奇夢達(dá)公司宣布1GB和2GB的 DDR3 SO-DIMM內(nèi)存模塊 (Double Data Rate 3 Small Outline Dual In-line Memory Modules)的樣品開始出貨給主要客戶，以布局下一代的筆記型計(jì)算機(jī)市場。奇夢達(dá)將其最新的DDR3 SO-DIMMs最佳化，提供了超強(qiáng)的省電功能，已居于業(yè)界領(lǐng)導(dǎo)地位。在移動運(yùn)算中，省電是新DDR3內(nèi)存接口很重要的價(jià)值體現(xiàn)，因它能在筆記型計(jì)算機(jī)及其它移動運(yùn)算應(yīng)用裝置中，讓電池有較長壽命且仍保持較高的性能表現(xiàn)。奇夢達(dá)率先于2006年6月推出DDR3內(nèi)存產(chǎn)品，并于2007年5月開始出貨給桌上型計(jì)算機(jī)客戶。本產(chǎn)品的推出是奇夢達(dá)在DDR3產(chǎn)品策略上重要的進(jìn)步，同時(shí)也遵守了奇夢達(dá)在產(chǎn)品定義上的承諾。

　　奇夢達(dá)計(jì)算類事業(yè)部副總裁Michael Buckermann表示：“奇夢達(dá)的1GB和2GB的DDR3 SO-DIMMs讓我們的客戶可以充份享受DDR3顯著減少耗電量和增加頻寬所帶來的便利。奇夢達(dá)全力地支持客戶推出下一代的行動運(yùn)算應(yīng)用產(chǎn)品，預(yù)計(jì)內(nèi)建奇夢達(dá)DDR3的筆記型計(jì)算機(jī)將于2008年上半年上市。”

　　1GB 和2GB的SO-DIMM模塊由奇夢達(dá)以75納米工藝所生產(chǎn)的1Gbit DDR3零組件所組成，提供明顯的省電效果，因?yàn)镈DR3僅需1.5伏特的電力供給，而DDR2則是1.8伏特。根據(jù)SO-DIMM容量的不同，奇夢達(dá)的DDR3 SO-DIMMs與現(xiàn)今主流的DDR2模塊相比，可以節(jié)省30%到50%的耗電量。

　　奇夢達(dá)的DDR3 SDRAM裝置提供1.600 Mb/s的數(shù)據(jù)傳輸率，是現(xiàn)今DDR2內(nèi)存最大傳輸率的兩倍，并且也可以顯著提升個(gè)人計(jì)算機(jī)、行動運(yùn)算裝置和服務(wù)器效能。