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          新一代功率半導(dǎo)體氧化鎵,開始提供外延晶圓

          作者: 時(shí)間:2015-10-30 來源:技術(shù)在線 收藏

            日本風(fēng)險(xiǎn)企業(yè)Novel Crystal Technology公司(總部:埼玉縣狹山市)將于2015年10月開始銷售新一代材料之一——氧化鎵的外延(β型Ga2O3)。這款是日本信息通信研究機(jī)構(gòu)(NICT)、日本東京農(nóng)工大學(xué)和田村制作所等共同研究的成果。Novel Crystal Technology公司是從田村制作所分離出來的風(fēng)險(xiǎn)企業(yè),定位于“NICT技術(shù)轉(zhuǎn)移企業(yè)”。該公司的目標(biāo)是2016年度實(shí)現(xiàn)銷售額6000萬日元,2020年度實(shí)現(xiàn)銷售額7億日元,2025年度實(shí)現(xiàn)銷售額80億日元。

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/282098.htm

            與作為新一代材料推進(jìn)開發(fā)的SiC(碳化硅)及GaN(氮化鎵)相比,氧化鎵可以低成本制造高耐壓、低損耗的元件(以下簡稱功率元件),因此頗受關(guān)注。

            功率器件用的外延需要具備兩個(gè)條件,一是外延層表面的平坦性,二是控制低載流子濃度區(qū)域的濃度。此次采用了使用臭氧的“臭氧MBE法”成膜法。優(yōu)化了結(jié)晶面的方位、摻雜劑的種類、生長溫度、原料供應(yīng)量等生長參數(shù)。能夠?qū)崿F(xiàn)1nm以下的表面粗糙度,并可獲得1016/cm3載流子濃度區(qū)域?,F(xiàn)已確認(rèn)利用此次的外延晶圓,可以制造肖特基二極管(SBD)和晶體管。



          關(guān)鍵詞: 功率半導(dǎo)體 晶圓

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