功率半導(dǎo)體 文章 進(jìn)入功率半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)
汽車結(jié)構(gòu)性缺芯 國(guó)產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體有望四季度“上車”
- 4月7日，中國(guó)汽車芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟功率半導(dǎo)體分會(huì)在長(zhǎng)沙成立，將加快汽車功率芯片的國(guó)產(chǎn)化。在成立大會(huì)暨汽車功率芯片發(fā)展研討會(huì)期間，第一財(cái)經(jīng)記者獲悉，汽車結(jié)構(gòu)性缺芯給國(guó)產(chǎn)芯片帶來機(jī)會(huì)，降本提質(zhì)是國(guó)產(chǎn)功率芯片尤其是碳化硅功率半導(dǎo)體“上車”的關(guān)鍵；三安光電用于電動(dòng)車主驅(qū)的碳化硅功率半導(dǎo)體有望今年四季度正式“上車”?！ ∑嚱Y(jié)構(gòu)性缺芯給國(guó)產(chǎn)芯片帶來機(jī)會(huì) 有行業(yè)專家向第一財(cái)經(jīng)記者表示，一輛電動(dòng)車如果前驅(qū)與后驅(qū)都用功率半導(dǎo)體，功率半導(dǎo)體約占電機(jī)控制器的成本50%。奇瑞汽車研發(fā)總院芯片規(guī)劃總監(jiān)郭宇輝告訴第一財(cái)經(jīng)記者
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強(qiáng)化產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)作，中國(guó)汽車芯片創(chuàng)新聯(lián)盟功率半導(dǎo)體分會(huì)成立
- 4月7日，由中國(guó)汽車芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（以下簡(jiǎn)稱：中國(guó)汽車芯片創(chuàng)新聯(lián)盟）主辦，湖南三安承辦的“汽車功率半導(dǎo)體分會(huì)成立大會(huì)暨汽車功率芯片發(fā)展研討會(huì)”在長(zhǎng)沙舉辦。近80位政府嘉賓、企業(yè)高管、行業(yè)專家、新聞媒體齊聚一堂，共謀中國(guó)新能源汽車及功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展之道，促進(jìn)產(chǎn)業(yè)鏈跨界合作和多元融合生態(tài)的形成，攜手共創(chuàng)汽車功率半導(dǎo)體行業(yè)的新局面。成立分會(huì) 推進(jìn)產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展當(dāng)前，汽車行業(yè)正處在從傳統(tǒng)化石能源驅(qū)動(dòng)逐步向全電驅(qū)動(dòng)轉(zhuǎn)換的巨大歷史變革當(dāng)中。新能源汽車進(jìn)入發(fā)展快車道，汽車功率芯片是新能源汽車的重要器
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功率半導(dǎo)體市場(chǎng)需求攀升，盛美上海首獲Ultra C SiC襯底清洗設(shè)備采購(gòu)訂單
- 今日，盛美上海宣布，首次獲得Ultra C SiC碳化硅襯底清洗設(shè)備的采購(gòu)訂單。盛美上海指出，該訂單來自中國(guó)領(lǐng)先的碳化硅襯底制造商，預(yù)計(jì)將在2023年第三季度末發(fā)貨。當(dāng)前，以碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）為主的第三代半導(dǎo)體迅速發(fā)揮發(fā)展，其中整體產(chǎn)值又以碳化硅占80%為重。據(jù)悉，碳化硅襯底用于功率半導(dǎo)體制造，而功率半導(dǎo)體被廣泛應(yīng)用于功率轉(zhuǎn)換、電動(dòng)汽車和可再生能源等領(lǐng)域。碳化硅技術(shù)的主要優(yōu)勢(shì)包括更少的開關(guān)能量損耗、更高的能量密度、更好的散熱，以及更強(qiáng)的帶寬能力。汽車和可再生能源等行業(yè)對(duì)功率半導(dǎo)體需求的增加
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SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)分析；廠商談IGBT大缺貨
- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢旗下化合物半導(dǎo)體研究處最新報(bào)告《2023 SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)分析報(bào)告-Part1》分析，隨著Infineon、ON Semi等與汽車、能源業(yè)者合作項(xiàng)目明朗化，將推動(dòng)2023年整體SiC功率元件市場(chǎng)規(guī)模達(dá)22.8億美元，年成長(zhǎng)41.4%。與此同時(shí)，受惠于下游應(yīng)用市場(chǎng)的強(qiáng)勁需求，TrendForce集邦咨詢預(yù)期，至2026年SiC功率元件市場(chǎng)規(guī)模可望達(dá)53.3億美元，其主流應(yīng)用仍倚重電動(dòng)汽車及可再生能源2全球車用MCU市場(chǎng)規(guī)模預(yù)估2022年全球車用MCU市場(chǎng)規(guī)模達(dá)82
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一文讀懂功率半導(dǎo)體
- 功率半導(dǎo)體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉(zhuǎn)換等。凡是在擁有電流電壓以及相位轉(zhuǎn)換的電路系統(tǒng)中，都會(huì)用到功率器件，MOSFET、IGBT主要作用在于將發(fā)電設(shè)備產(chǎn)生的電壓和頻率雜亂不一的“粗電”通過一系列的轉(zhuǎn)換調(diào)制變成擁有特定電能參數(shù)的“精電”、供給需求不一的用電終端，為電子電力變化裝置的核心器件之一。在分立器件發(fā)展過程中，20世紀(jì)50年代，功率二極管、功率三極管面世并應(yīng)用于工業(yè)和電力系統(tǒng)。20世紀(jì)60至70年代，晶閘管等半導(dǎo)體功率器件快速發(fā)展。20世紀(jì)70年代
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日本電子巨頭羅姆將量產(chǎn)下一代半導(dǎo)體：提高用電效率、增加電動(dòng)車?yán)m(xù)航里程
- 據(jù)日本共同社日前報(bào)道， 日本電子零部件巨頭羅姆（ROHM）將于今年12月量產(chǎn)下一代功率半導(dǎo)體，以碳化硅（SiC）為原材料。據(jù)悉，羅姆花費(fèi)約20年推進(jìn)研發(fā)碳化硅半導(dǎo)體。新一代半導(dǎo)體可讓可提高機(jī)器運(yùn)轉(zhuǎn)的用電效率， 若裝在純電動(dòng)汽車上，續(xù)航里程可提升一成，電池體積也可更小。據(jù)悉，羅姆將在福岡縣筑后市工廠今年開設(shè)的碳化硅功率半導(dǎo)體專用廠房實(shí)施量產(chǎn)，還計(jì)劃為增產(chǎn)投資最多2200億日元（約合人民幣114億元），并將2025年度的碳化硅銷售額上調(diào)至1100億日元。公開資料顯示， 碳化硅具備
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株洲中車時(shí)代功率半導(dǎo)體器件核心制造產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目開工
- 據(jù)石峰發(fā)布消息顯示，10月28日，株洲市中車時(shí)代功率半導(dǎo)體器件核心制造產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目開工。據(jù)悉，該項(xiàng)目位于株洲市石峰區(qū)軌道交通雙創(chuàng)園內(nèi)，占地約266畝，計(jì)劃總投資逾52億元，項(xiàng)目建成達(dá)產(chǎn)后，可新增年產(chǎn)36萬片8英寸中低壓組件基材的生產(chǎn)能力，產(chǎn)品主要面向新能源發(fā)電及工控家電領(lǐng)域。時(shí)代電氣9月公告稱，控股子公司株洲中車時(shí)代半導(dǎo)體有限公司，擬投資中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目，包括中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化（宜興）一期建設(shè)項(xiàng)目和中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化（株洲）建設(shè)項(xiàng)目（以下簡(jiǎn)稱“株洲子項(xiàng)目”），項(xiàng)目投資總額約1,111,869
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英飛凌在匈牙利設(shè)立新廠 擴(kuò)充大功率半導(dǎo)體模塊產(chǎn)能
