶體管柵極提供一個(gè)電壓，以固定靜電流(Idq)。為實(shí)現(xiàn)這一目的，必須在帶RF晶體管的相同芯片上集成小型參考晶體管，并在其里面注入靜電流刻度值。該參考的柵壓復(fù)制到RF晶體管柵極。在參考和RF晶體管之間插入一個(gè)緩沖器，以視頻頻率提供很低的阻抗，從而抑制任何外部柵極解耦。緩沖器電壓直接從RF晶體管(Vdd)的漏極中獲取。此類(lèi)配置提供理想的、非?？焖俚臒嵫a(bǔ)償，這在外部是不能實(shí)現(xiàn)的。

　　圖1所示為偏置電路的電氣示意圖。

　　圖1 偏置電路電氣示意圖

　　在Doherty中，載流子(主)放大器使用AB類(lèi)偏置，峰值(從)放大器將使用C類(lèi)偏置。設(shè)置峰值偏置的常用方法是，評(píng)估AB類(lèi)柵壓，然后應(yīng)用固定的電壓增量來(lái)控制峰值開(kāi)始出現(xiàn)的點(diǎn)。C類(lèi)偏置由原來(lái)的AB類(lèi)偏置電路演變而來(lái)，AB類(lèi)設(shè)置通常在內(nèi)部是固定的，Vdelta 是唯一可外部控制的。在這兩個(gè)偏置電路中，可輕松發(fā)現(xiàn)它們還提供流程補(bǔ)償，在生產(chǎn)中不需要任何調(diào)整。

　　載流子和峰化晶體管

　　載流子和峰化晶體管設(shè)計(jì)用于滿(mǎn)足綜合偏置電路的要求，同時(shí)允許寬頻匹配和高阻抗。圖2所示為一個(gè)載流子晶體管的內(nèi)部示意圖，其中活動(dòng)芯片包括RF晶體管、偏置電路和輸入預(yù)匹配元素。

　　圖2 載流子(主)晶體管示意圖

　　輸入口添加了系列電容器，以便將柵壓與外部控制電壓隔開(kāi)，從而允許使用常規(guī)的2引腳封裝。輸出預(yù)匹配基于一個(gè)2小區(qū)的網(wǎng)絡(luò)，同時(shí)實(shí)現(xiàn)高阻抗和寬帶功能。

　　峰值晶體管基于相同技術(shù)，只不過(guò)它采用C類(lèi)偏置電路。預(yù)匹配單元只需略微修改，就能適應(yīng)載流子和峰化器件(1dB)之間柵極外設(shè)的不同。峰值晶體管內(nèi)部示意圖如圖3所示。

　　圖3 峰值(從)晶體管示意圖

　　與占用幾乎相同硅面積的載流子芯片相比，峰值芯片由于利用Doherty操作中峰值晶體管功耗更低這一優(yōu)勢(shì)，因而密度更緊湊。因此，兩個(gè)晶體管可采用相同的封裝。以這兩款晶體管為基礎(chǔ)設(shè)計(jì)了單體放大器，并從RF和DC的角度驗(yàn)證了其性能。功耗為1dB時(shí)，載流子晶體管的功率為160W，而峰值晶體管的功率為200W。兩個(gè)偏置電路的熱補(bǔ)償在AB類(lèi)中幾乎都非常理想(峰值晶體管用Vdelta=0V來(lái)測(cè)試)。值得注意的是，LDMOS晶體管里門(mén)限電壓的熱系數(shù)與電流有關(guān)。AB類(lèi)和C類(lèi)中需要應(yīng)用不同的系數(shù)。

最終采用兩個(gè)晶體管的Doherty放大器使用了Wilkinson輸入分配器，該分配器當(dāng)然是非對(duì)稱(chēng)的，而輸出合成器是一個(gè)使用四分之一波長(zhǎng)變壓器(非對(duì)稱(chēng)電平為1dB)的常規(guī)設(shè)備。PCB材料是來(lái)自Taconic的RF35，其絕緣厚度是0.51mm(20mils)，足以滿(mǎn)足業(yè)內(nèi)當(dāng)前使用的PCB的要求。

　　圖4所示為載頻放大器拓?fù)鋱D。

　　圖4 載頻放大器圖

　　此處顯示的簡(jiǎn)單柵極DC偏置網(wǎng)絡(luò)包括一個(gè)1kΩ的串聯(lián)電阻器，因?yàn)镮C里集成了所有必須的低頻解耦電容器。

　　CW測(cè)量結(jié)果

　　Doherty放大器測(cè)量首先在小信號(hào)下的CW中執(zhí)行，在矢量網(wǎng)絡(luò)分析器(VNA)上提供快速掃頻。

　　圖5所示為寬帶響應(yīng)曲線(xiàn)，允許對(duì)放大器進(jìn)行“全面檢查”。

　　圖5 寬帶S參數(shù)

