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功率半導(dǎo)體
功率半導(dǎo)體 文章 進(jìn)入功率半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)
被神秘的FS7“附體”，解讀兩大最新功率模塊系列的“超能力”
- 安森美（onsemi）在2024年先后推出兩款超強(qiáng)功率半導(dǎo)體模塊新貴，IGBT模塊系列——SPM31 IPM，QDual 3。值得注意的是，背后都提到采用了最新的FS7技術(shù)，主要性能拉滿，形成業(yè)內(nèi)獨(dú)特的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。解密FS7“附體”的超能力眾所周知，IGBT是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的半導(dǎo)體器件，結(jié)合了金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）和雙極結(jié)型晶體管（BJT）的優(yōu)點(diǎn)，具有高輸入阻抗和低導(dǎo)通電壓降的特點(diǎn)。而安森美的Field Stop技術(shù)則是IGBT的一種改進(jìn)技術(shù)，通過(guò)在器件的漂移區(qū)引入一個(gè)場(chǎng)截
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安森美榮獲2024年亞洲金選車(chē)用電子解決方案供應(yīng)商獎(jiǎng)及年度最佳功率半導(dǎo)體獎(jiǎng)
- 智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者安森美（onsemi）再次榮膺電子行業(yè)資深媒體集團(tuán)ASPENCORE頒發(fā)的2024亞洲金選獎(jiǎng)（EE Awards Asia)之車(chē)用電子解決方案供應(yīng)商獎(jiǎng)，彰顯其在車(chē)用領(lǐng)域的卓越表現(xiàn)和領(lǐng)先地位。同期，安森美第 7 代 1200V QDual3 IGBT功率模塊獲得年度最佳功率半導(dǎo)體獎(jiǎng)，基于新的場(chǎng)截止第 7 代 (FS7) IGBT 技術(shù)帶來(lái)出色的效能表現(xiàn)獲得業(yè)界肯定。作為全球領(lǐng)先的汽車(chē)半導(dǎo)體供應(yīng)商，安森美致力于以創(chuàng)新的智能電源和智能感知技術(shù)推動(dòng)汽車(chē)電氣化和智能化創(chuàng)新。安森美在多個(gè)
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德州儀器日本會(huì)津工廠開(kāi)始生產(chǎn)GaN芯片，自有產(chǎn)能將提升四倍
- 自德州儀器官網(wǎng)獲悉，日前，德州儀器公司（TI）宣布已開(kāi)始在日本會(huì)津工廠生產(chǎn)基于氮化鎵(GaN)的功率半導(dǎo)體。隨著會(huì)津工廠的投產(chǎn)，結(jié)合其在德克薩斯州達(dá)拉斯的現(xiàn)有GaN制造能力，德州儀器的內(nèi)部GaN基功率半導(dǎo)體制造能力將翻四倍。德州儀器技術(shù)與制造高級(jí)副總裁穆罕默德·尤努斯（Mohammad Yunus）表示，在GaN芯片設(shè)計(jì)和制造方面擁有十多年的豐富經(jīng)驗(yàn)后，TI成功地將200mm GaN技術(shù)（這是目前制造GaN的最具可擴(kuò)展性和成本競(jìng)爭(zhēng)力的方法）應(yīng)用于會(huì)津工廠的量產(chǎn)。這一里程碑使德州儀器能夠在內(nèi)部制造更多的Ga
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是德科技推出適用于功率半導(dǎo)體的3kV高壓晶圓測(cè)試系統(tǒng)
- ●? ?通過(guò)高壓開(kāi)關(guān)矩陣實(shí)現(xiàn)一次性測(cè)試，進(jìn)而提高生產(chǎn)效率●? ?該系統(tǒng)旨在提高操作人員與設(shè)備的安全性；同時(shí)確保符合相關(guān)法規(guī)要求是德科技推出適用于功率半導(dǎo)體的?3kV高壓晶圓測(cè)試系統(tǒng)是德科技（Keysight Technologies, Inc.）近日推出全新的?4881HV?高壓晶圓測(cè)試系統(tǒng)，進(jìn)一步擴(kuò)展了其半導(dǎo)體測(cè)試產(chǎn)品組合。該解決方案通過(guò)在一次性測(cè)試中高效完成高達(dá)3kV的高低壓參數(shù)測(cè)試，從而顯著提升了功率半導(dǎo)體制造商的生產(chǎn)效率。傳統(tǒng)上
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三星加碼氮化鎵功率半導(dǎo)體
- 根據(jù)韓媒報(bào)道，9月2日，三星電子在第二季度引入了少量用于大規(guī)模生產(chǎn)GaN功率半導(dǎo)體的設(shè)備。GaN是下一代功率半導(dǎo)體材料，具有比硅更好的熱性能、壓力耐久性和功率效率?；谶@些優(yōu)勢(shì)，IT、電信和汽車(chē)等行業(yè)對(duì)其的需求正在增加。三星電子也注意到了GaN功率半導(dǎo)體行業(yè)的增長(zhǎng)潛力，并一直在推動(dòng)其進(jìn)入市場(chǎng)。去年6月，在美國(guó)硅谷舉行的“2023年三星代工論壇”上，該公司正式宣布：“我們將在2025年為消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心和汽車(chē)領(lǐng)域推出8英寸GaN功率半導(dǎo)體代工服務(wù)?！备鶕?jù)這一戰(zhàn)略，三星電子第二季度在其器興工廠引入了德國(guó)愛(ài)思
