介紹

　　無(wú)線(xiàn)通信接收器前端可能會(huì)因同步或異步信號(hào)傳輸形成過(guò)載[1],在時(shí)域雙工系統(tǒng)中，交換器或循環(huán)器連接端口間的非完美隔離會(huì)造成前者，后者則由兩個(gè)未相關(guān)系統(tǒng)天線(xiàn)間造成的非故意耦合產(chǎn)生，在核磁共振(NMR, Nuclear Magnetic Resonance)接收器中，另一個(gè)造成過(guò)載的原因?yàn)榘l(fā)出刺激脈沖后探針線(xiàn)圈上儲(chǔ)存能量所帶來(lái)的振鈴信號(hào)[2],縮小低噪聲放大器(LNA, Low Noise Amplifier)器件尺寸的作法雖然可以改善射頻性能，但卻會(huì)犧牲過(guò)載的承受能力，例如采用0.25μm pHEMT技術(shù)400μm和800μm低噪聲放大器的最高輸入功率PiMAX分別為7dBm[3]和10dBm[4],過(guò)載會(huì)影響到硬件和承載的信息，太大的過(guò)度驅(qū)動(dòng)會(huì)因跨接導(dǎo)線(xiàn)/金屬化保險(xiǎn)絲失效或晶體管結(jié)熔化造成器件故障，因過(guò)度驅(qū)動(dòng)所造成的柵極電流快速增加[5]也會(huì)因金屬變化而縮短器件壽命[6],除此之外，長(zhǎng)時(shí)間暴露在微小過(guò)載情況下也會(huì)造成器件輸出功率[7]或第三階輸出截點(diǎn)[8]的劣化，NMR核磁共振接收器則會(huì)因前端接收器逐漸由飽和恢復(fù)的停滯時(shí)間(dead-time)而漏失關(guān)鍵信息。

　　限幅器通過(guò)允許低于特定水平的射頻信號(hào)通過(guò)，并大幅度衰減超過(guò)閥值的較大信號(hào)來(lái)避免過(guò)載，最簡(jiǎn)單的限幅器電路包含一個(gè)PIN二級(jí)管以及作為直流返回路徑的并聯(lián)電感，也就是所謂的自偏壓限幅器[9-10],但這個(gè)作法的閥值比許多低噪聲放大器的過(guò)載限制更高，在基本PIN限幅二級(jí)管上并聯(lián)肖特基二級(jí)管，也就是肖特基強(qiáng)化PIN限幅器可以降低限制閥值約10dB[11],主要原因是肖特基二級(jí)管較低的導(dǎo)通電壓。

　　由于限幅器必須安排在接收器增益電路的前端才有效，因此它的小信號(hào)插入損耗會(huì)對(duì)整體噪聲系數(shù)造成相同dB單位的增加，插入損耗主要來(lái)自于二級(jí)管寄生電容對(duì)傳輸線(xiàn)造成的負(fù)載，在過(guò)去，微波限幅器使用裸二級(jí)管芯片制造，但現(xiàn)代大量生產(chǎn)的限幅器二級(jí)管則使用會(huì)大幅度增加電容的塑料封裝，另外，肖特基強(qiáng)化PIN限幅器中的額外二級(jí)管也會(huì)帶來(lái)比僅PIN二級(jí)管限幅器更大的損耗。

　　圖1:肖特基強(qiáng)化PIN限幅器的常見(jiàn)電路安排和它的小信號(hào)等效電路。

　　去除限幅器二級(jí)管電容問(wèn)題的急迫性可以由許多被提出的解決方案中看出，二級(jí)管堆?？梢越档碗娙?，但卻帶來(lái)了較高的導(dǎo)通閥值[12],盡管使用平頂結(jié)構(gòu)來(lái)移除部分PIN結(jié)區(qū)可以降低寄生電容，但卻大幅度增加了二級(jí)管的轉(zhuǎn)換熱阻[13],另一方面，肖特基二級(jí)管可以通過(guò)高阻抗1/4波長(zhǎng)傳輸線(xiàn)[14]或指向性耦合器[15-16]來(lái)由射頻路徑隔離，不過(guò)這些無(wú)源器件會(huì)增加成本和體積。電容性負(fù)載可以通過(guò)連接二級(jí)管到較低阻抗(12.5Ω)的節(jié)點(diǎn)降低，但卻需要降壓和升壓變壓器[17].為了降低這類(lèi)限幅器的高頻損耗而不需要付出前述方案的代價(jià)，我們研究了結(jié)合二級(jí)管寄生電容到低通梯型濾波器的創(chuàng)新配置，盡管使用二級(jí)管的寄生特性來(lái)降低損耗已經(jīng)在自偏壓PIN限幅器中提到[18-19],但從未出現(xiàn)在肖特基強(qiáng)化PIN限幅器上，本篇文章將介紹肖特基強(qiáng)化PIN限幅器的低損耗配置，并通過(guò)實(shí)驗(yàn)結(jié)果來(lái)確認(rèn)它的更好性能。

