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          EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 半導(dǎo)體

          DARPA投資8400萬(wàn)美元用于3D軍用芯片組

          • 五角大樓的高級(jí)研究項(xiàng)目局(DARPA)撥款8.4億美元,用于開發(fā)美國(guó)軍方的下一代半導(dǎo)體微系統(tǒng)。這筆資金的受益者是德州電子研究所(TIE),該機(jī)構(gòu)成立于2021年,位于德克薩斯大學(xué)奧斯汀分校,并作為一個(gè)由德州州政府和地方政府、芯片公司和學(xué)術(shù)機(jī)構(gòu)組成的聯(lián)盟運(yùn)營(yíng)。TIE的研究重點(diǎn)是異構(gòu)集成技術(shù),通常稱為芯片組——將單獨(dú)的硅片封裝在一起形成完整的芯片。AMD等公司的處理器就廣泛使用這種方法:現(xiàn)代的AMD Ryzen或Epyc處理器包括多個(gè)硅片,每個(gè)硅片包含CPU核心和IO電路。由于TIE在這一領(lǐng)域的半導(dǎo)體研發(fā)經(jīng)驗(yàn)
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  市場(chǎng)  國(guó)際  

          美國(guó):非法芯片流向俄羅斯減少,但中國(guó)和香港仍是轉(zhuǎn)運(yùn)中心

          • 通過香港向俄羅斯運(yùn)輸?shù)母邇?yōu)先級(jí)物品(CHPL)減少了28%(2024年1月至5月)——美國(guó)商務(wù)部提供給路透社的數(shù)據(jù) 2023年通過香港/中國(guó)運(yùn)輸?shù)腘vidia產(chǎn)品達(dá)1760萬(wàn)美元——C4ADS數(shù)據(jù) 香港是全球規(guī)避制裁的“領(lǐng)先”中心——新CFHK報(bào)告 高端芯片通過香港從Nvidia和Vectrawave運(yùn)出 香港政府表示不會(huì)執(zhí)行單邊美國(guó)制裁
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  市場(chǎng)  國(guó)際  

          7nm等光刻機(jī)沒有也無(wú)妨!中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)理事長(zhǎng):先進(jìn)封裝是未來(lái)

          • 7月22日消息,據(jù)國(guó)內(nèi)媒體報(bào)道稱,中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)理事長(zhǎng)陳南翔近日接受采訪時(shí)表示,中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)仍在路上,未來(lái)一定孕育巨大成功模式。“在40年前,我不曾想過中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)能有如今的發(fā)展規(guī)模,但是在過去的20年我們可以清楚的看到,未來(lái)中國(guó)一定會(huì)有今天這樣的發(fā)展?!标惸舷璺Q,不過,當(dāng)下還不是中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)最好的發(fā)展?fàn)顟B(tài),中國(guó)最好的狀態(tài)正在路上。陳南翔指出,當(dāng)前看到的三星正在做的三納米和英特爾正在做的三納米都是不一樣的,有著各自的定義?!耙郧澳柖捎行У臅r(shí)候,在每一個(gè)節(jié)點(diǎn)上,大家都知道三年后如何發(fā)展、六年
          • 關(guān)鍵字: 封裝  半導(dǎo)體  

          美限制對(duì)華高科技投資新規(guī)年底出臺(tái) AI半導(dǎo)體量子計(jì)算機(jī)全數(shù)封殺

          • 受到美國(guó)即將出臺(tái)的限制華投資法案影響,許多早已在中國(guó)高科技領(lǐng)域投資的美國(guó)投資公司將面臨退出或分拆的命運(yùn),而此項(xiàng)新法規(guī)將可能使美國(guó)資本失去參與未來(lái)半導(dǎo)體、量子計(jì)算機(jī)或人工智能(AI)等高科技發(fā)展的機(jī)會(huì)。據(jù)《芯智訊》報(bào)導(dǎo),今年6月底美國(guó)財(cái)政部發(fā)布了「關(guān)于實(shí)施對(duì)外投資行政命令的擬議規(guī)則」(NPRM),限制美國(guó)人在中國(guó)半導(dǎo)體和微電子、量子信息技術(shù)、人工智能系統(tǒng)等領(lǐng)域的投資。該擬議規(guī)則目前正在征求意見,預(yù)計(jì)最終法規(guī)將在2024年底前出臺(tái)。法令出臺(tái)后,一些仍在中國(guó)高科技產(chǎn)業(yè)投資的美國(guó)企業(yè)可能要被迫剝離他們?cè)谥袊?guó)高科技
          • 關(guān)鍵字: 高科技投資  AI  半導(dǎo)體  量子計(jì)算機(jī)  