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安森美選址捷克共和國(guó)打造端到端碳化硅生產(chǎn)，供應(yīng)先進(jìn)功率半導(dǎo)體
- ●? ?安森美 (onsemi) 將實(shí)施高達(dá) 20 億美元的多年投資計(jì)劃，鞏固其面向歐洲和全球客戶的先進(jìn)功率半導(dǎo)體供應(yīng)鏈●? ?垂直整合的碳化硅工廠將為當(dāng)?shù)貛?lái)先進(jìn)的封裝能力，使安森美能夠更好地滿足市場(chǎng)對(duì)清潔、高能效半導(dǎo)體方案日益增長(zhǎng)的需求 ? ? ?●? ?安森美與捷克共和國(guó)政府合作制定激勵(lì)方案，以支持投資計(jì)劃落實(shí)●? ?該投資將成為捷克共和國(guó)歷史上最大的私營(yíng)企業(yè)投資項(xiàng)目之一，屬于對(duì)中歐先進(jìn)半導(dǎo)
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功率半導(dǎo)體市場(chǎng)起飛！
- 近期，市場(chǎng)各方消息顯示，功率半導(dǎo)體市場(chǎng)逐漸開(kāi)啟新一輪景氣上行周期，新潔能、揚(yáng)杰科技、臺(tái)基股份等多家功率半導(dǎo)體公司股價(jià)紛紛上漲，包括華潤(rùn)微、揚(yáng)杰科技、華虹半導(dǎo)體等在內(nèi)的企業(yè)產(chǎn)能利用率接近滿載，部分高性能功率器件已率先開(kāi)啟漲價(jià)潮。在此市場(chǎng)景氣上行之際，功率半導(dǎo)體市場(chǎng)也將迎來(lái)新一輪放量周期，近期士蘭微投資120億元的8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線正式開(kāi)工，除此之外，包括芯聯(lián)集成、捷捷微電、芯粵能多家企業(yè)功率半導(dǎo)體項(xiàng)目也在上半年有最新動(dòng)態(tài)。多家企業(yè)產(chǎn)能利用率接近滿載從市場(chǎng)需求端看，消費(fèi)電子行業(yè)從去年末開(kāi)始緩慢
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一文搞懂IGBT
- 01IGBT是什么？IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由（BJT）雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（MOS）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有（MOSFET）金氧半場(chǎng)效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管（GTR）的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；（因?yàn)閂be=0.7V,而Ic可以很大（跟PN結(jié)材料和厚度有關(guān)））MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。（因?yàn)镸OS管有Rds，如果Ids比較大，就會(huì)導(dǎo)致Vds很大）IGBT綜合了以上兩種器件的
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Transphorm與偉詮電子合作推出新款GaN器件
- 近日，Transphorm與偉詮電子宣布推出兩款新型系統(tǒng)級(jí)封裝氮化鎵（GaN）器件（SiP），與去年推出的偉詮電子旗艦GaN SiP一起，組成首個(gè)基于Transphorm SuperGaN平臺(tái)的系統(tǒng)級(jí)封裝GaN產(chǎn)品系列。新推出的兩款SiP器件型號(hào)分別為WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C，集成了偉詮電子的高頻多模（準(zhǔn)諧振/谷底開(kāi)關(guān)）反激式PWM控制器和Transphorm的150 mΩ和480 mΩ SuperGaN FET。與上一款240 mΩ器件（WT7162RHUG24A）相同，兩
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加速低碳化躍遷，智能功率模塊如何讓熱泵更智能？
- 隨著企業(yè)向低碳未來(lái)邁進(jìn)，市場(chǎng)越來(lái)越需要更高效的功率半導(dǎo)體。開(kāi)發(fā)功率半導(dǎo)體解決方案的關(guān)鍵目標(biāo)在于，盡量降低系統(tǒng)總成本和縮小尺寸，同時(shí)提高效率。于是，智能功率模塊 (IPM) 應(yīng)運(yùn)而生，并成為熱泵市場(chǎng)備受矚目的解決方案。這種模塊結(jié)構(gòu)緊湊、高度集成，具有高功率密度以及先進(jìn)的控制與監(jiān)測(cè)功能，非常適合熱泵應(yīng)用。熱泵的重要性根據(jù)歐盟統(tǒng)計(jì)局?jǐn)?shù)據(jù)，在歐盟消耗的所有能源中，約 50% 用于供暖和制冷，而且超過(guò) 70% 仍然來(lái)自化石燃料（主要是天然氣）。在住宅領(lǐng)域，約 80% 的最終能源消耗用于室內(nèi)和熱水供暖。熱泵（圖
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英飛凌為麥田能源提供功率半導(dǎo)體，助力提升儲(chǔ)能應(yīng)用效率
