捷特科推出采用無鉛 2mm x 2mm DFN 封裝的 MOSFET 產(chǎn)品 ZXMN2F34MA
Zetex Semiconductors (捷特科)公司推出其首款采用無鉛 2mm x 2mm DFN 封裝的 MOSFET 產(chǎn)品 ZXMN2F34MA。該器件的印刷電路板占位面積比行業(yè)標(biāo)準(zhǔn) SOT23 封裝器件小 50%,板外高度只有 0.85 mm,適用于各類空間有限的開關(guān)及電源管理應(yīng)用,如降壓/升壓負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器中的外置開關(guān)。對(duì)這些應(yīng)用而言,印刷電路板的占位面積、散熱性能及低閾值電壓是最重要的。
本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/79832.htmMOSFET 是 Zetex 六款新型低電壓 (20V和30V)N溝道單雙器件系列的一款,該系列有不同的表面貼裝封裝可供選擇。
盡管尺寸縮小了,額定電壓為 20V 的 ZXMN2F34MA的散熱性能卻勝過體積比它大得多的 SOT23 封裝。該器件采用的 DFN322 無鉛封裝可保證熱阻比同類產(chǎn)品低 40%,有助于降低工作溫度和改善功率密度。在 4.5V 和 2.5V 的典型柵源極電壓下,ZXMN2F34MA 的導(dǎo)通電阻值分別僅有60m? 和120m?。
此外,新器件的反向恢復(fù)電荷較低,可減少開關(guān)損耗和電磁輻射(EMI)問題,非常適用于筆記本電腦、移動(dòng)電話及通用便攜式電子設(shè)備等低電壓應(yīng)用,這些應(yīng)用需要降低在線功率損耗來延長(zhǎng)充電間隔時(shí)間。
ZXMN2F34MA 系列采用 DFN322 封裝,其中 ZXMN2F34FHTA、ZXMN2F30FHTA和 ZXMN3F30FHTA 三款采用 SOT23 封裝的 N 溝道MOSFET;ZXMN3F31DN8 和 ZXMN3G32DN8 兩款則是采用 SO8 封裝的雙 N 溝道器件。更多信息請(qǐng)瀏覽:www.zetex.com。
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