          美國(guó)將向臺(tái)灣環(huán)球晶圓公司提供高達(dá)4億美元資金以提升美國(guó)半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)

          • 華盛頓,7月17日——美國(guó)商務(wù)部周三表示,計(jì)劃向臺(tái)灣環(huán)球晶圓(6488.TWO)提供高達(dá)4億美元的政府補(bǔ)助金,以顯著增加硅晶圓的生產(chǎn)。 商務(wù)部表示,德克薩斯州和密蘇里州的項(xiàng)目資金將建立美國(guó)首個(gè)用于先進(jìn)半導(dǎo)體的300毫米晶圓生產(chǎn),并擴(kuò)大絕緣體上硅(SOI)晶圓的生產(chǎn)。 這些晶圓是先進(jìn)半導(dǎo)體的重要組成部分,是拜登政府推動(dòng)芯片供應(yīng)鏈努力的一部分。 計(jì)劃中的補(bǔ)貼將支持環(huán)球晶圓在兩州計(jì)劃的40億美元投資,以建設(shè)新的晶圓制造設(shè)施,并創(chuàng)造1700個(gè)建筑工作崗位和880個(gè)制造工作崗位。 商務(wù)部長(zhǎng)吉娜·雷蒙多表示:
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  市場(chǎng)  國(guó)際  

          為何非洲可能成為芯片業(yè)務(wù)的下一個(gè)半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)

          • 美國(guó)貿(mào)易與發(fā)展署與肯尼亞的合作關(guān)系標(biāo)志著將非洲融入全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的重大舉措,這表明該大陸在這一高科技產(chǎn)業(yè)中的崛起。 肯尼亞、尼日利亞、盧旺達(dá)和加納等非洲國(guó)家提供了豐富的半導(dǎo)體生產(chǎn)所需的關(guān)鍵礦物,以及年輕、精通技術(shù)的人口,準(zhǔn)備推動(dòng)創(chuàng)新和技術(shù)進(jìn)步。 投資非洲的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)不僅可以降低供應(yīng)鏈風(fēng)險(xiǎn)和成本,還可以促進(jìn)可持續(xù)的經(jīng)濟(jì)發(fā)展、創(chuàng)造就業(yè)機(jī)會(huì)和技術(shù)進(jìn)步,惠及非洲經(jīng)濟(jì)及其西方合作伙伴。 美國(guó)貿(mào)易與發(fā)展署與肯尼亞合作提升東非國(guó)家半導(dǎo)體制造業(yè)的最近公告,是將非洲大陸納入全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的重要一步。這一發(fā)展標(biāo)志著
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  市場(chǎng)  國(guó)際  

          美國(guó)計(jì)劃對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實(shí)施“嚴(yán)厲”制裁

          • 據(jù)報(bào)道,美國(guó)政府正在考慮對(duì)中國(guó)獲取先進(jìn)芯片制造工具實(shí)施更嚴(yán)厲的限制措施,甚至有一些美國(guó)盟友稱這些措施為“嚴(yán)厲”。主要提議包括應(yīng)用外國(guó)直接產(chǎn)品(FDP)規(guī)則,施壓盟友限制在中國(guó)的設(shè)備服務(wù)和維修,以及擴(kuò)大需要許可證的未驗(yàn)證名單的范圍。這些措施旨在阻礙中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的進(jìn)步。其中一個(gè)關(guān)鍵提議是應(yīng)用FDP規(guī)則,這將允許美國(guó)對(duì)包含任何美國(guó)技術(shù)的外國(guó)生產(chǎn)項(xiàng)目進(jìn)行控制。根據(jù)彭博社的報(bào)道,這將特別影響東京電子和阿斯麥等公司,限制它們向中國(guó)提供先進(jìn)的晶圓制造設(shè)備(WFE)。盡管這一措施被美國(guó)盟友視為“嚴(yán)厲”,但它反映了政府限
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  市場(chǎng)  國(guó)際  

