Q3是一個(gè)PNP型開關(guān)，此開關(guān)控制另一PNP型開關(guān)Q4，Q5是另另一NPN型開關(guān)，與本文無(wú)關(guān)。

　　實(shí)驗(yàn)是想研究Q3偏置電阻對(duì)Q4導(dǎo)通情況的影響。電路的設(shè)計(jì)需求是Q3導(dǎo)通Q4截止，反之亦然。然而可能在Q3導(dǎo)通而VCE較大時(shí)，Q4也隨之導(dǎo)通。這種情況在Q3負(fù)載電容R29固定時(shí)，往往是由R27取特定范圍值導(dǎo)致的。在PSpice中做個(gè)DC掃描，R27從100k變化到10M，結(jié)果發(fā)現(xiàn)Q3確實(shí)不用完全關(guān)斷Q4就導(dǎo)通了，而且R29的電流不會(huì)降低太多，也就是R29的分壓沒降低多少Q(mào)4即可導(dǎo)通，此時(shí)Q3對(duì)R29分壓影響迅速降低，Q4開始保持R29的分壓。這個(gè)電路的問題在于Q3對(duì)Q4的開關(guān)界限不夠明顯，在R27取值合適的情況下，比如要么小于2M要么大于3M，電路沒有問題，否則會(huì)導(dǎo)致之前所擔(dān)憂的情況。

　　嘗試在Q3與Q4之間增加一個(gè)二極管，以增加Q4導(dǎo)通的門檻。結(jié)果發(fā)現(xiàn)有一點(diǎn)點(diǎn)用，但是這個(gè)二極管的壓降還很小，對(duì)開關(guān)性能的改善不大。無(wú)論把這個(gè)二極管換成數(shù)個(gè)二極管的串聯(lián)，還是換成穩(wěn)壓管，漏電流都是個(gè)問題，足以造成Q4的弱導(dǎo)通，這里就不上圖了。下一步考慮MOS管。

　　圖1

　　圖2

　　圖3

　　圖4