據(jù)日本《日刊工業(yè)新聞》報(bào)道，一家由東芝、NEC電子等11家日本半導(dǎo)體生產(chǎn)商共同出資建立的高技術(shù)企業(yè)半導(dǎo)體尖端技術(shù)公司，近日成功開發(fā)出一種電子模型，該模型可被應(yīng)用于預(yù)測(cè)互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）晶體管的特性變動(dòng)。 
　　
　　在下一代半導(dǎo)體的研制與開發(fā)過程中，通常都會(huì)應(yīng)用到一種叫淺溝道隔離（STI）的技術(shù)，這種技術(shù)被用于分隔大規(guī)模集成電路中CMOS晶體管的相鄰元件。而應(yīng)用新開發(fā)的這種模型，可以在進(jìn)行STI工序時(shí)預(yù)測(cè)所產(chǎn)生的應(yīng)力引起的晶體管的特性變化，從而使對(duì)相鄰元件間距離的計(jì)算更加精確，不必像過去進(jìn)行半導(dǎo)體設(shè)計(jì)時(shí)那樣考慮過多的冗余。

　　據(jù)該公司稱，這項(xiàng)發(fā)明可以將大規(guī)模集成電路的性能最大提高20%%，并將被日本生產(chǎn)商應(yīng)用于下一代大規(guī)模集成電路的開發(fā)。