- 英飛凌科技（Infineon）于匈牙利采格萊德設(shè)立新廠，用于大功率半導(dǎo)體模塊的組裝和測(cè)試，以推動(dòng)作為全球碳減排關(guān)鍵的汽車電動(dòng)化進(jìn)程。此外，英飛凌還進(jìn)一步擴(kuò)大了投資，提高大功率半導(dǎo)體模塊的產(chǎn)能，廣泛用于風(fēng)力發(fā)電機(jī)、太陽能模塊以及高能效馬達(dá)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用，推動(dòng)綠色能源的發(fā)展。英飛凌營(yíng)運(yùn)長(zhǎng)Rutger Wijburg表示，英飛凌遵循的是長(zhǎng)期可持續(xù)增長(zhǎng)的發(fā)展道路。在低碳化和數(shù)字化趨勢(shì)的推動(dòng)下，英飛凌半導(dǎo)體解決方案的市場(chǎng)需求不斷增長(zhǎng)。采格萊德工廠為推動(dòng)綠色能源的發(fā)展作出了重要貢獻(xiàn)，新工廠的建設(shè)將進(jìn)一步助力英飛凌滿足日益
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功率半導(dǎo)體組件的主流爭(zhēng)霸戰(zhàn)
- 功率半導(dǎo)體組件與電源、電力控制應(yīng)用有關(guān)，特點(diǎn)是功率大、速度快，有助提高能源轉(zhuǎn)換效率，多年來，功率半導(dǎo)體以硅（Si）為基礎(chǔ)的芯片設(shè)計(jì)架構(gòu)成為主流，碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等第三類半導(dǎo)體材料出現(xiàn)，讓功率半導(dǎo)體組件的應(yīng)用更為多元，效率更高。MOSFET與IGBT雙主流各有痛點(diǎn)高功率組件應(yīng)用研發(fā)聯(lián)盟秘書長(zhǎng)林若蓁博士（現(xiàn)職為臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)研究院研究一所副所長(zhǎng)）指出，功率半導(dǎo)體組件是電源及電力控制應(yīng)用的核心，具有降低導(dǎo)通電阻、提升電力轉(zhuǎn)換效率等功用，其中又以MOSFET（金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管）與IGBT（絕緣
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功率半導(dǎo)體冷知識(shí)之二：IGBT短路時(shí)的損耗
- IGBT主要用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)和各類變流器，IGBT的抗短路能力是系統(tǒng)可靠運(yùn)行和安全的保障之一，短路保護(hù)可以通過串在回路中的分流電阻或退飽和檢測(cè)等多種方式實(shí)現(xiàn)。IGBT是允許短路的，完全有這樣的底氣，EconoDUAL?3 FF600R12ME4 600A 1200V IGBT4的數(shù)據(jù)手冊(cè)是這樣描述短路能力的，在驅(qū)動(dòng)電壓不超過15V時(shí)，短路電流典型值是2400A，只要在10us內(nèi)成功關(guān)斷短路電流，器件不會(huì)損壞。IGBT的短路承受能力為短路保護(hù)贏得時(shí)間，驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路可以從容安全地關(guān)斷短路電流。短路能力不是免費(fèi)的器
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啟方半導(dǎo)體功率半導(dǎo)體用0.18微米高壓BCD工藝開始量產(chǎn)
- 韓國(guó)唯一一家純晶圓代工廠啟方半導(dǎo)體（Key Foundry）今天宣布其0.18微米高壓BCD（雙極-CMOS-DMOS）工藝已經(jīng)開始量產(chǎn)。 BCD是一種單片集成工藝技術(shù)，它將用于模擬信號(hào)控制的雙極器件、用于數(shù)字信號(hào)控制的CMOS和用于高壓處理的DMOS同時(shí)制作在同一個(gè)芯片上。這種工藝適用于各種功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，具有高電壓、高可靠性、低電子干擾等優(yōu)點(diǎn)。近年來，隨著電子設(shè)備系統(tǒng)尺寸的縮小和功率效率的提高變得越來越重要，對(duì)合適的功率半導(dǎo)體的需求也越來越大，因此對(duì)BCD的需求也在增加。啟方半導(dǎo)體為工作電
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東芝新建12吋晶圓廠 擴(kuò)大功率半導(dǎo)體產(chǎn)能
