外媒聲稱美光(Micron)正整備于明年為市場(chǎng)帶來GDDR6顯存，報(bào)道稱GDDR6將比主流的GDDR5快上一倍，速度在10-14GB/s左右。

　　當(dāng)前主流的4GB GDDR5顯存大多在7Gb/s(8GB芯片則在8Gb/s)左右。GDDR6顯存的形狀仍與GDDR5相似，因此可以減輕設(shè)計(jì)和制造過程中的成本和復(fù)雜性。

　　不過需要指出的是，在類似尺寸的情況下，高帶寬內(nèi)存(HBM)早就實(shí)現(xiàn)了較GDDR5翻倍的性能。此外，GDDR6不僅無法做到HBM那樣高效、也無法帶來相同級(jí)別的延遲。HBM 2.0也將在2016年的某個(gè)時(shí)候到來，屆時(shí)它又能夠借著更強(qiáng)性能和更高效率來繼續(xù)碾壓GDDR6了。