- 英飛凌科技股份公司為快速成長(zhǎng)的綠色能源行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者、逆變器及儲(chǔ)能系統(tǒng)制造商——麥田能源提供功率半導(dǎo)體器件，共同推動(dòng)綠色能源發(fā)展。英飛凌將為麥田能源提供?CoolSiCTM?MOSFET 1200 V功率半導(dǎo)體器件，?配合EiceDRIVER?柵極驅(qū)動(dòng)器用于工業(yè)儲(chǔ)能應(yīng)用。?同時(shí)，麥田能源的組串式光伏逆變器將使用英飛凌的?IGBT7 H7 1200 V功率半導(dǎo)體器件。全球光儲(chǔ)系統(tǒng)（PV-ES）市場(chǎng)近年來(lái)高速增長(zhǎng)。光儲(chǔ)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)加速，提高功率密度成為制勝關(guān)鍵；儲(chǔ)能應(yīng)
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三菱電機(jī)投資氧化鎵功率半導(dǎo)體
- 3月26日，在三菱電機(jī)舉辦的主題為可持續(xù)發(fā)展倡議在線會(huì)議上，三菱電機(jī)宣布將對(duì)有望成為下一代半導(dǎo)體的氧化鎵（Ga2O3）進(jìn)行投資研發(fā)。與主要用于電動(dòng)汽車(chē)（xEV）的碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體相比，三菱電機(jī)稱這一布局是“為擴(kuò)大更高電壓的市場(chǎng)”。三菱電機(jī)表示，2024年~2030年，公司將投入約9000億日元（折合人民幣約430億元）用于碳化硅、氧化鎵等下一代功率半導(dǎo)體、材料和產(chǎn)品的回收利用、可再生能源等綠色領(lǐng)域的研發(fā)。據(jù)了解，2023年7月，該公司宣布已投資Novel Crystal Technology（N
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廠商“瘋狂”發(fā)力碳化硅
- 3月27日，Wolfspeed宣布其全球最大、最先進(jìn)的碳化硅工廠“John Palmour 碳化硅制造中心”封頂。據(jù)其介紹，“John Palmour碳化硅制造中心”總投資50億美元，占地445英畝，一期建設(shè)預(yù)計(jì)將于2024年底竣工。Wolfspeed首席執(zhí)行官Gregg Lowe表示，工廠已開(kāi)始安裝長(zhǎng)晶設(shè)備，預(yù)估今年12月份或者明年1月，這座工廠將會(huì)有產(chǎn)出。該工廠將主要制造200mm（8英寸）碳化硅晶圓，尺寸是150mm（6英寸）晶圓的1.7倍，滿足對(duì)于能源轉(zhuǎn)型和AI人工智能至關(guān)重要的新一代半導(dǎo)體的需求
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Wolfspeed宣布其全球最大、最先進(jìn)的碳化硅工廠封頂
- 2024年3月27日，Wolfspeed宣布，其在位于美國(guó)北卡羅來(lái)納州查塔姆縣的“John Palmour碳化硅制造中心”舉辦建筑封頂慶祝儀式。據(jù)官方介紹，“John Palmour碳化硅制造中心”總投資50億美元，獲得了來(lái)自公共部門(mén)和私營(yíng)機(jī)構(gòu)的支持，將助力從硅向碳化硅的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型，提升對(duì)于能源轉(zhuǎn)型至關(guān)重要的材料的供應(yīng)。該中心占地445英畝，一期建設(shè)預(yù)計(jì)將于2024年底竣工，該中心將制造200mm碳化硅（SiC）晶圓，顯著擴(kuò)大Wolfspeed材料產(chǎn)能，滿足對(duì)于能源轉(zhuǎn)型和AI人工智能至關(guān)重要的新一代半導(dǎo)體的
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基礎(chǔ)知識(shí)之IGBT
- 什么是IGBT(絕緣柵雙極晶體管)？IGBT是 “Insulated Gate Bipolar Transistor”的首字母縮寫(xiě)，也被稱作絕緣柵雙極晶體管。 IGBT被歸類(lèi)為功率半導(dǎo)體元器件晶體管領(lǐng)域。功率半導(dǎo)體元器件的特點(diǎn)除了IGBT外，功率半導(dǎo)體元器件（晶體管領(lǐng)域）的代表產(chǎn)品還有MOSFET、BIPOLAR等，它們主要被用作半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)。 根據(jù)其分別可支持的開(kāi)關(guān)速度，BIPOLAR適用于中速開(kāi)關(guān)，MOSFET則適用于高頻領(lǐng)域。IGBT是輸入部為MOSFET結(jié)構(gòu)、輸出部為BIPOLAR結(jié)構(gòu)的元器件，通過(guò)
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功率半導(dǎo)體介紹
《功率半導(dǎo)體 器件 與應(yīng)用》基于前兩章的半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)，詳細(xì)介紹了目前最主要的幾類(lèi)功率半導(dǎo)體器件，包括pin二極管、晶閘管、門(mén)極關(guān)斷晶閘管、門(mén)極換流晶閘管、功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管和絕緣柵雙極型晶體管。 [ 查看詳細(xì) ]
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