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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 功率半導(dǎo)體

          力挺新能源應(yīng)用 中國IGBT企業(yè)可另辟蹊徑

          •   【 導(dǎo)讀:在新能源領(lǐng)域的大多數(shù)功率變換裝置中,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是最為重要的器件,與歐洲、日本和美國相比,中國在該領(lǐng)域還相對落后,盡管國內(nèi)也有一些企業(yè)和科研機(jī)構(gòu)在進(jìn)行研發(fā),但產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程緩慢,技術(shù)上也落后于國外。】   今年6月,功率半導(dǎo)體業(yè)界的盛會“PCIMChina2010”在上海光大會展中心舉行,國內(nèi)外知名功率半導(dǎo)體廠商向與會觀眾展示了各自推出的新產(chǎn)品和眾多高能效解決方案。記者觀察到,功率半導(dǎo)體在新能源領(lǐng)域的應(yīng)用成為本屆展會的熱點,而中國功率器件產(chǎn)業(yè)的未來發(fā)展
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          電源管理詮釋節(jié)能

          功率半導(dǎo)體行業(yè)的春天

          •   功率半導(dǎo)體下游需求旺盛,發(fā)展前景看好。隨著全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇勢頭增強(qiáng),iSuppli公司預(yù)測2010年半導(dǎo)體市場營業(yè)收入為2833億美元,增長率達(dá)到23.2%.   MOSFET市場前景廣闊。2007年全球MOSFET的銷售額大約為52.89億美元,MOSFET的銷售額占全部功率半導(dǎo)體的比重大約為20%,MOSFET主要應(yīng)用于消費電子、計算機(jī)、工業(yè)控制、網(wǎng)絡(luò)通信、汽車電子和電力設(shè)備六大領(lǐng)域。   IGBT:節(jié)能減排的先鋒。2007年全球IGBT的銷售額大約為31.36億美元,IGBT的銷售額占全部功率半
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          瑞薩和NEC電子合并 新航母瑞薩電子揚帆起航

          •   兩家半導(dǎo)體大鱷且MCU全球市場排名前兩位的瑞薩科技和NEC電子的合并,一直受到業(yè)內(nèi)的重點關(guān)注。其合并的原因?合并后形成的航母級企業(yè)的整合效果?將對業(yè)界產(chǎn)生怎樣的影響?   問:瑞薩與NEC電子合并后的新名稱?哪些因素促使瑞薩與NEC電子進(jìn)行這次合并?屬于哪種類型的合并?   答:瑞薩與NEC電子合并后,于2010年4月1日,以瑞薩電子株式會社的新公司名稱正式開始商業(yè)運營,并且得到來自大股東NEC、日立制作所和三菱電機(jī)的總額約2000億日元(約合20億美元)的增資,財務(wù)實力大幅增強(qiáng)。   NEC電
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          華潤上華與電子科技大學(xué)共建DMOS聯(lián)合實驗室

          •   華潤上華科技有限公司(簡稱“華潤上華”)與電子科技大學(xué)(簡稱“電子科大”)共建DMOS聯(lián)合實驗室的簽約儀式于2010年3月30日在電子科技大學(xué)舉行。華潤上華副總經(jīng)理蘇巍和電子科大副校長楊曉波分別代表雙方在協(xié)議上簽字,華潤上華董事長陳正宇博士、電子科大校長汪勁松教授出席了簽字儀式,并就合作的未來進(jìn)行了深度交流和展望。   在華潤上華與電子科技大學(xué)微電子與固體電子學(xué)院張波教授團(tuán)隊多年的合作基礎(chǔ)上,雙方將充分利用該聯(lián)合實驗室平臺,發(fā)揮各自的優(yōu)勢展開深入密切的
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          瑞薩推出8款800V三端雙向可控硅開關(guān)產(chǎn)品

          •   2010年2月25日,株式會社瑞薩科技(以下簡稱瑞薩)宣布推出包括BCR16CM-16LH在內(nèi)的新型800V三端雙向可控硅產(chǎn)品,其所具有的業(yè)內(nèi)最佳高換向性*特點和150°C結(jié)溫(Tj),使其成為洗衣機(jī)和真空吸塵器等家電內(nèi)AC電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用的理想之選。該產(chǎn)品樣品將于2010年4月起在日本發(fā)售。   新型三端雙向可控硅是用于控制AC電路內(nèi)電源開關(guān)的功率半導(dǎo)體器件,具有如下主要特性:   (1) 提高換向性,減少元件總量   新型三端雙向可控硅具有800V的額定電壓,實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)最高的換向性。其臨
          • 關(guān)鍵字: 瑞薩  功率半導(dǎo)體  三端雙向可控硅  BCR16CM-16LH  