- 東芝(Toshiba)日前宣布，將在日本石川縣建造一個(gè)新的12吋(300mm)晶圓制造廠，主要用于生產(chǎn)功率半導(dǎo)體。該廠預(yù)計(jì)于2024財(cái)年開始量產(chǎn)，整體供應(yīng)的產(chǎn)能將會(huì)是目前的2.5倍。 東芝指出，新晶圓廠的建設(shè)將分兩個(gè)階段進(jìn)行，第一階段的生產(chǎn)計(jì)劃在 2024 財(cái)年開始。當(dāng)?shù)谝浑A段的生產(chǎn)滿載時(shí)，東芝的功率半導(dǎo)體產(chǎn)能將是之前的2.5 倍（2021財(cái)年）。東芝表示，功率半導(dǎo)體是管理和降低各種電子設(shè)備的功耗以及實(shí)現(xiàn)碳中和社會(huì)的重要組件。目前汽車電子和工業(yè)設(shè)備自動(dòng)化的需求正在擴(kuò)大，對(duì)低壓MOSFET（金屬氧
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功率半導(dǎo)體：新能源需求引領(lǐng)，行業(yè)快速發(fā)展
- 功率半導(dǎo)體：市場(chǎng)空間大，細(xì)分品類多1.1. 簡(jiǎn)介：能源轉(zhuǎn)換的核心器件，細(xì)分品類眾多功率半導(dǎo)體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，主要指能夠耐 受高電壓或承受大電流的半導(dǎo)體分立器件，主要用于改變電子裝置中 電壓和頻率、直流交流轉(zhuǎn)換等。功率半導(dǎo)體主要起源于 1904 年第一個(gè)二極管的誕生，而 1957 年的美國(guó) 通用電氣公司發(fā)表的第一個(gè)晶閘管，標(biāo)志著電子電力技術(shù)的誕生； 1970 年代，功率半導(dǎo)體進(jìn)入快速發(fā)展時(shí)期，GTO、BJT 和 MOSFET 的 快速發(fā)展，標(biāo)志著第二代電子電力器件的誕生。之后 1980
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碳化硅在新能源汽車中的應(yīng)用現(xiàn)狀與導(dǎo)入路徑
- 碳化硅具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率等特點(diǎn)，可以很好地滿足新能源汽車電動(dòng)化發(fā)展趨勢(shì)，引領(lǐng)和加速了汽車電動(dòng)化進(jìn)程，對(duì)新能源汽車發(fā)展具有重要意義。我國(guó)新能源汽車正處于市場(chǎng)導(dǎo)入期到產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)期過渡的關(guān)鍵階段，汽車產(chǎn)銷量、保有量連續(xù)6年居世界首位，在全球產(chǎn)業(yè)體系當(dāng)中占了舉足輕重的地位。新能源汽車產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展，極大地推動(dòng)了碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展與技術(shù)創(chuàng)新，為碳化硅產(chǎn)品的技術(shù)驗(yàn)證和更新迭代提供了大量數(shù)據(jù)樣本。
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英飛凌高層談發(fā)展策略及經(jīng)營(yíng)理念
- 2021年9月，英飛凌科技宣布位于奧地利菲拉赫的300 mm薄晶圓功率半導(dǎo)體芯片工廠正式啟動(dòng)運(yùn)營(yíng)。這座以“面向未來”為座右銘的芯片工廠，總投資額為16億歐元（1歐元約為人民幣7.5元），是歐洲微電子領(lǐng)域同類中最大規(guī)模的項(xiàng)目之一，也是現(xiàn)代化程度最高的半導(dǎo)體器件工廠之一。英飛凌為何非常重視功率半導(dǎo)體的發(fā)展？其整體發(fā)展思路是什么？
- 關(guān)鍵字： 202110 功率半導(dǎo)體 工廠
功率半導(dǎo)體介紹
《功率半導(dǎo)體 器件 與應(yīng)用》基于前兩章的半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)，詳細(xì)介紹了目前最主要的幾類功率半導(dǎo)體器件，包括pin二極管、晶閘管、門極關(guān)斷晶閘管、門極換流晶閘管、功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管和絕緣柵雙極型晶體管。 [ 查看詳細(xì) ]
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