　　材料和方法

　　為了快速制造新的配置，我們使用了原有二級(jí)管產(chǎn)品線(xiàn)的低成本SOT-323封裝器件，PIN二級(jí)管擁有1.5μm的I層厚度，約1pF的零偏置電容以及適合新配置的雙陽(yáng)極封裝形式[20],請(qǐng)參考圖2.這個(gè)肖特基二級(jí)管擁有1mA時(shí)250mV的載子幅度，以及約0.8pF的零偏置電容[21],二級(jí)管跨接導(dǎo)線(xiàn)和引腳的寄生電感分別為0.7nH和0.4nH,限幅器使用包含50Ω共平面波導(dǎo)接地(CPWG)傳輸線(xiàn)，中間具有間隙的30mil厚FR4 印刷電路板實(shí)現(xiàn)，如圖3.PIN二級(jí)管采陽(yáng)極引腳跨越間隙的方式安裝，肖特基二級(jí)管則如同常見(jiàn)限幅器一般連接到傳輸線(xiàn)的輸出端，雙陽(yáng)極PIN二級(jí)管、肖特基二級(jí)管以及帶間隙線(xiàn)的組合帶來(lái)一個(gè)近似于低通梯型濾波器的小信號(hào)等效電路。

　　為了進(jìn)行性能比較，我們?cè)谙嗤娐钒迳习才乓粋€(gè)組合到連續(xù)傳輸線(xiàn)的傳統(tǒng)PIN肖特基限幅器，兩個(gè)限幅器采用完全相同的二級(jí)管器件，基于兩個(gè)二級(jí)管在傳統(tǒng)限幅器配置中采并聯(lián)形式，因此它的小信號(hào)等效電路可由一個(gè)1.8pF的電容代表。

　　圖2:PIN二級(jí)管內(nèi)部圖，其中芯片上的陽(yáng)極接點(diǎn)通過(guò)跨接導(dǎo)線(xiàn)連接到兩個(gè)引腳。

　　圖3:上方為包含評(píng)估和參考限幅器的印刷電路板照片，左下為評(píng)估限幅器的細(xì)部電路圖，右下則為評(píng)估限幅器的簡(jiǎn)化等效電路。

　　結(jié)果和討論

　　實(shí)驗(yàn)結(jié)果證實(shí)了新的配置可以改善插入損耗和帶寬，由于寄生電容在頻率低于300MHz時(shí)幾乎不會(huì)造成影響，因此兩個(gè)配置在此擁有相近的插入損耗，不過(guò)當(dāng)頻率超過(guò)300MHz時(shí)，損耗差異就會(huì)大幅度擴(kuò)增，請(qǐng)參考圖4.在常見(jiàn)的2.1GHz 3G頻段中，可以達(dá)到令人滿(mǎn)意的0.8dB損耗差異，如此的改善也可以量化為帶寬的提升，以1dB損耗點(diǎn)比較，新配置可以將最高頻率限制由原本的1.3GHz提高到2.4GHz.

　　圖4:傳統(tǒng)和新限幅器配置的小信號(hào)插入損耗相對(duì)頻率關(guān)系圖。

　　實(shí)際的結(jié)果會(huì)比這個(gè)測(cè)量值表現(xiàn)更佳，原因是測(cè)試安排可能會(huì)擴(kuò)大損耗，在實(shí)際應(yīng)用上，電路板的走線(xiàn)要短許多，并且限幅器的輸出也會(huì)直接連接到低噪聲放大器而不需經(jīng)過(guò)射頻連接器，通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)化去除測(cè)試安排的損耗后，限幅器的1dB帶寬可以大幅度提高到3GHz.

　　圖5:新限幅器配置進(jìn)行測(cè)試安排影響損耗補(bǔ)償前和補(bǔ)償后的小信號(hào)插入損耗。