          印度政府今年不太可能啟動(dòng)第二輪半導(dǎo)體補(bǔ)貼計(jì)劃

          • 盡管已開始向美光公司2.75億美元的芯片工廠發(fā)放補(bǔ)貼資金,但電子與信息技術(shù)部(MeitY)希望在其他項(xiàng)目的撥款開始之前,暫緩申請(qǐng)下一輪芯片計(jì)劃的資金。印度政府表示,迄今批準(zhǔn)的四個(gè)項(xiàng)目將從7600億盧比(約100億美元)的半導(dǎo)體計(jì)劃中耗資約5900億盧比。 在過去一年中,7600億盧比(100億美元)半導(dǎo)體補(bǔ)貼計(jì)劃中約78%的資金已承諾給四個(gè)項(xiàng)目。根據(jù)消息來(lái)源,印度政府今年不太可能宣布后續(xù)的補(bǔ)貼方案。電子與信息技術(shù)部(MeitY)將在首次計(jì)劃的資金撥付大部分完成后,再申請(qǐng)第二輪計(jì)劃的資金。信息技術(shù)部長(zhǎng)阿什
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          美國(guó)計(jì)劃提供高達(dá)16億美元的資金用于包裝計(jì)算機(jī)芯片

          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  市場(chǎng)  國(guó)際  

          芯片行業(yè)-周回顧

          • 熱門新聞美國(guó)商務(wù)部發(fā)布了一項(xiàng)意向通知,旨在資助新的研發(fā)活動(dòng),以建立和加速國(guó)內(nèi)先進(jìn)封裝能力?!懊绹?guó)芯片法案”(CHIPS for America)預(yù)計(jì)將在五個(gè)研發(fā)領(lǐng)域內(nèi)授予最多16億美元的創(chuàng)新資金,每個(gè)研究領(lǐng)域約1500萬(wàn)美元的獎(jiǎng)項(xiàng)。美國(guó)勞工部通過兩個(gè)撥款計(jì)劃頒發(fā)了超過2.44億美元的資金,以幫助現(xiàn)代化、多元化和擴(kuò)大注冊(cè)學(xué)徒制度,涵蓋包括先進(jìn)制造和網(wǎng)絡(luò)安全在內(nèi)的美國(guó)工業(yè)。該機(jī)構(gòu)還向46個(gè)州頒發(fā)了超過3900萬(wàn)美元的撥款,以推動(dòng)關(guān)鍵行業(yè)的注冊(cè)學(xué)徒計(jì)劃(RA),包括為“芯片法案”投資提供的勞動(dòng)力支持。SEMI預(yù)
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  市場(chǎng)  國(guó)際  

          哥斯達(dá)黎加的秘密武器:在全球半導(dǎo)體競(jìng)賽中的可再生能源

          • 哥斯達(dá)黎加希望成為半導(dǎo)體中心并促進(jìn)其經(jīng)濟(jì)發(fā)展。該國(guó)必須與其他主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手(尤其是東南亞地區(qū)的國(guó)家)競(jìng)爭(zhēng)。鑒于這一市場(chǎng)的激烈競(jìng)爭(zhēng),任何附加值都顯得尤為重要,使得環(huán)境足跡成為一個(gè)關(guān)鍵因素。在哥斯達(dá)黎加,其能源矩陣中約有95%是可再生能源,而其主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的這一比例約為12%。根據(jù)外貿(mào)促進(jìn)機(jī)構(gòu)(PROCOMER)的數(shù)據(jù),持續(xù)性是哥斯達(dá)黎加價(jià)值主張中的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)?!熬唧w到半導(dǎo)體行業(yè),這意味著哥斯達(dá)黎加相對(duì)于競(jìng)爭(zhēng)國(guó)家擁有機(jī)會(huì),因?yàn)樵撔袠I(yè)的公司擁有內(nèi)部可持續(xù)發(fā)展計(jì)劃,重點(diǎn)是使用可再生能源,這也符合全球行業(yè)趨勢(shì)和到205
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  市場(chǎng)  國(guó)際  

          HBM新戰(zhàn)局,半導(dǎo)體存儲(chǔ)廠商們準(zhǔn)備好了嗎?

          • 在半導(dǎo)體存儲(chǔ)領(lǐng)域,參與HBM市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的存儲(chǔ)廠商主要為SK海力士、三星和美光,三者的競(jìng)爭(zhēng)已經(jīng)延續(xù)到HBM3e。而近日,行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)制定組織固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)JEDEC宣布HBM4即將完成的消息引發(fā)了業(yè)界關(guān)注,這似乎也預(yù)示著HBM領(lǐng)域新的戰(zhàn)場(chǎng)已經(jīng)開啟...?堆棧通道數(shù)較HBM3翻倍?據(jù)悉,JEDEC于7月10日表示,備受期待的高帶寬存儲(chǔ)器 (HBM) DRAM標(biāo)準(zhǔn)的下一個(gè)版本:HBM4標(biāo)準(zhǔn)即將完成定稿。圖片來(lái)源:JEDEC官網(wǎng)截圖HBM4是目前發(fā)布的HBM3標(biāo)準(zhǔn)的進(jìn)化版,旨在進(jìn)一步提高數(shù)據(jù)處理速率,同時(shí)保持更高的帶寬、
          • 關(guān)鍵字: HBM  半導(dǎo)體  存儲(chǔ)  

