意法半導(dǎo)體最新的1200V絕緣柵雙極晶體管(IGBT,Insulated-Gate Bipolar Transistors)借助第二代溝柵式場截止型高速技術(shù)提升太陽能逆變器、電焊機(jī)、不間斷電源和功率因數(shù)校正(PFC, Power-Factor Correction)轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用的能效和耐用性。

　　意法半導(dǎo)體的新H系列1200V IGBT將關(guān)斷損耗和導(dǎo)通損耗降低多達(dá)15%。飽和電壓(Vce(sat))減低至2.1V (在標(biāo)準(zhǔn)集極電流和100°C下的典型值)，這能確保總體損耗降至最低，在20kHz開關(guān)頻率下更高效地工作。

　　此外， 新款1200V IGBT提供集成高速恢復(fù)反并聯(lián)二極管的選項(xiàng)，以助力開發(fā)人員優(yōu)化硬開關(guān)電路的性能，使用續(xù)流二極管大幅降低開關(guān)電路的能源損耗。

　　
       新款I(lǐng)GBT的耐用性極強(qiáng)，當(dāng)實(shí)際電流是標(biāo)準(zhǔn)電流的四倍時(shí)無閂鎖效應(yīng)，短路時(shí)間極短，僅5µs(在150°C 初始結(jié)溫時(shí))。最大工作結(jié)溫?cái)U(kuò)大到175°C，有助于延長產(chǎn)品的使用壽命，簡單化系統(tǒng)散熱設(shè)計(jì)。寬安全工作區(qū)(SOA，Safe Operating Area)提升大功率應(yīng)用的工作可靠性。

　　優(yōu)異的防電磁干擾(EMI，electromagnetic interference)是新產(chǎn)品的另一大優(yōu)點(diǎn)，這歸功于新系列產(chǎn)品在開關(guān)過程中取得近乎理想的波形，令競爭產(chǎn)品望塵莫及。Vce(sat)的正溫度系數(shù)，結(jié)合器件之間參數(shù)分布緊密，使其在大功率應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)更安全的并行工作。

　　意法半導(dǎo)體的H系列IGBT現(xiàn)已量產(chǎn)，采用TO-247封裝，有15A、25A和 40A三個(gè)型號(hào)。

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