          Microsemi在APEC 2010展示它的全部功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)品

          •   Microsemi公司今天宣布將于本周在加利福尼亞州棕櫚泉(Palm Springs)的棕櫚泉會議中心(Palm Springs Convention Center)所舉行的應(yīng)用功率電子學(xué)會議和展覽會 (APEC 2010)上展出它的一系列功率器件產(chǎn)品,并在2個技術(shù)交流會上進(jìn)行演講。   Microsem所展示的主要產(chǎn)品(展臺 #122):   · 應(yīng)用于太陽能逆變器的一組超薄功率模塊。   · 以太網(wǎng)驅(qū)動(PoE)芯片集和模塊,其中包括Microsem公司第四代的I
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          全新功率半導(dǎo)體技術(shù)助力數(shù)據(jù)中心節(jié)能

          • 世界各地計算機(jī)數(shù)量眾多,耗能量也相當(dāng)龐大,而支撐互聯(lián)網(wǎng)運作的數(shù)據(jù)中心就是一大耗能實例。在一個典型的數(shù)據(jù)中心設(shè)施中,其實只有不到一半的功耗是用在計算功能上的。所以數(shù)據(jù)中心運營商千方百計尋找機(jī)會來提高功率轉(zhuǎn)換效率和分配效率,例如通過高壓直流源的分配來減小轉(zhuǎn)換級的數(shù)目。

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          功率半導(dǎo)體充當(dāng)節(jié)能先鋒 中國企業(yè)加快步伐

          •   過去,人們常把集成電路比作電子系統(tǒng)的大腦,而把功率半導(dǎo)體器件比作四肢,因為集成電路的作用是接受和處理信息,而功率器件則根據(jù)這些信息指令產(chǎn)生控制功率,去驅(qū)動相關(guān)電機(jī)進(jìn)行所需的工作。如今,新型功率半導(dǎo)體器件如MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)、IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)及功率集成電路應(yīng)用逐漸普及,其為信息系統(tǒng)提供電源的功能也越來越引人注目。功率半導(dǎo)體器件在電子系統(tǒng)中的地位已不僅限于“四肢”,而是為整個系統(tǒng)“供血”的“心臟&rdq
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          英飛凌擴(kuò)大面向可再生能源和傳統(tǒng)電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用的功率模塊生產(chǎn)

          •   英飛凌科技股份公司在其位于德國慕尼黑Neubiberg的總部宣布,該公司正在擴(kuò)建其位于匈牙利Cegléd的生產(chǎn)工廠,以滿足日益增長的對于可再生能源和傳統(tǒng)系統(tǒng)的需求。從現(xiàn)在開始到2012年,公司將投資近1,700萬歐元用于建造廠房和購買制造設(shè)備。英飛凌今天與匈牙利經(jīng)濟(jì)部的代表簽訂了協(xié)議,根據(jù)該協(xié)議,匈牙利經(jīng)濟(jì)部將為該項目融資140萬歐元。   Cegléd工廠主要生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)功率模塊,這種功率模塊是風(fēng)輪機(jī)和光伏系統(tǒng)太陽能逆變器以及機(jī)車驅(qū)動裝置、有軌電車、制造工廠、扶梯和電梯使用
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          IR推出全新基準(zhǔn)MOSFET,將封裝電流額定值提升了60%

          • 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出具有高封裝電流額定值的全新溝道型HEXFET功率MOSFET系列,適用于工業(yè)用電池、電源、高功率DC馬達(dá)及電動工具。 新器件的封裝電流額定值達(dá)到195A,比典型封裝電流額定值高出60%。新款MOSFET具有更低的導(dǎo)通電阻 (RDS (on)) ,并可使用常用的TO-220、D2PAK和TO-262封裝。此外,7 管腳D2PAK封裝的電流額定值達(dá)到240A的卓越水平,使它成為市場上
          • 關(guān)鍵字: 整流器  功率半導(dǎo)體  

          IR最新節(jié)能螢光燈鎮(zhèn)流器控制IC可減少元件數(shù)

