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          擁有線性穩(wěn)壓器特性的下一代移動(dòng)DC-to-DC轉(zhuǎn)換器

          作者: 時(shí)間:2007-03-08 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          今天的手機(jī)不斷向小型化和薄型化發(fā)展。這點(diǎn)毫不奇怪,技術(shù)尺寸方面的多數(shù)進(jìn)展是一個(gè)關(guān)鍵問題,可以決定產(chǎn)品開發(fā)的命運(yùn)。由于移動(dòng)器件的尺寸不斷變小,元件尺寸和元件數(shù)量也必須如此。隨著每個(gè)元件周圍的空間縮小,元件的布置變得更加重要。干擾與“低噪聲安置”成為工程師工作的一部分。小于0.6mm的元件現(xiàn)已成為標(biāo)準(zhǔn)要求。但是,有一些限制因素正在制約這種尺寸縮小的趨勢。第一個(gè)因素是手機(jī)每增加一個(gè)新特點(diǎn),其功耗也要相應(yīng)增加。最明顯的例子是,10年前顯示屏的功耗不到50mW,今天已上升到150mW-200mW,預(yù)計(jì)幾年后將上升到3-500mW。此外,還有多媒體處理器、相機(jī)模塊、電視調(diào)諧器等等,很容易看到為什么手機(jī)的功耗不斷增加。不幸的是,電池技術(shù)跟不上這種需求的步伐。鋰離子能量密度只增長了一倍,從100Whr/Kg左右上升到了200Whr/kg左右,而手機(jī)功耗卻增長了三倍。即使考慮到了密度方面的改善,今天普通電池的尺寸與前幾年一樣,甚至比前幾年還大,而通話時(shí)間和待機(jī)時(shí)間卻變短了??紤]到所有這些因素,容易看出電源管理在今天的移動(dòng)產(chǎn)品中扮演著越來越重要的角色。

          電源管理器件的類型

          作為一個(gè)例子,讓我們看看手機(jī)的心臟——基帶處理器。手機(jī)中的基帶處理器傳統(tǒng)上利用低壓降線性穩(wěn)壓器()供電。的優(yōu)點(diǎn)是在各種條件下的輸出噪聲偏差都很低,尺寸很小,容易使用,而且不會(huì)在電池上產(chǎn)生可能影響其它元件的反射噪聲,外部元件較少。的缺點(diǎn)是其效率通常低于DC-DC轉(zhuǎn)換器,而且效率隨著芯片組電壓要求的下降而下降,但電池電壓保持不變。隨著手機(jī)功能對(duì)于功率的需求不斷增加,許多設(shè)計(jì)師正在采用DC-DC轉(zhuǎn)換器來代替LDO,以提高效率和維持電池壽命。

          DC-DC轉(zhuǎn)換器為設(shè)計(jì)師提供了一種可行的替代方案;它們?cè)趶V泛的負(fù)載范圍內(nèi)具有高效率,LDO在這方面無法與之相比。但是,DC-DC轉(zhuǎn)換器在其它所有方面幾乎都遜于LDO,它的尺寸較大,較難使用,需要更多的外部元件,而且產(chǎn)生更多的噪聲。最大的外部元件是電感。為了使DC-DC轉(zhuǎn)換器有效地運(yùn)行,該器件必須以較高的頻率開關(guān)一個(gè)存儲(chǔ)元件,通常是一個(gè)電感。這個(gè)功能必然產(chǎn)生噪聲,并使穩(wěn)壓器的尺寸變大。這種“噪聲”可以轉(zhuǎn)移到它所供電的器件,也就是基帶處理器,從而引起系統(tǒng)問題。它也可能沾染電池,進(jìn)而導(dǎo)致噪聲擴(kuò)散到手機(jī)的每個(gè)部位。為了降低這種現(xiàn)象,手機(jī)設(shè)計(jì)師必須增加電容和電感等額外的過濾元件,以隔離和抑制噪聲。這將擴(kuò)大產(chǎn)品尺寸和提高復(fù)雜性。同時(shí)也需要對(duì)電路板的空間進(jìn)行認(rèn)真規(guī)劃,以使敏感區(qū)域遠(yuǎn)離DC-DC轉(zhuǎn)換器,并盡可能在與之隔絕。噪聲并不是總可以預(yù)測的,而在設(shè)計(jì)大批量消費(fèi)產(chǎn)品時(shí),可預(yù)測性和對(duì)風(fēng)險(xiǎn)采取保守對(duì)策是極其重要的。

          圖1所示為用于手機(jī)的LDO及傳統(tǒng)的DC-DC轉(zhuǎn)換器之間的差異。

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/258935.htm

          圖1 DC-DC轉(zhuǎn)換器與LDO概覽

          理想的電源管理元件

          從效率角度來看,顯然DC-DC轉(zhuǎn)換器是電源管理的未來方向。挑戰(zhàn)在于降低DC-DC轉(zhuǎn)換器的尺寸,使之成為象LDO那樣的小型、簡單、低噪聲和便宜器件。要求移動(dòng)產(chǎn)品小型化的市場力量和需求,將迫使出現(xiàn)這種情況。