　　該放大器采用AB類(lèi)偏置，在1dB壓縮點(diǎn)時(shí)可提供55dBm(315W)功率，3dB壓縮點(diǎn)時(shí)提供56dBm(400W)功率。Doherty運(yùn)行的優(yōu)化策略現(xiàn)在變?yōu)檎{(diào)整峰值偏置，實(shí)現(xiàn)在55dBm功率時(shí)獲得3dB壓縮點(diǎn)。圖6所示為整個(gè)UMTS頻段的功率掃描結(jié)果。

　　圖6 增益和漏極效率，CW功率掃描

　　Doherty的影響可從增益和效率曲線(xiàn)圖上看到。注意，由于測(cè)試臺(tái)限制，效率不能通過(guò)快速功率掃描測(cè)得，而需要通過(guò)純CW信號(hào)測(cè)得，這正好可以解釋曲線(xiàn)右側(cè)末端缺失的原因(消耗的功率太高)?，F(xiàn)在已經(jīng)在各種溫度上進(jìn)行了測(cè)量，如圖7所示，熱補(bǔ)償基本上比較理想。

　　圖7 增益和輸出電壓，溫度補(bǔ)償結(jié)果

　　這證明集成偏置電路的功能能夠滿(mǎn)足AB類(lèi)和C類(lèi)操作的需求，并且能夠讓熱系數(shù)適應(yīng)這個(gè)偏置水平。

視頻帶寬對(duì)3G放大器很重要。為了使自適應(yīng)預(yù)失真系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)良好的線(xiàn)性，放大器需要正確放大調(diào)制信號(hào)，提供比應(yīng)用的初始信號(hào)更寬的頻帶。事實(shí)上，放大器輸入處出現(xiàn)的額外失真有望抵消輸出生成的失真，頻帶超出初始頻帶數(shù)倍。設(shè)計(jì)的目標(biāo)是支持帶兩個(gè)載頻的WCDMA應(yīng)用，間隔為5MHz，這意味著信號(hào)頻率需要為10MHz左右，而VBW的目標(biāo)是40MHz。如圖8所示，在常規(guī)雙音調(diào)測(cè)試中，共鳴的頻率大約為60MHz。

　　圖8 雙音調(diào)測(cè)試，視頻帶寬

　　這一限制來(lái)自漏極饋線(xiàn)與晶體管內(nèi)部電容器的共鳴(Cd以及匹配元素)。輸入產(chǎn)生的影響無(wú)法觀(guān)察。因?yàn)榧善玫木壒?根據(jù)模擬所做的估算)，可以假定100MHz以上的頻率產(chǎn)生影響?？傊?，當(dāng)UMTS波段達(dá)到28V時(shí)，CW可實(shí)現(xiàn)下列性能：56dBm峰值功率，8dB時(shí)可從峰值功率中獲得17dB增益，8dB時(shí)可從峰值功率中實(shí)現(xiàn)42%的效率，VBW=60MHz(共鳴)。

　　綜合信號(hào)結(jié)果

　　評(píng)估的第二部分是復(fù)雜的信號(hào)測(cè)量。測(cè)試使用的信號(hào)是2個(gè)WCDMA載頻，采用5MHz為間隔并進(jìn)行削波，以使PAR=6.5dB。所有測(cè)量都是在2.14GHz頻率時(shí)完成的，其中Vdd=28V，測(cè)試臺(tái)上配置有數(shù)字自適應(yīng)預(yù)失真器。該設(shè)備專(zhuān)用于提供關(guān)于Doherty線(xiàn)性化和可實(shí)現(xiàn)的最大性能的信息。

　　圖9所示為數(shù)字預(yù)失真(DPD)之前和之后的鄰信道功率(ACP)和輸出平均功率之比。

　　圖9 調(diào)制信號(hào)測(cè)試，2載頻WCDMA ACP

　　可以看到，在功率高達(dá)49.5dBm時(shí)，線(xiàn)性化能夠刪除幾乎所有失真。高于這個(gè)電平就不可能了。49.5dBm(90W)是放大器開(kāi)始對(duì)信號(hào)進(jìn)行削波的電平，這意味著此電平的輸出峰值功率會(huì)上升為56dBm(49.5dBm+6.5dB)。 這與前面的CW測(cè)量有密切的關(guān)系。

　　還有一個(gè)非常有意思的現(xiàn)象，即線(xiàn)性化曲線(xiàn)在49.5dBm時(shí)出現(xiàn)明顯的“拐彎”。這意味著，在信號(hào)飽和并發(fā)生削波之前，放大器不會(huì)生成難以消除的失真或?qū)Υ鎯?chǔ)器造成較大的影響。為了對(duì)這些內(nèi)容進(jìn)行確認(rèn)，對(duì)圖10進(jìn)行觀(guān)察，會(huì)發(fā)現(xiàn)線(xiàn)性化后輸出信號(hào)的PAR幾乎是在50dBm時(shí)獲得的，這也確認(rèn)了放大器的飽和功率電平。