IDT® 公司（Integrated Device Technology, Inc.）日前宣布，其不斷擴大的多口RAM系列又添兩個新型雙口RAM器件。從工業(yè)控制到醫(yī)療成像和通信，新的 9Mb 和 4Mb 雙端口器件可實現(xiàn)高達 200MHz 的性能，以滿足苛刻的存儲器緩沖要求。這兩款器件采用 1.8V 內核電壓，比現(xiàn)有解決方案的功耗更低。

　　雙端口器件集成了存儲器和控制邏輯，可以通過獨立端口實現(xiàn)對通用中央存儲器的同時存取。該IDT 解決方案有助于客戶通過解決芯片間連接問題，增加帶寬并降低設計復雜性，同時通過使用經過驗證的成熟器件，實現(xiàn)快速上市。

　　IDT 公司流量控制管理部門市場總監(jiān) Carl May 表示：“IDT一直積極尋找改善我們現(xiàn)有產品的方法，為我們的客戶提供不斷進化的升級，在其未來的設計顧慮變成問題之前，幫助他們排除這些顧慮。這些新器件為我們的客戶提供了性能和功耗上的顯著改善。”

性能和優(yōu)勢

　　新的 9Mb IDT 70P3519 和 4Mb 70P3599 是高速 256K/128K x 36 位同步雙端口器件。兩款器件可提供完整的同步功能，有助于 IDT 的客戶優(yōu)化其設計，獲得更高的性能和更低的功耗。此外，這兩款器件還有助于客戶同時存取單個存儲器地址，而無需外部器件。同步功能包括計數器、多個獨立的芯片使能和字節(jié)使能（byte enable）及同步中斷。此外，控制寄存器、數據和地址輸入可實現(xiàn)最短的設置和保持時間，以便使產品更快上市。通過采用輸入數據寄存器，這兩款雙端口器件為具有單向或雙向數據流突發(fā)的應用進行了優(yōu)化。一個由 CE0 和 CE1 芯片使能引腳控制的自動掉電特性，可允許每個端口的片上電路進入一種非常低待機功耗的模式。

　　0P3519 和 70P3599 能夠支持一個或兩個端口上3.3V、2.5V 或 1.8V 的 I/O 電壓。這兩款器件的內核電源（VDD）為 1.8V。

封裝和供貨

　　為了方便 IDT 客戶采用，IDT 70P3519 和 70P3599 均采用與現(xiàn)有 IDT 雙端口解決方案一樣的封裝：256 引腳球柵陣列（BGA）、208 引腳塑料方形扁平（PQFP）和 208 引腳細間距球柵陣列（fpBGA）。