          為了搞清楚如何實(shí)現(xiàn)這個(gè)目標(biāo),讓我們先看一下構(gòu)成DC-DC轉(zhuǎn)換器的器件。最大器件是電感。電感是一個(gè)開關(guān)存儲(chǔ)元件,因此不僅尺寸大,而且會(huì)產(chǎn)生磁場,從而在電路板設(shè)計(jì)中引起噪聲問題。顯然,電感的面積和高度必須縮小,以接近理想的LDO類型的產(chǎn)品。我們?cè)倏纯碊C-DC轉(zhuǎn)換器的功能,以及為什么電感的尺寸需要做得這么大。圖2所示為一個(gè)非同步降壓DC-DC轉(zhuǎn)換器的基本運(yùn)行。移動(dòng)DC-DC轉(zhuǎn)換器通常是天生同步的,用代替二極管以提高效率。為了便于理解,利用一個(gè)非同步降壓轉(zhuǎn)換器來介紹運(yùn)行情況。

          開關(guān)具有開關(guān)兩種工作模式,每秒開關(guān)的次數(shù)就是開關(guān)頻率。當(dāng)開關(guān)關(guān)閉時(shí),能量就被輸送到輸出負(fù)載并存儲(chǔ)在電感里面。當(dāng)開關(guān)打開時(shí),存儲(chǔ)在電感中的能量被傳送到輸出。開關(guān)的開與關(guān)之間的比率被稱為負(fù)載循環(huán),控制該比率就能控制輸出電壓。從圖2可以看出,電感電流由兩部分組成。第一個(gè)是DC輸出電流,第二個(gè)是開關(guān)電感引起的電流德耳塔IL。德耳塔IL主要由E=Ldi/dt決定。此處的E是開關(guān)關(guān)閉時(shí)電感上的電壓(輸入電壓減輸出電壓),di是德耳塔IL,dt與開關(guān)頻率成反比。德耳塔IL實(shí)際上是個(gè)多余部分,它流過輸出電容器、二極管并產(chǎn)生噪聲,并在開關(guān)開通時(shí)為開關(guān)造成額外的損失。為一個(gè)給定的設(shè)計(jì)選擇電感,完全是在德耳塔IL、噪聲有損失之間進(jìn)行平衡。但有一件事是明確的:對(duì)于給定的輸入與輸出電壓,開關(guān)頻率是決定電感值的主要因素。開關(guān)頻率越高,即dt越低,則電感越小。

          不幸的是,提高開關(guān)頻率會(huì)造成很大的負(fù)作用。主要是DC-DC轉(zhuǎn)換器的效率會(huì)下降。這個(gè)理由很簡單。開關(guān)利用一定的能量來開和關(guān)。這部分能量其實(shí)是一種損失,因此每秒開關(guān)次數(shù)越多,能量損失越大,總體效率就越低??刂七@種“損失”是提高開關(guān)頻率的關(guān)鍵。

          今天流行的DC-DC轉(zhuǎn)換器針對(duì)工作頻率為1-3MHz的移動(dòng)產(chǎn)品。在1Mhz的開關(guān)頻率下,通常需要使用4.7uH的電感,頻率為3-4MHz時(shí)電感可以降到1-1.5uH左右。圖3所示為電感尺寸與移動(dòng)產(chǎn)品開關(guān)頻率的關(guān)系??梢钥吹?,為了接近與LDO相當(dāng)?shù)某叽纾姼行枰∮?uH。這樣就可以把開關(guān)頻率設(shè)定在6MHz以上。最先進(jìn)的500mA 0.47uH 電感采用0805外殼尺寸,高度為0.55mm。

          圖2。DC-DC轉(zhuǎn)換器運(yùn)行情況簡圖

          圖3 典型移動(dòng)DC-DC轉(zhuǎn)換器中的電感尺寸與開關(guān)頻率的關(guān)系

          從圖3可以看出,在開關(guān)頻率為8MHz時(shí),會(huì)令人想到把電感放置在封裝之中。電感高度目前小于0.6mm。這方面存在一些挑戰(zhàn)。

          高頻開關(guān)面臨的挑戰(zhàn)

          我們前面講過,與高頻開關(guān)有關(guān)的損耗會(huì)增加。圖4所示為采用2.2uH電感處于傳統(tǒng)的2MHz頻率下的DC-DC轉(zhuǎn)換器的損耗,以及采用0.47uH電感頻率為8MHz時(shí)的損耗。

          圖4 2MHz及8MHz開關(guān)頻率下DC-DC轉(zhuǎn)換器的損耗

          可以明顯看出,在傳統(tǒng)的移動(dòng)DC-DC頻率2MHz,開關(guān)引起的損耗僅占總體損耗的20%左右??傮w損耗約為200mA,是移動(dòng)器件的典型輸出電流。但在8MHz時(shí),開關(guān)損耗會(huì)上升到40%以上。降低開關(guān)損耗是能夠在高頻開關(guān)的關(guān)鍵,也是能夠集成到封裝之中的小型電感的前提。

