中國扶植自有DRAM供應(yīng)鏈計劃浮上臺面，業(yè)界透露中國將分三個階段著手，包括扶植大型集團建立自有技術(shù)、高關(guān)稅逼迫國際大廠合作、強制品牌系統(tǒng)廠采用， 由于上一輪全球DRAM市場崩盤是在2008年發(fā)生，業(yè)界直指十年一劫的DRAM淘汰賽恐將在2017年再度引爆，對于既有DRAM業(yè)者SK海力士、美光 (Micron)等恐造成不小沖擊。

　　半導(dǎo)體業(yè)者表示，中國建立DRAM產(chǎn)業(yè)最難解問題，似乎是如何取得被三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士、美光三大廠所把持的DRAM技術(shù)，然事實上，中國發(fā)展DRAM產(chǎn)業(yè)真正瓶頸在于國際大廠所布下綿密的DRAM專利網(wǎng)，近年來一直沒有新的DRAM供應(yīng)商，主要便是因為DRAM芯片專利問題。

　　半導(dǎo)體業(yè)者指出，若是中國制造的DRAM芯片只在中國地區(qū)銷售，不賣到其他國家，專利問題便難成為其阻礙，以中國龐大內(nèi)需市場來看，中國DRAM芯片產(chǎn)出絕對可自給自足，國際大廠即使手握再多專利，恐怕也拿中國沒輒。

　　中國扶植DRAM產(chǎn)業(yè)將分為三階段，首先是點名大型集團，并挑選一個省份出線，由中國中央力量扶植建立自有技術(shù)，目前中國有5~6個省份爭取投入DRAM生產(chǎn)，包括面板廠京東方急欲建立DRAM技術(shù)已浮上臺面。另外，中國吸引包括爾必達(Elpida)等國際人才加入，以及中國基金購并SDRAM IC設(shè)計公司矽成，均是建立半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自有技術(shù)途徑。

　　中國扶植DRAM供應(yīng)鏈第二階段是仿效面板產(chǎn)業(yè)，祭出進口關(guān)稅手段，逼迫國際 DRAM大廠合作，透過合資或拿出技術(shù)換取較好的條件，而中國龐大的內(nèi)需市場就是最好的談判籌碼。至于第三階段則是強制包括聯(lián)想、華為、中興、小米等中國品牌系統(tǒng)業(yè)者采用，以提升自有DRAM芯片市場滲透率。

　　半導(dǎo)體業(yè)者認為，上一輪全球DRAM產(chǎn)業(yè)崩盤發(fā)生在2008年，亦是臺灣 DRAM廠集體申請紓困的苦難期，爾必達在當時倒下，美光來臺尋求臺灣經(jīng)濟部金援，茂德退出市場，力晶轉(zhuǎn)型為晶圓代工廠，南亞科及華亞科分別轉(zhuǎn)型為 SDRAM供應(yīng)商及代工廠，近年來DRAM產(chǎn)業(yè)發(fā)展及廠商獲利穩(wěn)定，引發(fā)中國覬覦。

　　面對中國全面搶灘DRAM市場，業(yè)者預(yù)期恐將剩下DRAM龍頭三星能夠與中國纏斗，業(yè)界對于海力士和美光處境十分憂心，不過，既有國際大廠都同時生產(chǎn)DRAM及NAND Flash，加上PC、手機、服務(wù)器有不同景氣循環(huán)，國際大廠仍將具備一定的競爭力。