igbt 文章 進(jìn)入 igbt技術(shù)社區(qū)
東芝推出具有2.5A峰值輸出電流、采用低高度封裝的柵極驅(qū)動光電耦合器
- 東芝公司旗下存儲與電子元器件解決方案公司今日宣布推出采用低高度SO8L封裝的新型柵極驅(qū)動光電耦合器“TLP5832”。該產(chǎn)品提供2.5A峰值輸出電流，可直接驅(qū)動中級IGBT。出貨即日啟動?！ ⌒翴C采用SO8L封裝，封裝高度比東芝采用SDIP6和DIP8(LF1選項(xiàng))封裝的現(xiàn)有產(chǎn)品降低約54%，可為封裝高度有限的電路板安裝提供支持，同時有助于實(shí)現(xiàn)芯片組小型化。盡管尺寸小，但是該IC可保證爬電距離和至少8mm的電氣間隙，使其適合需要高隔離性能的應(yīng)用?！ 〈送?，該新型柵極驅(qū)動光電耦合器可在–40至+110
- 關(guān)鍵字： 東芝 IGBT
【E問E答】如何減輕米勒電容所引起的寄生導(dǎo)通效應(yīng)
- 當(dāng)IGBT在開關(guān)時普遍會遇到的一個問題即寄生米勒電容開通期間的米勒平臺。米勒效應(yīng)在單電源門極驅(qū)動的應(yīng)用中影響是很明顯的?；陂T極G與集電極C之間的耦合，在IGBT關(guān)斷期間會產(chǎn)生一個很高的瞬態(tài)dv/dt，這樣會引發(fā)門極VGE間電壓升高而導(dǎo)通，這是一個潛在的風(fēng)險(xiǎn)(如圖1)?！ ?nbsp; 圖1：下管IGBT因?yàn)榧纳桌针娙荻饘?dǎo)通 寄生米勒電容引起的導(dǎo)通 在半橋拓?fù)渲校?dāng)上管IGBT(S1)正在導(dǎo)通， 產(chǎn)生變化的電壓dV/dt加在下管IGBT(S1)C-E間。電流流經(jīng)S
- 關(guān)鍵字： 米勒電容 IGBT
采用TO-247PLUS封裝的高功率密度單管IGBT
- 英飛凌科技股份公司進(jìn)一步壯大1200 V單管IGBT產(chǎn)品組合陣容，推出最高電流達(dá)75 A的新產(chǎn)品系列。TO-247PLUS封裝同時還集成全額定電流反并聯(lián)二極管。全新TO-247PLUS 3腳和4腳封裝可滿足對更高功率密度和更高效率不斷增長的需求。需要高功率密度1200VIGBT的典型應(yīng)用包括變頻器、光伏逆變器和不間斷電源(UPS)。其他應(yīng)用包括電池充電和儲能系統(tǒng)?！ ∠啾瘸Ｒ?guī)TO-247-3封裝而言，全新TO-247PLUS封裝可實(shí)現(xiàn)雙倍額定電流。由于去除了標(biāo)準(zhǔn)TO-24
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 IGBT
IGBT產(chǎn)業(yè)研究:中國“芯”希望
- 2017年開年以來有這樣一些事件進(jìn)入我們的視線:①2月,IGBT等電力電子功率器件被列入《戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)產(chǎn)品和服務(wù)指導(dǎo)目錄》。②3月14日,捷捷微電上市,主營晶閘管等功率半導(dǎo)體器件的研發(fā)生產(chǎn)和銷售。③5月,國家科技重大專項(xiàng)(02專項(xiàng))實(shí)施管理辦公室驗(yàn)收中環(huán)股份“區(qū)熔硅單晶片產(chǎn)業(yè)化技術(shù)與國產(chǎn)設(shè)備研制”項(xiàng)目。④5月17日,國電南瑞公布非公開發(fā)行預(yù)案,募集配套中16.4億元用于IGBT模塊產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目。 一直以來,IGBT技術(shù)被國外半導(dǎo)體廠商壟斷,截至2015年我國IGBT市
- 關(guān)鍵字： IGBT 新能源汽車
基于風(fēng)電系統(tǒng)單體變流器的結(jié)構(gòu)應(yīng)用設(shè)計(jì)
- 本文介紹了風(fēng)電變流器核心組成部分的單體變流器在機(jī)柜結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)中空間狹小、工作環(huán)境惡劣等特點(diǎn)，本文進(jìn)行了結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)分析。主要內(nèi)容包括：單體變流器的組成布局、功率器件維護(hù)、結(jié)構(gòu)受力，以及可維護(hù)性等。
- 關(guān)鍵字： 風(fēng)電變流器 IGBT 退火處理
IGBT驅(qū)動電路的作用、工作特性與使用要求
- IGBT驅(qū)動電路的作用： IGBT驅(qū)動電路的作用主要是將單片機(jī)脈沖輸出的功率進(jìn)行放大，以達(dá)到驅(qū)動IGBT功率器件的目的。在保證IGBT器件可靠、穩(wěn)定、安全工作的前提，驅(qū)動電路起到至關(guān)重要的作用?！ GBT的工作特性： IGBT的等效電路及符合如圖1所示,IGBT由柵極正負(fù)電壓來控制。當(dāng)加上正柵極電壓時,管子導(dǎo)通;當(dāng)加上負(fù)柵極電壓時,管子關(guān)斷?！ ? ? IGBT具有和雙極型電力晶體管類似的伏安特性,隨著控制電壓UGE的增加,特性曲線上移。開關(guān)電源中的IGBT通過UGE電平