          建議解決方案

          Micrel公司推出了它的第一代“L Free”DC-DC轉(zhuǎn)換器,首款產(chǎn)品是M3385。它的開關(guān)頻率是8MHz,電感集成到3mm x 3mm MLF封裝之中。在設(shè)計(jì)時(shí)考慮到降低開關(guān)損耗,從而使開關(guān)損耗上升導(dǎo)致的效率損失最小。圖6所示為M3385的簡化結(jié)構(gòu)圖,圖7為實(shí)際尺寸。

          圖6 MIC3385 “L Free”DC-DC轉(zhuǎn)換器的結(jié)構(gòu)簡圖

          圖7 MIC3385在3mmx3mm MLF封裝中集成了“L-Free”DC-DC轉(zhuǎn)換器

          MIC3385的基本結(jié)構(gòu)是頻率恒定的PWM轉(zhuǎn)換器,帶有一個(gè)并聯(lián)LDO。在輸出負(fù)載處于待機(jī)時(shí),LDO充當(dāng)輕負(fù)載模式。這種混合式設(shè)計(jì)提供了極其出色的噪聲性能,并使多能夠輕松地過渡到高頻。

          如前所述,MIC3385經(jīng)過優(yōu)化,可以在較高的頻率上開關(guān)而且電感值較低。圖8顯示了結(jié)構(gòu)相同的2MHz轉(zhuǎn)換器與8MHz頻率的MIC3385的效率。從中可見,在200mA電流上效率只下降4%。這對(duì)于顯著降低設(shè)計(jì)的尺寸和復(fù)雜性來產(chǎn),是可以接受的折衷。

          圖8 MIC3385與MIC2205的效率比較

          對(duì)于高頻DC-DC轉(zhuǎn)換來說,除了降低開關(guān)損耗以外,還有其它一些挑戰(zhàn)。最大的挑戰(zhàn)是設(shè)計(jì)出具有足夠高的帶寬的控制回路,以使輸出電壓在快速瞬載下保持穩(wěn)定,同時(shí)仍采用小型陶瓷輸出電容器。MIC3385做了這點(diǎn),它采用了一種獲得專利的方法——通過并聯(lián)LDO獲得所需的高帶寬。MIC3385的DC-DC轉(zhuǎn)換器和LDO都提供全輸出電流,以允許從一種狀態(tài)到另一種狀態(tài)實(shí)現(xiàn)幾乎無縫的轉(zhuǎn)變;具有最小的輸出電壓偏差。圖9所示為MIC3385在重負(fù)載瞬態(tài)條件下的輸出電壓偏差,并與比較傳統(tǒng)的DC-DC方案進(jìn)行了比較。重負(fù)載瞬態(tài)條件在移動(dòng)器件中是常見現(xiàn)象??梢钥闯?MIC3385 8MHz架構(gòu)的表現(xiàn)大大優(yōu)于傳統(tǒng)結(jié)構(gòu),從而為設(shè)計(jì)穩(wěn)定性創(chuàng)造了較大的空間。

          圖9 5us之內(nèi),從100uA到20mA然后到300mA的負(fù)載瞬變條件下,MIC3385與傳統(tǒng)的移動(dòng)DC-DC轉(zhuǎn)換器的比較

          噪聲方面的優(yōu)點(diǎn)

          DC-DC轉(zhuǎn)換器的電感在運(yùn)行和開關(guān)時(shí)產(chǎn)生磁場。設(shè)計(jì)時(shí)必須考慮電感的安置,以避免引起干擾。例如,把電感安置在敏感的音頻元件附近,可能引起有害的干擾。把它放置在功率放大器附近,則可能降低器件的靈敏度并導(dǎo)致兼容問題.電感越大,這些問題越難以控制。MIC3385的電感較小,安放位置盡可能接近DC-DC裸片。這使高頻功率回路盡可能地短,與具有外部電感的低頻DC-DC相比,降低了EMI噪聲。這與直覺有點(diǎn)矛盾,因?yàn)橐话阏J(rèn)為較高的頻率會(huì)產(chǎn)生較大的噪聲。

          總結(jié)

          結(jié)果顯示,第一代8MHz開關(guān)頻率的DC-DC轉(zhuǎn)換器是可行的,提供了一種有益的解決方案,在移動(dòng)設(shè)計(jì)中受到歡迎。該設(shè)計(jì)顯示出低噪聲、快速瞬態(tài)響應(yīng)和高效率,所有這些優(yōu)點(diǎn)都使DC-DC轉(zhuǎn)換器更接近LDO解決方案。

          隨著移動(dòng)設(shè)備的功率和尺寸要求繼續(xù)加強(qiáng),市場中將出現(xiàn)更多的集成器件。



          關(guān)鍵詞: LDO IC MOSFET

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