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          IR推出150V和200V MOSFET

          作者: 時間:2009-08-17 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

            國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱) 推出一系列150V和200V HEXFET功率,為開關(guān)模式電源 () 、不斷電系統(tǒng) ()、等工業(yè)應用提供極低的閘電荷 (Qg)。

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/97228.htm

            與其它競爭器件相比, 150V 提供的總閘電荷降低了高達59%。至于新款200V 的閘電荷,則比競爭器件的降低了多達33%。

            亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“隨著DC-DC功率轉(zhuǎn)換應用技術(shù)的日益進步,開關(guān)頻率也有所提高,輸入電容和閘電荷在整體效率方面擔當起重要的角色。開關(guān)損耗的多少對快速開關(guān)電路來說是關(guān)鍵的問題。IR新推出的150V和200V MOSFET正好針對這個挑戰(zhàn)做出了優(yōu)化,所以非常適合作為通信應用中隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器的主要開關(guān),或者在任何先進的DC-DC應用中推動輕負載效率。”

            這些新款MOSFET達到工業(yè)級別及第一級濕度感應度 (MSL1) 。它們采用TO220、D2PAK、TO262、DPAK和IPAK封裝,皆為無鉛設(shè)計,并符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) 指令。



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