- 關(guān)鍵字： IGBT 功率器件
Power Integrations推出緊湊、高效的SCALE-iDriver? IC產(chǎn)品系列，可支持1700 V IGBT
- 中高壓逆變器應(yīng)用領(lǐng)域IGBT和MOSFET驅(qū)動器技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者今天推出SCALE-iDriver?系列電磁隔離的單通道門極驅(qū)動IC的擴(kuò)展產(chǎn)品。新器件支持耐壓為1700 V以內(nèi)的IGBT，通常適用于400 VAC至690 VAC的應(yīng)用。它們也適用于最新的三電平拓?fù)涔夥孀兤鳎约安捎?500 V新直流母線標(biāo)準(zhǔn)的光伏陣列。擴(kuò)展后的1700 V SCALE-iDriver產(chǎn)品系列允許OEM廠商在各類解決方案中使用相同的高度集成、安全可靠的驅(qū)動器方案。
- 關(guān)鍵字： Power Integrations IGBT
【E課堂】IGBT淺析，IGBT的結(jié)構(gòu)與工作原理
- IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上
- 關(guān)鍵字： IGBT
提升IGBT自給率 給工業(yè)與汽車電子領(lǐng)域一顆“中國芯”
- 半導(dǎo)體分立器件IGBT(絕緣柵雙極型晶體管芯片)潛在市場巨大，在工業(yè)控制、汽車電子、新能源、智能電網(wǎng)應(yīng)用市場廣闊，而中國IC制造芯片廠也正積極尋求突破口，以成熟的工藝制程落地在地生產(chǎn)，提升國產(chǎn)IGBT芯片模塊的自給率。 IGBT應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，堪稱現(xiàn)代功率變流裝置的“心臟”和高端產(chǎn)業(yè)的“核芯”。從傳統(tǒng)的電力、機(jī)械、礦冶，到軌道交通、航空航天、新能源裝備以及特種裝備等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，都有它的身影。 不過當(dāng)前全球IGBT市場，仍被日、歐、美等IDM
- 關(guān)鍵字： IGBT 芯片
三菱電機(jī)第7代IGBT技術(shù)
- 為了應(yīng)對補(bǔ)貼下降帶來的影響，市場對光伏組件和光伏逆變器的成本降低的需求將加強(qiáng)。目前來看，1500V等更高電壓的光伏組件將在成本降低方面將會很大程度上彌補(bǔ)支付補(bǔ)貼的下降。因此，隨著市場的期待，諸如1500V等更高電壓的光伏組件將會加快進(jìn)入到市場的步伐。另外，光伏發(fā)電的效率和可靠性等要求也將相應(yīng)提高，以提高光伏電站的產(chǎn)出，并降低光伏電站和光伏逆變器的維護(hù)成本。因此，新技術(shù)在光伏電站和光伏逆變器中的應(yīng)用需求將不斷加強(qiáng)，并且將促進(jìn)光伏發(fā)電行業(yè)的良性競爭和健康發(fā)展。
- 關(guān)鍵字： 三菱電機(jī) 光伏逆變器 IGBT
“e星球”領(lǐng)先展商 系列報(bào)導(dǎo)——Alpha and Omega
- Alpha?and?Omega?Semiconductor?(AOS)為集設(shè)計(jì)、開發(fā)與銷售為一體的功率半導(dǎo)體供應(yīng)商,AOS提供廣泛的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品線，包括完整的功率MOSFET和電源管理IC(Power?IC)產(chǎn)品系列。其在器件物理，工藝技術(shù)，電路設(shè)計(jì)及封裝設(shè)計(jì)上擁有豐富的經(jīng)驗(yàn)。通過將這些經(jīng)驗(yàn)整合用于產(chǎn)品性能以及成本控制的優(yōu)化，AOS在競爭中顯示出自身的特色。AOS的產(chǎn)品線設(shè)計(jì)的目標(biāo)是滿足日益增長的高產(chǎn)量，高效能產(chǎn)品的應(yīng)用需求，包括手提電腦、平板電視、
- 關(guān)鍵字： e星球 IGBT
igbt介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條 igbt!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對 igbt的理解，并與今后在此搜索 igbt的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對 igbt的理解，并與今后在此搜索 igbt的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
igbt相關(guān)帖子
igbt資料下載
igbt專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473