          • 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出用于節(jié)能調(diào)光熒光燈鎮(zhèn)流器應(yīng)用的IRS2530D和IRS2158D 600V控制IC。 IRS2530D DIM8?是一種采用緊湊型8管腳尺寸半橋式驅(qū)動器的獨特線性調(diào)光鎮(zhèn)流器控制IC。新器件提供了一種以多級和三路緊湊型熒光燈(簡稱CFL)應(yīng)用取代低效白熾燈泡的競爭解決方案。IRS2530D只需要幾個小型外部元件,顯著地簡化和縮小了電路設(shè)計,同時可實現(xiàn)緊湊型熒光燈及線性鎮(zhèn)流器多達(dá)10%
          • 關(guān)鍵字: 功率半導(dǎo)體  整流器  IRS2530D  DC  

          奧托立夫創(chuàng)新安全帶預(yù)緊系統(tǒng)選用英飛凌汽車功率半導(dǎo)體

          •   2008年11月5日,瑞典斯德哥爾摩與德國Neubiberg訊——奧托立夫公司(NYSE:ALV和SSE:ALIVsdb)和英飛凌科技股份公司(FSE/NYSE:IFX)近日聯(lián)合宣布,奧托立夫選中英飛凌作為其下一代安全帶預(yù)緊系統(tǒng)(主動式安全帶)的功率半導(dǎo)體的獨家供應(yīng)商。英飛凌的這種功率芯片能夠采用相對較大的電流在極短的時間內(nèi)對電機(jī)實施控制,它是最近批量上市的NovalithlCTM家族的成員。奧托立夫公司是全球最大的汽車安全系統(tǒng)供應(yīng)商,通過使用電機(jī)和電子裝置在發(fā)生碰撞前的幾毫秒
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          SiC二極管逆變器投入應(yīng)用,讓燃料電池車更輕

          •   日產(chǎn)汽車開發(fā)出了采用SiC二極管的汽車逆變器。日產(chǎn)已經(jīng)把該逆變器配備在該公司的燃料電池車“X-TRAIL FCV”上,并開始行駛實驗。通過把二極管材料由原來的Si變更為SiC,今后有望實現(xiàn)逆變器的小型輕量化、提高可靠性。對于電動汽車而言,逆變器的大小一直是布局的制約因素之一。   SiC元件作為具有優(yōu)異特性的新一代功率半導(dǎo)體備受矚目。SiC的絕緣破壞電場比Si大1位數(shù)左右,理論上SiC導(dǎo)通電阻可比Si減小2位數(shù)以上。原因是導(dǎo)通電阻與絕緣破壞電場3次方成反比。導(dǎo)通電阻小,因
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          飛兆林康樂:攜手中國企業(yè)應(yīng)對節(jié)能挑戰(zhàn)

          •   飛兆是業(yè)界公認(rèn)的功率半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)廠商,當(dāng)節(jié)約能源降低消耗已經(jīng)成為全球性話題的時候,在節(jié)約能源降低消耗領(lǐng)域具有優(yōu)勢的飛兆半導(dǎo)體,能夠協(xié)助中國應(yīng)對平衡經(jīng)濟(jì)發(fā)展與保護(hù)本土和全球環(huán)境的挑戰(zhàn)。飛兆非常重視中國市場,在中國已經(jīng)建立了研發(fā)、制造等機(jī)構(gòu),以加快在中國的發(fā)展。   近日,《中國電子報》記者專訪了飛兆半導(dǎo)體全球銷售及市場推廣執(zhí)行副總裁林康樂先生。林先生表示,飛兆將繼續(xù)嚴(yán)格執(zhí)行他們定義明確的中國市場經(jīng)營策略,這也是他們在中國取得成功的關(guān)鍵。   記者:2007年,飛兆在中國的銷售額達(dá)到企業(yè)總銷售額的25%
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          共156條 10/11 |‹ « 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 »

          功率半導(dǎo)體介紹

            《功率半導(dǎo)體 器件 與應(yīng)用》基于前兩章的半導(dǎo)體物理基礎(chǔ),詳細(xì)介紹了目前最主要的幾類功率半導(dǎo)體器件,包括pin二極管、晶閘管、門極關(guān)斷晶閘管、門極換流晶閘管、功率場效應(yīng)晶體管和絕緣柵雙極型晶體管。 [ 查看詳細(xì) ]

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