面臨英特爾(Intel)和美光(Micron)陣營的壓力，東芝(Toshiba)下半年積極轉(zhuǎn)進(jìn)32納米的NAND Flash制程技術(shù)，東芝原本預(yù)計32納米制程產(chǎn)量，在年底可達(dá)產(chǎn)能30%，但以目前進(jìn)度來看，勢必會延后量產(chǎn)時間點(diǎn)，其控制芯片供應(yīng)商群聯(lián)則表示，支持東芝32納米的所有產(chǎn)品線都已經(jīng)準(zhǔn)備妥當(dāng)，包括隨身碟和記憶卡的控制芯片皆然，隨時可進(jìn)入量產(chǎn)階段。此外，群聯(lián)8月營收將持續(xù)成長，估計月增率可達(dá)10%以上，8月毛利率可微幅高于7月，整體第3季獲利持續(xù)上揚(yáng)。

　　東芝43納米制程量產(chǎn)成熟，下半年積極轉(zhuǎn)進(jìn)32納米制程，降低生產(chǎn)成本，同時間三星電子(Samsung　Electronics)也積極轉(zhuǎn)進(jìn)35納米制程，以力抗英特爾/美光陣營早已量產(chǎn)的34納米制程技術(shù)，顯示英特爾/美光、三星和東芝3陣營較勁的意味越來越濃厚。

　　東芝轉(zhuǎn)進(jìn)32納米制程將從MLC芯片切入生產(chǎn)，原本東芝預(yù)期，32納米制程將在7月可進(jìn)入量產(chǎn)階段，年底前有機(jī)會達(dá)30%的投產(chǎn)幅度，2010年第1季更將挑戰(zhàn)50%，但以目前進(jìn)度來看，東芝的32納米制程量產(chǎn)速度恐會持續(xù)延后，惟盡快導(dǎo)入32納米的目標(biāo)不變。

　　隨著東芝積極轉(zhuǎn)進(jìn)新一代的32納米制程技術(shù)，合作伙伴群聯(lián)也進(jìn)入備戰(zhàn)狀態(tài)。群聯(lián)表示，目前支持32納米制程的控制芯片隨時可以進(jìn)入量產(chǎn)，包括用在隨身碟和快閃記憶卡的控制芯片都已備妥，相較于上一代43納米制程的控制芯片，在設(shè)計架構(gòu)上不需要做太大的更動，因此可設(shè)計在同1顆IC上。

　　近期NAND Flash市場較為沈寂，群聯(lián)表示，整體市況還不錯，快閃記憶卡的終端需求比隨身碟強(qiáng)勁，預(yù)計8月營收可望較7月成長，毛利率也同步上揚(yáng)，支持東芝3-bit-per-cell技術(shù)的控制芯片也準(zhǔn)備好了，隨時可大量出貨。

　　近期整個NAND Flash市場的成卡供應(yīng)量不多，主要是三星和東芝的成卡供應(yīng)量銳減，NAND Flash芯片都以供應(yīng)大客戶蘋果(Apple)為主，導(dǎo)致記憶卡市場呈現(xiàn)小幅缺貨的狀態(tài)，而成卡價格日前也開始跟上NAND Flash芯片的走勢，開始往上調(diào)，因此下游廠的毛利率可持續(xù)走揚(yáng)，而成卡缺貨的狀態(tài)可能要持續(xù)好一陣子。