          高端不行 低端死命卷!工信部:我國(guó)芯片自給率僅10% 差距還很大

          • 7月15日消息,近日,工信部電子五所元器件與材料研究院高級(jí)副院長(zhǎng)羅道軍公開表示,我國(guó)芯片自給率僅10%,需要努力的地方還很多。羅道軍談到,中國(guó)擁有最大的新能源車產(chǎn)能,用量也是越來(lái)越多。但是,芯片的自給率確實(shí)目前不到10%,是結(jié)構(gòu)性的短缺。他建議做車位芯片的企業(yè)盡量往高端走,低端現(xiàn)在又開始卷的不行了?!拔覀冇幸痪渌渍Z(yǔ)叫只要國(guó)人會(huì)做的事情,很快就會(huì)決掉,所以必須要不斷的創(chuàng)新”,他說。羅道軍強(qiáng)調(diào),中國(guó)現(xiàn)在的產(chǎn)業(yè)里面兩個(gè)亮點(diǎn),一個(gè)新能源,一個(gè)汽車。他坦言道,“如今國(guó)際環(huán)境越來(lái)越差,車企的內(nèi)卷也越來(lái)越厲害。所以對(duì)芯
          • 關(guān)鍵字: 芯片  自給率  半導(dǎo)體  

          先進(jìn)封裝成半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)力關(guān)鍵,美國(guó)宣布16億美元補(bǔ)助

          • 外媒報(bào)導(dǎo),美國(guó)商務(wù)部10日公布意向通知(NOI),啟動(dòng)研發(fā)(R&D)競(jìng)賽,建立加速美國(guó)半導(dǎo)體先進(jìn)封裝產(chǎn)能。正如美國(guó)國(guó)家先進(jìn)封裝制造計(jì)劃(NAPMP)愿景,美國(guó)芯片法案計(jì)劃提供16億美元給五個(gè)新創(chuàng)領(lǐng)域。借潛在合作協(xié)議,芯片法案提供多個(gè)獎(jiǎng)項(xiàng),每獎(jiǎng)項(xiàng)約1.5億美元資金,領(lǐng)導(dǎo)工業(yè)界和學(xué)術(shù)界民間投資。政府資助活動(dòng)包括一或多個(gè)領(lǐng)域,如設(shè)備、工具、技術(shù)和技術(shù)整合,電力輸送和熱管理,連接器技術(shù),光子學(xué)和射頻(RF),小芯片(Chiplet)生態(tài)系統(tǒng),以及協(xié)同設(shè)計(jì)/電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)等。美國(guó)除了資助研發(fā)領(lǐng)域,
          • 關(guān)鍵字: 先進(jìn)封裝  半導(dǎo)體  

          半導(dǎo)體芯片封裝將迎新格局,玻璃基板技術(shù)冉冉升起

          • 7 月 12 日消息,集邦咨詢于 7 月 10 日發(fā)布博文,玻璃基板技術(shù)憑借著卓越的性能以及諸多優(yōu)勢(shì),已經(jīng)成為先進(jìn)封裝領(lǐng)域一顆冉冉升起的新星。玻璃基板技術(shù)芯片基板是用來(lái)固定晶圓切好的裸晶(Die),封裝的最后一步的主角,基板上固定的裸晶越多,整個(gè)芯片的晶體管數(shù)量就越多。芯片基板材料主要經(jīng)歷了兩次迭代,上世紀(jì) 70 年代開始使用引線框架,在 90 年代過渡到陶瓷基板,也是目前最常見的有機(jī)材料基板。在封裝解決方案中,玻璃基板相比有機(jī)基板有更多優(yōu)勢(shì),IT之家簡(jiǎn)要匯總?cè)缦拢骸?卓越的機(jī)械、物理和光學(xué)特性· 芯片上
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  芯片  封裝  玻璃基板  
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          半導(dǎo)體介紹

          semiconductor 電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時(shí)電阻率約在10-5~107歐·米之間,溫度升高時(shí)電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多,按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體;化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物(砷化鎵、磷化鎵等)、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細(xì) ]
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